우리는 누구인가?

중국에서 화합물 반도체 소재의 선두 제조 업체로서. pam-xiamen은 1 세대 게르마늄 웨이퍼, ga, al, in, as 및 p를 기반으로하는 III-V 실리콘 도핑 n 형 반도체 재료에 대한 기판 성장 및 에피 택시가있는 2 세대 갈륨 비소로부터의 고급 결정 성장 및 에피 택시 기술을 개발합니다 mbe 또는 mocvd에 의해 3 세대로 성장 : 주도 및 전력 장치 응용을위한 실리콘 카바이드 및 질화 갈륨.12
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축적 및 개발 20 년 이상 후, 우리 회사는 기술 혁신과 인재 풀에 분명한 이점이 있습니다. 앞으로는 고객에게 더 나은 제품과 서비스를 제공하기 위해 실제 조치의 속도를 높여야합니다.
의사 짱 -하문 powerway 첨단 재료 공동의 CEO., LTD

우리의 제품

청색 레이저

GAN 템플릿

pam-xiamen의 템플릿 제품은 사파이어 기판에 증착 된 갈륨 나이트 라이드 (gan), 알루미늄 나이트 라이드 (aln), 알루미늄 갈륨 나이트 라이드 (algan) 및 인듐 갈륨 니트 라이드 (ingan) silicon carbide 또는 silicon.pam-xiamen의 템플릿 제품은 비용, 수율 및 성능면에서 디바이스를 향상시킬 수있는 우수한 구조적 품질과 높은 열 전도성으로 20 ~ 50 % 더 짧은 에피 택시 사이클 시간과 고품질 에피 택셜 디바이스 레이어를 가능하게합니다.12

실리콘에 관한 이야기

자립형 독립 기판

pam-xiamen은 uhb 주도 및 ld 용 프리 스탠딩 (gallium nitride) 기판 웨이퍼 용 제조 기술을 확립했습니다. (hydride vapor phase epitaxy, hvpe) 기술에 의해 성장한 우리의 gan 기판은 결함 밀도가 낮습니다.

가면 크리스탈

가 스 (갈륨 비소) 웨이퍼

pwam은 화합물 반도체 기판 인 갈륨 아세 나이드 결정체와 웨이퍼를 개발 및 제조합니다. 우리는 첨단 결정 성장 기술, 수직 구배 동결 (vgf) 및 가우스 웨이퍼 처리 기술을 사용하고 있으며, 결정 성장, 절단, 연삭에서 연마 가공 및 웨이퍼 청소 및 포장을위한 100 가지 클린 룸. 우리의 gaas 웨이퍼는 led, ld 및 microelectronics 응용 분야에 2 ~ 6 인치 주괴 / 웨이퍼를 포함합니다. 우리는 항상 현재 하위 상태의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발하기 위해 노력하고 있습니다.12

결정체

sic 에피 택시

우리는 탄화 규소 디바이스의 개발을 위해 6h 또는 4h 기판에 주문형 박막 (실리콘 카바이드) sic 에피 택시를 제공합니다. sic 에피 웨이퍼는 주로 쇼트 키 다이오드, 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터, 접합 전계 효과 트랜지스터, 바이폴라 접합 트랜지스터, 사이리스터, gto 및 절연 게이트 바이폴라에 사용됩니다.12

결정체

기판

pam-xiamen은 반도체 실리콘 카바이드 웨이퍼, 연구원을위한 다양한 품질의 등급으로 6 시간 및 4 시간을 제공합니다. 및 산업 제조업체. 우리는 sic 결정 성장 기술 및 sic 결정 웨이퍼 가공 기술을 개발했다, gan 에피 택시 디바이스, 파워 디바이스, 고온 장치 및 광전자 장치. 고급 분야의 선두 제조 업체가 투자 한 전문 회사로서 첨단 소재 연구 및 주정부 기관과 중국의 반도체 연구소와의 협력을 통해 우리는 지속적으로 현재 기판의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발할 수 있습니다.12

선폭 expanaxy

웨이퍼 기반 에피 택셜 웨이퍼

pam-xiamen의 gan (질화 갈륨) 기반의 에피 택셜 웨이퍼는 초고 휘도의 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드 (LD) 애플리케이션 용입니다.

