/ 웨이퍼 목록
웨이퍼 목록
  • 유리 웨이퍼

    2016-02-03

    유리 웨이퍼 우리는 세계 최고의 유리 웨이퍼 공급 업체 중 하나입니다. 얇은 & 초박막 유리 웨이퍼 및 상이한 재료로 제조 된 기판, 예컨대 보로 플로트 , 용융 실리카 & 석영 , bk7 , 라임 소다 등 멤스 , 광섬유 awg , LCD 패널 과 아이드 기판 신청. 이 웨이퍼는 치수, 평면 및 노치 사양을 포함한 모든 준 표준이며, 맞춤 마크, 구멍, 포켓, 모서리 프로파일, 두께, 평탄도, 표면 품질, 청결 또는 고객에게 중요한 기타 세부 사항을 포함하여 고객의 고유 한 요구 사항에 맞게 설계된 맞춤형 사양을 제공합니다. 의료, 통신, 레이저, 적외선, 전자, 계측기, 군용 및 우주 항공 등의 애플리케이션에 적합합니다. 매개 변수 측정 직경 2 \",  4 \", 6\", 8 \", 10\" 차원의  공차 ± 0.02μm 두께 0.12mm, 0.13mm,  0.2mm, 0.25mm, 0.45mm 두께  공차 ± 10μm 두께  변형 (ttv) \u0026 lt; 0.01mm 평탄 1/10  파 / 인치 표면  조도 (rms) \u003c1.5nm 긁어서 파다 5/2 입자 크기 \u0026 lt; 5㎛ 활 / 날실 \u0026 lt; 10㎛ 그  맞춤 치수, 문의하십시오 유리 웨이퍼 공정 웨이퍼 절단 : 빈 웨이퍼는 두꺼운 시트가 분사되고 블럭이 와이어로 절단 됨으로써 준비됩니다. 지면 : 웨이퍼 에지는 에지 연삭 스테이션에서 원통형으로 접지됩니다. 웨이퍼 래핑 : 웨이퍼는 지정된 두께로 랩핑된다. 웨이퍼 연마 : 웨이퍼를 폴리싱하면 가공에 필요한 미러되고 초 평탄한 표면이됩니다. 웨이퍼 세정 : 여러 개의 세정 라인에서 웨이퍼 표면 또는 기판을 변경하거나 손상시키지 않으면 서 화학 물질 및 입자 불순물을 제거합니다. 웨이퍼 검사 : 클래스 100 클린 룸의 적절한 조명 조건에서 다양한 품질 수준을 검사합니다. 웨이퍼 포장 : 모든 웨이퍼가 단일 웨이퍼 용기에 포장됩니다.

