우리는 누구인가?

중국에서 화합물 반도체 소재의 선두 제조 업체로서. pam-xiamen은 1 세대 게르마늄 웨이퍼, ga, al, in, as 및 p를 기반으로하는 III-V 실리콘 도핑 n 형 반도체 재료에 대한 기판 성장 및 에피 택시가있는 2 세대 갈륨 비소로부터의 고급 결정 성장 및 에피 택시 기술을 개발합니다 mbe 또는 mocvd에 의해 3 세대로 성장 : 주도 및 전력 장치 응용을위한 실리콘 카바이드 및 질화 갈륨.12
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축적 및 개발 20 년 이상 후, 우리 회사는 기술 혁신과 인재 풀에 분명한 이점이 있습니다. 앞으로는 고객에게 더 나은 제품과 서비스를 제공하기 위해 실제 조치의 속도를 높여야합니다.
의사 짱 -하문 powerway 첨단 재료 공동의 CEO., LTD

우리의 제품

청색 레이저

GAN 템플릿

pam-xiamen의 템플릿 제품은 사파이어 기판에 증착 된 갈륨 나이트 라이드 (gan), 알루미늄 나이트 라이드 (aln), 알루미늄 갈륨 나이트 라이드 (algan) 및 인듐 갈륨 니트 라이드 (ingan) silicon carbide 또는 silicon.pam-xiamen의 템플릿 제품은 비용, 수율 및 성능면에서 디바이스를 향상시킬 수있는 우수한 구조적 품질과 높은 열 전도성으로 20 ~ 50 % 더 짧은 에피 택시 사이클 시간과 고품질 에피 택셜 디바이스 레이어를 가능하게합니다.12

실리콘에 관한 이야기

자립형 독립 기판

pam-xiamen은 uhb 주도 및 ld 용 프리 스탠딩 (gallium nitride) 기판 웨이퍼 용 제조 기술을 확립했습니다. (hydride vapor phase epitaxy, hvpe) 기술에 의해 성장한 우리의 gan 기판은 결함 밀도가 낮습니다.

가면 크리스탈

가 스 (갈륨 비소) 웨이퍼

pwam은 화합물 반도체 기판 인 갈륨 아세 나이드 결정체와 웨이퍼를 개발 및 제조합니다. 우리는 첨단 결정 성장 기술, 수직 구배 동결 (vgf) 및 가우스 웨이퍼 처리 기술을 사용하고 있으며, 결정 성장, 절단, 연삭에서 연마 가공 및 웨이퍼 청소 및 포장을위한 100 가지 클린 룸. 우리의 gaas 웨이퍼는 led, ld 및 microelectronics 응용 분야에 2 ~ 6 인치 주괴 / 웨이퍼를 포함합니다. 우리는 항상 현재 하위 상태의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발하기 위해 노력하고 있습니다.12

결정체

sic 에피 택시

우리는 탄화 규소 디바이스의 개발을 위해 6h 또는 4h 기판에 주문형 박막 (실리콘 카바이드) sic 에피 택시를 제공합니다. sic 에피 웨이퍼는 주로 쇼트 키 다이오드, 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터, 접합 전계 효과 트랜지스터, 바이폴라 접합 트랜지스터, 사이리스터, gto 및 절연 게이트 바이폴라에 사용됩니다.12

결정체

기판

pam-xiamen은 반도체 실리콘 카바이드 웨이퍼, 연구원을위한 다양한 품질의 등급으로 6 시간 및 4 시간을 제공합니다. 및 산업 제조업체. 우리는 sic 결정 성장 기술 및 sic 결정 웨이퍼 가공 기술을 개발했다, gan 에피 택시 디바이스, 파워 디바이스, 고온 장치 및 광전자 장치. 고급 분야의 선두 제조 업체가 투자 한 전문 회사로서 첨단 소재 연구 및 주정부 기관과 중국의 반도체 연구소와의 협력을 통해 우리는 지속적으로 현재 기판의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발할 수 있습니다.12

선폭 expanaxy

웨이퍼 기반 에피 택셜 웨이퍼

pam-xiamen의 gan (질화 갈륨) 기반의 에피 택셜 웨이퍼는 초고 휘도의 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드 (LD) 애플리케이션 용입니다.