간결 핵 에피 택시

웨이퍼 반 에피 택셜 웨이퍼

갈륨 질화물 (gan) hemts (높은 전자 이동성 트랜지스터)는 rf 전력 트랜지스터 기술의 차세대 기술입니다. 팸 - 샤먼은 현재 사파이어 또는 실리콘에 algan / gan hemt epi 웨이퍼를 제공하고 사파이어 템플릿에는 algan / gan을 제공합니다 .

결정체

웨이퍼 리 클레임

pam-xiamen은 다음과 같은 sic reclaim 웨이퍼 서비스를 제공 할 수 있습니다.

왜 우리를 선택 했습니까

  • 무료 및 전문 기술 지원

    문의를 통해 무료 서비스를받을 수 있습니다. 25 개 이상의 경험 반도체 라인.

  • 좋은 판매 서비스

    우리의 목표는 모든 요구 사항을 충족시키는 것입니다. 아무리 작은 주문이라도 과 얼마나 어려운 질문 자격을 갖춘 제품과 만족스러운 서비스를 통해 모든 고객에 대해 지속적이고 수익성있는 성장을 유지할 수 있습니다.

  • 25 년 이상의 경험

    ~ 이상 25 년 이상 경험담 화합물 반도체 소재 분야 및 수출 사업에서 우리 팀은 고객의 요구 사항을 이해하고 전문적으로 프로젝트를 처리 할 수 ​​있음을 보증 할 수 있습니다.

  • 신뢰할 수있는 품질

    품질이 최우선입니다. 팸 - 시아 먼은 iso9001 : 2008 는 고객의 다양한 니즈를 충족시킬 수있는 상당량의 검증 된 제품을 제공 할 수있는 4 가지 근대적 인 면모를 소유하고 공유하며 모든 주문은 엄격한 품질 시스템을 통해 처리되어야합니다. 테스트 보고서는 각 선적마다 제공되며 각 웨이퍼는 보증 대상입니다.12

"우리는 일부 작업에 파워 웨이 에피 웨이퍼를 사용 해왔다. 우리는 에피의 품질에 매우 감동했다"
james s.speck, 캘리포니아 주 재료 학부
2018-01-25
"친애하는 팸 - 샤먼 팀, 당신의 직업 의견을 주셔서 감사합니다, 문제가 해결되었습니다, 우리는 당신의 파트너가되어 기쁘다"
라만 k. chauhan, 세린 포토닉스
2018-01-25
"내 질문과 경쟁력있는 가격에 대한 빠른 답장을 보내 주셔서 감사합니다. 매우 유용합니다. 곧 다시 주문할 것입니다."
마르크스 시거, ulm 대학
2018-01-25
"실리콘 카바이드 웨이퍼가 오늘 도착했습니다. 우리는 정말로 그들과 함께 기뻐했습니다! 제작진에게 엄지 손가락을!"
데니스, 엑서 터 대학
2018-01-25

세계에서 가장 유명한 대학 및 기업이 우리를 신뢰합니다.

최근 뉴스

The contact and photoconductivity characteristics between Co doped amorphous carbon and GaAs: n-type low-resistivity and semi-insulated high-resistivity GaAs

2019-06-17

The Co doped amorphous carbon films (a-C:Co), deposited by pulsed laser deposition, show p-n and ohmic contact characteristics with n-type low resistivity GaAs (L-GaAs) and semi-insulated high-resistivity GaAs (S-GaAs). The photosensitivity enhances for a-C:Co/L-GaAs, while inverse decreases for a-C:Co/S-GaAs heterojunction, respectively. Furthermore, the enhanced photosensitivity for the a-C:Co/L-GaAs/Ag heterojunction also shows deposition temperature dependence behavior, and the optimum deposition temperature is around 500 °C. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Realization and characterization of thin single crystal Ge films on sapphire