  • 탄화 규소 목록

    2017-12-22

    탄화 규소 목록 4 \"실리콘 카바이드 제품 번호. 유형 오리엔티 ...에 두꺼운 SS 학년 마이크로 파이프 d 진실성 수호 얼굴 쓸 수 있는 지역 \u0026 emsp; n 형 s4h-100-n-sic-350-a 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um 에이 \u0026 lt; 10 / ㎠ p / p \u0026 gt; 90 % s4h-100-n-sic-350-b 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um 비 \u0026 lt; 30 / cm2 p / p \u0026 gt; 85 % s4h-100-n-sic-350-d 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um 디 \u0026 lt; 100 / ㎠ p / p \u0026 gt; 75 % s4h-100-n-sic-370-l 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 370 ± 25um 디 * l / l \u0026 gt; 75 % s4h-100-n-sic-440-ac 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 440 ± 25um 디 * 자르다 \u0026 gt; 75 % s4h-100-n-sic-c0510-ac-d 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm 디 \u0026 lt; 100 / ㎠ 자르다 * s4h-100-n-sic-c1015-ac-c 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm 기음 \u003c50 / ㎠ 자르다 * 3 \"4h 실리콘 카바이드 제품 번호. 유형 Orie 국가 두꺼운 SS 졸업생 이자형 마이크로 파이프 밀도 서핑 이자형 미국 블레이 영역 \u0026 emsp; n 형 s4h-76-n-sic-350-a 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um 에이 \u0026 lt; 10 / ㎠ p / p \u0026 gt; 90 % s4h-76-n-sic-350-b 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um 비 \u0026 lt; 30 / cm2 p / p \u0026 gt; 85 % s4h-76-n-sic-350-d 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um 디 \u0026 lt; 100 / ㎠ p / p \u0026 gt; 75 % s4h-76-n-sic-370-l 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 370 ± 25um 디 * l / l \u0026 gt; 75 % s4h-76-n-sic-410-ac 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 410 ± 25um 디 * 자르다 \u0026 gt; 75 % s4h-76-n-sic-c0510-ac-d 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm 디 \u0026 lt; 100 / ㎠ 자르다 * s4h-76-n-sic-c1015-ac-d 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 10 ~ 15mm 디 \u0026 lt; 100 / ㎠ 자르다 * s4h-76-n-sic-c0510-ac-c 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm 기음 \u003c50 / ㎠ 자르다 * s4h-76-n-sic-c1015-ac-c 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 10 ~ 15mm 기음 \u003c50 / ㎠ 자르다 * \u0026 emsp; 반 절연 s4h-76-si-sic-350-a 3 \"4h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um 에이 \u0026 lt; 10 / ㎠ p / p \u0026 gt; 90 % s4h-76-si-sic-350-b 3 \"4h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um 비 \u0026 lt; 30 / cm2 p / p \u0026 gt; 85 % s4h-76-si-sic-350-d 3 \"4h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um 디 \u0026 lt; 100 / ㎠ p / p \u0026 gt; 75 % 2 \"4h 실리콘 카바이드 제품 번호. 유형 오리엔타 법령 두꺼운 에센스 졸업생 이자형 마이크로 ipe 밀도 서핑을하다 에이스 usabl 지역 \u0026 emsp; n 형 s4h-51-n-sic-330-a 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 330 ± 25um 에이 \u0026 lt; 10 / ㎠ c / p \u0026 gt; 90 % s4h-51-n-sic-330-b 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 330 ± 25um 비 \u0026 lt; 30 / cm2 c / p \u0026 gt; 85 % s4h-51-n-sic-330-d 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 330 ± 25um 디 \u0026 lt; 100 / ㎠ c / p \u0026 gt; 75 % s4h-51-n-sic-370-l 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 370 ± 25um 디 * l / l \u0026 gt; 75 % s4h-51-n-sic-410-ac 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 410 ± 25um 디 * 자르다 \u0026 gt; 75 % s4h-51-n-sic-c0510-ac-d 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm 디 \u0026 lt; 100 / ㎠ 자르다 * s4h-51-n-sic-c1015-ac-d 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 10 ~ 15mm 디 \u0026 lt; 100 / ㎠ 자르다 * s4h-51-n-sic-c0510-ac-c 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm 기음 \u003c50 / ㎠ 자르다 * s4h-51-n-sic-c1015-ac-c 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 10 ~ 15mm 기음 \u003c50 / ㎠ 자르다 * 2 \"6h 실리콘 카바이드 제품 번호. 유형 Orie 국가 두꺼운 에스 그레이 드 마이크로 opipe 밀도 서핑 ce 유다 르 지역 \u0026 emsp; n 형 s6h-51-n-sic-330-a 2 \"6h-n 0 ° / 4 ...