간결 핵 에피 택시

웨이퍼 반 에피 택셜 웨이퍼

갈륨 질화물 (gan) hemts (높은 전자 이동성 트랜지스터)는 rf 전력 트랜지스터 기술의 차세대 기술입니다. 팸 - 샤먼은 현재 사파이어 또는 실리콘에 algan / gan hemt epi 웨이퍼를 제공하고 사파이어 템플릿에는 algan / gan을 제공합니다 .

결정체

웨이퍼 리 클레임

pam-xiamen은 다음과 같은 sic reclaim 웨이퍼 서비스를 제공 할 수 있습니다.

왜 우리를 선택 했습니까

  • 무료 및 전문 기술 지원

    문의를 통해 무료 서비스를받을 수 있습니다. 25 개 이상의 경험 반도체 라인.

  • 좋은 판매 서비스

    우리의 목표는 모든 요구 사항을 충족시키는 것입니다. 아무리 작은 주문이라도 과 얼마나 어려운 질문 자격을 갖춘 제품과 만족스러운 서비스를 통해 모든 고객에 대해 지속적이고 수익성있는 성장을 유지할 수 있습니다.

  • 25 년 이상의 경험

    ~ 이상 25 년 이상 경험담 화합물 반도체 소재 분야 및 수출 사업에서 우리 팀은 고객의 요구 사항을 이해하고 전문적으로 프로젝트를 처리 할 수 ​​있음을 보증 할 수 있습니다.

  • 신뢰할 수있는 품질

    품질이 최우선입니다. 팸 - 시아 먼은 iso9001 : 2008 는 고객의 다양한 니즈를 충족시킬 수있는 상당량의 검증 된 제품을 제공 할 수있는 4 가지 근대적 인 면모를 소유하고 공유하며 모든 주문은 엄격한 품질 시스템을 통해 처리되어야합니다. 테스트 보고서는 각 선적마다 제공되며 각 웨이퍼는 보증 대상입니다.12

"우리는 일부 작업에 파워 웨이 에피 웨이퍼를 사용 해왔다. 우리는 에피의 품질에 매우 감동했다"
james s.speck, 캘리포니아 주 재료 학부
2018-01-25
"친애하는 팸 - 샤먼 팀, 당신의 직업 의견을 주셔서 감사합니다, 문제가 해결되었습니다, 우리는 당신의 파트너가되어 기쁘다"
라만 k. chauhan, 세린 포토닉스
2018-01-25
"내 질문과 경쟁력있는 가격에 대한 빠른 답장을 보내 주셔서 감사합니다. 매우 유용합니다. 곧 다시 주문할 것입니다."
마르크스 시거, ulm 대학
2018-01-25
"실리콘 카바이드 웨이퍼가 오늘 도착했습니다. 우리는 정말로 그들과 함께 기뻐했습니다! 제작진에게 엄지 손가락을!"
데니스, 엑서 터 대학
2018-01-25

세계에서 가장 유명한 대학 및 기업이 우리를 신뢰합니다.

최근 뉴스

High-Performance InAs Quantum Well based Corbino Magnetoresistive Sensors on Germanium Substrates

2019-04-25

High-quality InAs/Al0.2Ga0.8Sb quantum well structures were grown on Germanium substrates by molecular beam epitaxy (MBE). Electron mobilities of 27,000 cm2/Vs for sheet concentrations of nS=1.8×1012 cm-2 were routinely achieved at room temperature for undoped InAs/Al0.2Ga0.8Sb quantum well structures on Germanium substrates. We developed a simple processing technology for the fabrication of Corbino magnetoresistive devices. Excellent current sensitivities of 195 Ω/T and voltage sensitivities of 2.35 T-1 at a magnetic field of 0.15 T were measured for Corbino shaped magnetoresistors on Germanium substrate at room temperature. This sensing performance is comparable to that obtained by identical sensors on GaAs substrate. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Structural and optical characterization of GaSb on Si (001) grown by Molecular Beam Epitaxy

2019-04-17

GaSb epilayers were grown on Si (001) using molecular beam epitaxy via AlSb quantum dots as an interfacial misfit (IMF) array between the Si substrates and GaSb epilayers. The effect of IMF array thickness, growth temperature and post annealing on the surface morphology, structural and optical properties of the GaSb on Si were investigated. Among five different IMF array thicknesses (5, 10, 20, 40 and 80 ML) that were used in this study, the best result was obtained from the sample with a 20 ML AlSb IMF array. Additionally, it was found that although the full width at half maximum (FWHM) and threading dislocation (TD) densities obtained from high resolution x-ray diffraction curves can be improved by increasing the growth temperature, a decrease in the photoluminescence (PL) signal and an increase in the surface roughness (RMS) emerged. On the other hand, the results indicate that by applying post annealing the GaSb epilayer crystal quality can be improved in terms of FWHM, TD density,...