2019-06-13

We have successfully produced and characterized thin single crystal Ge films on sapphire substrates (GeOS). Such a GeOS template offers a cost-effective alternative to bulk germanium substrates for applications where only a thin (<2 µm) Ge layer is needed for device operation. The GeOS templates have been realized using the Smart CutTM technique. 100 mm diameter GeOS templates have been manufactured and characterized to compare the Ge thin film properties with bulk Ge. Surface defect inspection, SEM, AFM, defect etching, XRD and Raman spectroscopy were all performed. The results obtained for each characterization technique used have highlighted that the material properties of the transferred thin Ge film were very close to the ones of a bulk Ge reference. An epitaxial AlGaInP/GaInP/AlGaInP double heterostructure was grown atop the GeOS template to demonstrate the template's stability under the conditions encountered in typical device realization. The photoluminescent behavior of thi...

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Optical nonlinearity characteristics of crystalline InSb semiconductor thin films

2019-06-04

The intensity-dependent nonlinear absorption and refraction characteristics of crystalline InSb thin films are investigated by z-scan method at 405 nm laser wavelength. Results show that the nonlinear absorption coefficient of crystalline InSb thin films is in the order of ~ + 10−2 m W−1, and the nonlinear refractive index is in the order of ~ + 10−9 m2 W−1. Variable-temperature ellipsometric spectroscopy measurements and electronic process analyses as well as theoretical calculations are employed to discuss the internal mechanisms responsible for the giant optical nonlinearity. Analysis results indicate that the nonlinear absorption mainly stems from the laser-induced free-carrier absorption effect, whereas the nonlinear refraction is mainly from thermal effect due to band gap shrinking and carrier effect due to the transition process of electrons, respectively. These characteristics may be responsible for the super-resolution effect in nano-optical information storage. Source:IOPscie...

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Study of a double epi-layers SiC junction barrier Schottky rectifiers embedded P layer in the drift region

2019-05-27

This paper proposes a double epi-layers 4H–SiC junction barrier Schottky rectifier (JBSR) with embedded P layer (EPL) in the drift region. The structure is characterized by the P-type layer formed in the n-type drift layer by epitaxial overgrowth process. The electric field and potential distribution are changed due to the buried P-layer, resulting in a high breakdown voltage (BV) and low specific on-resistance (Ron,sp). The influences of device parameters, such as the depth of the embedded P+ regions, the space between them and the doping concentration of the drift region, etc., on BV and Ron,sp are investigated by simulations, which provides a particularly useful guideline for the optimal design of the device. The results indicate that BV is increased by 48.5% and Baliga's figure of merit (BFOM) is increased by 67.9% compared to a conventional 4H–SiC JBSR. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@p...

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Growth of InP directly on Si by corrugated epitaxial lateral overgrowth

2019-05-23

In an attempt to achieve an InP–Si heterointerface, a new and generic method, the corrugated epitaxial lateral overgrowth (CELOG) technique in a hydride vapor phase epitaxy reactor, was studied. An InP seed layer on Si (0 0 1) was patterned into closely spaced etched mesa stripes, revealing the Si surface in between them. The surface with the mesa stripes resembles a corrugated surface. The top and sidewalls of the mesa stripes were then covered by a SiO2 mask after which the line openings on top of the mesa stripes were patterned. Growth of InP was performed on this corrugated surface. It is shown that growth of InP emerges selectively from the openings and not on the exposed silicon surface, but gradually spreads laterally to create a direct interface with the silicon, hence the name CELOG. We study the growth behavior using growth parameters. The lateral growth is bounded by high index boundary planes of {3 3 1} and {2 1 1}. The atomic arrangement of these planes, crystallographic o...

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Charge transport performance of high resistivity CdZnTe crystals doped with In/Al

2019-05-13

To evaluate the charge transport properties of as-grown high resistivity CdZnTe crystals doped with In/Al, the α particle spectroscopic response was measured using an un-collimated 241Am (5.48 MeV) radioactive source at room temperature. The electron mobility lifetime products (μτ)e of the CdZnTe crystals were predicted by fitting plots of photo-peak position versus electrical field strength using the single carrier Hecht equation. A TOF technique was employed to evaluate the electron mobility for CdZnTe crystals. The mobility was obtained by fitting the electron drift velocities as a function of the electrical field strengths, where the drift velocities were achieved by analyzing the rise-time distributions of the voltage pulses formed by a preamplifier. A fabricated CdZnTe planar detector based on a low In concentration doped CdZnTe crystal with (μτ)e = 2.3 × 10−3 cm2/V and μe = 1000 cm2/(V dot m s), respectively, exhibits an excellent γ-ray spectral resolution of 6.4% (FWHM = 3.8 ke...

