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Integration of GaAs, GaN, and Si-CMOS on a common 200 mm Si substrate through multilayer transfer process

2019-11-18
Highly doped p-type 3C–SiC on 6H–SiC substrates

2019-11-11

inp 웨이퍼

xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 반 절연성이 다른 (111) 또는 ((111) 또는 (111)으로) lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키) 또는 vgf 100).

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xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 반 절연성이 다른 (111) 또는 ((111) 또는 (111)으로) lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키) 또는 vgf 100).

인화 인듐 (inp)은 인듐과 인으로 구성된 2 원 반도체입니다. 그것은 GaAs 및 iii-v 반도체의 대부분과 동일한 면심 입방 ( "zinc blende") 결정 구조를 가지고있다. 인화 인듐은 백색 인과 요오드화 인듐의 반응으로부터 제조 될 수있다. ° C. [5] 또한 고순도 및 고압에서 정화 된 원소를 직접 결합 시키거나 트리 알킬 인듐 화합물과 인화물의 혼합물을 열분해함으로써 얻을 수있다. inp는보다 일반적인 반도체 인 실리콘 및 갈륨 비소에 비해 우수한 전자 속도 때문에 고전력 및 고주파 전자 기기에 사용됩니다.

웨이퍼 사양
목	명세서
웨이퍼 지름	50.5 ± 0.4mm
결정 방위	(100) ± 0.1 °
두께	350 ± 25um / 500 ± 25um
1 차 평면 길이	16 ± 2mm
보조 평면 길이	8 ± 1mm
표면 마무리	p / e, p / p
꾸러미	에피 준비, 단일 웨이퍼 컨테이너 또는 cf 카세트

전기 및 도핑 사양
전도 유형	n 형	n 형	n 형	n 형	P 형	P 형
도펀트	도망자가없는	철	주석	황	아연	낮은 아연
e.d.p cm^-2	≤ 5000	≤ 5000	≤ 50000	≤ 1000	≤ 1000	≤ 5000
이동성 cm² v^-1 에스^-1	≥ 4200	≥ 1000	2500-750	2000-1000	명시되지 않은	명시되지 않은
캐리어 농도 cm^-삼	≤ 10¹⁶	반 절연	( 7-40 ) * 10¹⁷	( 1-10 ) * 10¹⁸	( 1-6 ) * 10¹⁸	( 1-6 ) * 10¹

인기 태그 : inp 웨이퍼 inp 기판 인화 인듐 웨이퍼 인화 인듐 기판 inp 웨이퍼 가격 인화 인듐 제조 업체

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