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In 2018, China's semiconductor materials market is 8.5 billion US dollars

2019-04-08

As an important part of new materials, semiconductor materials are the top priority of all countries in the world for the development of electronic information industry. It supports the development of localization of electronic information industry and is of great significance to industrial structure upgrading, national economy and national defense construction. In 2018, domestic semiconductor materials, with the joint efforts of all parties, achieved gratifying results in some areas, but the progress in the localization of key materials in the middle and high-end areas was slow, and the breakthroughs were few. The overall situation is not optimistic. China's semiconductor material segmentation progress is not uniform According to WSTS, in 2018, under the guidance of the memory market, the global semiconductor market continued to maintain rapid growth. The annual market size is expected to reach 477.94 billion US dollars, an increase of 15.9%. However, as the problem of the shortage of...

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Tuning the polarity of charge transport in InSb nanowires via heat treatment

2019-04-02

InSb nanowire (NW) arrays were prepared by pulsed electrodeposition combined with a porous template technique. The resulting polycrystalline material has a stoichiometric composition (In:Sb = 1:1) and a high length-to-diameter ratio. Based on a combination of Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) analysis and field-effect measurements, the band gap, the charge carrier polarity, the carrier concentration, the mobility and the effective mass for the InSb NWs was investigated. In this preliminary work, a transition from p-type to n-type charge transport was observed when the InSb NWs were subjected to annealing. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Advantages, challenges and countermeasures of GaN application in RF field

2019-03-25

At present, gallium nitride (GaN) technology is no longer limited to power applications, and its advantages are also infiltrating into all corners of the RF/microwave industry, and the impact on the RF/microwave industry is growing, and should not be underestimated, because it can be used from space, military radar to cellular communications applications. Although GaN is often highly correlated with power amplifiers (PA), it has other use cases. Since its launch, the development of GaN has been remarkable, and with the advent of the 5G era, it may be more interesting. The role of GaN in radar and space Two variants of GaN technology are GaN-on-silicon (GaN-on-Si) and GaN-on-silicon-carbide(GaN-on-SiC). According to Damian McCann, director of engineering at Microsemi's RF/Microwave Discrete Products Division, GaN-on-SiC has contributed a great deal to space and military radar applications. Today, RF engineers are looking for new applications and solutions to take advantage of GaN-on-SiC...

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The generation of crystal defects in Ge-on-insulator (GOI) layers in the Ge-condensation process

2019-03-18

The formation process of crystal defects in a Ge-on-insulator layer(GOI layer)  fabricated by oxidizing a SiGe-on-insulator (SGOI) layer, known as the Ge-condensation technique, is studied systematically. It is found that the crystal defects in the GOI layer are threading dislocations and microtwins that are formed mainly in the Ge fraction range larger than ~0.5. Also, when the Ge fraction reaches ~1 and the GOI layer is formed, the density of microtwins significantly decreases and their width considerably increases. The relaxation of compressive strain, observed in SGOI and GOI layers, is not attributable to the formation of the microtwins, but to the perfect dislocations that cannot be detected as defects in the lattice image. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

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Infrared spectroscopy characterization of 3C–SiC epitaxial layers on silicon

2019-03-12

We have measured the transmission Fourier transform infrared spectra of cubic silicon carbide (3C–SiC polytype) epitaxial layer with a 20 µm thickness on a 200 µm thick silicon substrate. Spectra were recorded in the 400–4000 cm−1 wavenumber range. A novel approach of IR spectra computations based on the recursion capability of the C programming language is presented on the basis of polarized light propagation in layered media using generalized Fresnel's equations. The complex refractive indices are the only input parameters. A remarkable agreement is found between all of the experimental SiC and Si spectral features and the calculated spectra. A comprehensive assignment of (i) the two fundamental transverse optical (TO) (790 cm−1) and longitudinal optical (LO) (970 cm−1) phonon modes of 3C–SiC, (ii) with their overtones (1522–1627 cm−1) and (iii) the two-phonon optical-acoustical summation bands (1311–1409 cm−1) is achieved on the basis of available literature data. This approach allo...