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Selective-area growth of GaN on non- and semi-polar bulk GaN substrates

2019-05-09

We carried out the selective-area growth of GaN and fabricated InGaN/GaN MQWs on non- and semi-polar bulk GaN substrates by MOVPE. The differences in the GaN structures and the In incorporation of InGaN/GaN MQWs grown on non- and semi-polar GaN substrates were investigated. In the case of selective-area growth, different GaN structures were obtained on GaN,  GaN, and GaN substrates. A repeating pattern of  and  facets appeared on  GaN. Then, we fabricated InGaN/GaN MQWs on the facet structures on  GaN. The emission properties characterized by cathodoluminescence were different for  and  facets. On the other hand, for InGaN/GaN MQWs on non- and semi-polar GaN substrates, steps along the a-axis were observed by AFM. In particular on  GaN, undulations and undulation bunching appeared. Photoluminescence characterization indicated that In incorporation increased with the off-angle from the m-plane and also depended on the polarity. Source:IOPscience F...

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Analysis of the band alignment of highly strained indium-rich GaInNAs QWs on InP substrates

2019-04-29

The focus of this paper is to present the calculations of the band alignment of indium-rich (>53%) highly strained Ga1−xInxNyAs1−y quantum wells on InP substrates which allows an emission wavelength of the order of 2.3 µm. We concentrate on the band alignment of Ga0.22In0.78N0.01As0.99 wells lattice matched to In0.52Al0.48As barriers. Our calculations show that the incorporation of nitrogen into Ga1−xInxAs improves the band alignment significantly allowing Ga0.22In0.78N0.01As0.99/In0.52Al0.48As quantum wells on InP substrates to compete with the unique band alignment of GaInNAs/GaAs quantum wells on GaAs substrates. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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High-Performance InAs Quantum Well based Corbino Magnetoresistive Sensors on Germanium Substrates

2019-04-25

High-quality InAs/Al0.2Ga0.8Sb quantum well structures were grown on Germanium substrates by molecular beam epitaxy (MBE). Electron mobilities of 27,000 cm2/Vs for sheet concentrations of nS=1.8×1012 cm-2 were routinely achieved at room temperature for undoped InAs/Al0.2Ga0.8Sb quantum well structures on Germanium substrates. We developed a simple processing technology for the fabrication of Corbino magnetoresistive devices. Excellent current sensitivities of 195 Ω/T and voltage sensitivities of 2.35 T-1 at a magnetic field of 0.15 T were measured for Corbino shaped magnetoresistors on Germanium substrate at room temperature. This sensing performance is comparable to that obtained by identical sensors on GaAs substrate. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Structural and optical characterization of GaSb on Si (001) grown by Molecular Beam Epitaxy

2019-04-17

GaSb epilayers were grown on Si (001) using molecular beam epitaxy via AlSb quantum dots as an interfacial misfit (IMF) array between the Si substrates and GaSb epilayers. The effect of IMF array thickness, growth temperature and post annealing on the surface morphology, structural and optical properties of the GaSb on Si were investigated. Among five different IMF array thicknesses (5, 10, 20, 40 and 80 ML) that were used in this study, the best result was obtained from the sample with a 20 ML AlSb IMF array. Additionally, it was found that although the full width at half maximum (FWHM) and threading dislocation (TD) densities obtained from high resolution x-ray diffraction curves can be improved by increasing the growth temperature, a decrease in the photoluminescence (PL) signal and an increase in the surface roughness (RMS) emerged. On the other hand, the results indicate that by applying post annealing the GaSb epilayer crystal quality can be improved in terms of FWHM, TD density,...

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