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Chemical mechanical polishing and nanomechanics of semiconductor CdZnTe single crystals

2019-03-05

(1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te and (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te semiconductor wafers grown by the modified vertical Bridgman method with dimensions of 10 mm × 10 mm × 2.5 mm were lapped with a 2–5 µm polygonal Al2O3 powder solution, and then chemically mechanically polished by an acid solution having nanoparticles with a diameter of around 5 nm, corresponding to the surface roughnesses Ra of 2.135 nm, 1.968 nm and 1.856 nm. The hardness and elastic modulus of (1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te and (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te single crystals are 1.21 GPa, 42.5 GPa; 1.02 GPa, 44.0 GPa; and 1.19 GPa, 43.4 GPa, respectively. After nanocutting is performed by the Berkovich nanoindenter, the surface roughness Ra of the (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te single crystal attains a 0.215 nm ultra-smooth surface. The hardness and elastic modulus of three kinds of CdZnTe single crystals decrease with the increase of indentation load. When the nanoindenter departs the surface of the crystals, the adherence effects are obvious fo...

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Study on AlGaN/GaN growth on carbonized Si substrate

2019-02-26

AlGaN/GaN films were grown on carbonized Si(111) substrates, which were employed to prevent impurities such as residual Ga atoms from reacting and deteriorating the surface of Si substrates. The cleaning process for the flow channel in metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) could effectively be eliminated by using this carbonized Si substrate, and high-quality AlGaN/GaN films were obtained. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at angel.ye@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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PAM XIAMEN, Si 웨이퍼에 AlGaN GaN 기반 HEMT의 에피 택셜 성장 제안

2019-02-18

PAM XIAMEN, 에피 택셜 성장 가능 AlGaN / GaN 기반 Si 웨이퍼상의 HEMT 최근 GaN 에피 택셜 웨이퍼의 선두 공급 업체 인 PAM XIAMEN은 "6 인치 실리콘 - 온 - 실리콘 (GaN-on-Si) 에피 택셜 웨이퍼"를 성공적으로 개발했으며 6 인치 크기가 대량 생산되고 있다고 발표했습니다. PAM XIAMEN은 3 세대 반도체에 효과적입니다. 에서 계획을 세우고 발전 기회를 넓은 밴드 갭 화합물 반도체 재료 (즉, 제 3 세대 반도체 소재) 산업에서 PAM XIAMEN은 연구 및 지속적으로 발전하여 PAM XIAMEN은 주로 반도체 재료의 설계, 개발 및 생산, 특히 질화 갈륨 (GaN) 에피 택셜 물질 , 항공 전자 공학 분야의 관련 소재 응용, 5G 통신, 사물과 다른 분야의 인터넷, 회사의 풍성한 발전과 풍요 로움 산업 체인. 이후 창립 초기 PAM XIAMEN은 격자의 기술적 어려움을 극복했습니다. 불일치, 대규모 에피 택셜 응력 제어 및 고전압 GaN 에피 택셜 GaN과 Si 재료 사이의 성장, 8 인치 세계 최고의 수준에 도달 한 실리콘 기반 갈륨 나이트 라이드 에피 웨이퍼 6 인치 크기의 웨이퍼가 대량 생산 중이라면 우리의 일반적인 구조는 다음과 같습니다. 지금 다음과 같이 : 차트 1 : D-MODE 도표 2 : E-MODE 그것 이 타입의 에피 택셜 웨이퍼는 고전압 높은 결정 품질, 높은 균일 성을 유지하면서 650V / 700V의 높은 저항 에피 택셜 재료의 높은 신뢰성을 제공합니다. 그것은 완전히 응용 프로그램을 만날 수 있습니다 업계에서 고전압 전력 전자 장치의 요구 사항. 에 따르면 PAM XIAMEN, 국제 산업의 엄격한 기준을 채택한 경우 PAM XIAMEN이 개발 한 에피 택셜 웨이퍼는 성능면에서 이점이 있습니다. 재료, 기계, 전기, 내전압, 높은 온도 저항 및 수명. 5G 통신 분야에서 클라우드 컴퓨팅, 빠른 충전 소스, 무선 충전 등, 그것은 관련 재료 및 기술의 안전하고 신뢰할 ...

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