  • 질화물 반도체 웨이퍼

    2017-12-21

    질화물 반도체 웨이퍼 독립형 질화 갈륨 제품 번호. 유형 정위 두께 학년 미세 결함  밀도 표면 사용 가능한 영역 \u0026 emsp; n 형 pam-fs-gan50-n 2 \"n 형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan45-n dia.45mm, n 형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan40-n dia.40mm, n 형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan38-n dia.38mm, n 타입 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan25-n dia.25.4mm, n  유형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan15-n 14mm * 15mm, n  유형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan10-n 10mm * 10.5mm, n  유형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan5-n 5mm * 5.5mm, n  유형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % \u0026 emsp; 반 절연 pam-fs-gan50-si 2 \"n 형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan45-si dia.45mm, n 형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan40-si dia.40mm, n 형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan38-si dia.38mm, n 타입 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan25-si dia.25.4mm, n  유형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan15-si 14mm * 15mm, n  유형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan10-si 10mm * 10.5mm, n  유형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-fs-gan5-si 5mm * 5.5mm, n  유형 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u003c2 / ㎠ p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % 갈륨 질화물 템플릿, aln 템플릿, ingan 템플릿, algan  주형 제품 번호. 유형 정위 두께 학년 탈구  밀도 표면 사용 가능한 영역 pam-76-gan-t-n 템플릿 템플릿, n  유형 0 ° ± 0.5 ° 20/30/40um / \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm2 p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-50-gan-t-n 템플릿 템플릿, n  유형 0 ° ± 0.5 ° 20/30/40um / \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm2 p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-50-gan-t-p GAN 템플릿, P  유형 0 ° ± 0.5 ° 2um / / p / p 또는 p / l \u0026 gt; 91 % pam-50-gan-t-si 갠  템플릿, 반 절연 0 ° ± 0.5 ° 30/90um / \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm2 p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-50-aln-t-si 알의  템플릿, 반 절연 0 ° ± 0.5 ° 1um / / p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-50-ingan-t-si 잉태 템플리트 0 ° ± 0.5 ° 100-200nm / 10 ^ 8 / cm2 p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % pam-50-algan-t-si 알간 템플릿 0 ° ± 0.5 ° 1-5um / * p / p 또는 p / l \u0026 gt; 90 % 갈륨 질화물 에피 웨이퍼 (LED 웨이퍼) 제품 번호. 유형 정위 두께 학년 파장 표면 사용 가능한 영역 \u0026 emsp; n 형 pam-50-gan-epi- blue-f / 0 ° ± 0.5 ° 436um / 445-475nm p / l \u0026 gt; 90 % pam-50-gan-epi-blue-pss / 0 ° ± 0.5 ° 436um / 445-475nm p / l \u0026 gt; 90 % pam-50-gan-epi-green-f / 0 ° ± 0.5 ° 436um / 510-530nm p / l \u0026 gt; 90 % pam-50-gan-epi-green-pss / 0 ° ± 0.5 ° 436um / 510-530nm p / l \u0026 gt; 90 % 갈륨 질화물 uv led 제품 번호. 병아리 출력 파워 순방향 전압 학년 파장 deg. ...

  • 갈륨 반도체 웨이퍼

    2017-12-22

    갈륨 반도체 웨이퍼 가우스 웨이퍼 기판 - 갈륨 비소www.semiconductorwafers.netwww.semiconductorwafers.net 수량 자료 정위. 직경 두께 광택 비저항 타입 도펀트 노스 캐롤라이나 유동성 epd 개 (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2 1-100 가아 ( 100 ) 25.4 4000 ± 50 DSP \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 1e5 1-100 가아 ( 100 ) 50.7 350-370 ssp \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 해당 없음 \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 10000 1-100 가아 (100)쪽으로 2 ° ± 0.50 off (011) 50.7 350 ± 10 ssp (0.8-9) e -삼 n / si (e17) 2000-3000 \u003c5000 1-100 가아 (100)쪽으로 6 ° ± 0.50 off (011) 50.7 350 ± 20 ssp (0.8-9) × 10 -삼 n / si (0.2-4) e18 1000 명 이상 ≤5000 1-100 가아 ( 100 ) 50.8 350 ssp 해당 없음 p / zn (1-5) e19 해당 없음 \u003c5000 1-100 가아 ( 100 ) 50.8 5000 ± 50 ssp \u0026 gt; 1e8 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 ( 100 ) 50.8 4000 ± 50 ssp \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 ( 100 ) 50.8 8000 ± 10 자르다 \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 ( 100 ) 50.8 8000 ± 10 DSP \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 (100) 2 ° 50.8 3000 ssp \u0026 gt; 1e7 n / si 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 ( 100 ) 50.8 350 ± 25 ssp \u0026 gt; 1e7 해당 없음 (1-5) e19 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 ( 100 ) 50.8 350 ± 25 ssp 해당 없음 해당 없음 (0.4 - 3.5) e18 1400 ≤100 1-100 가아 (100) 0 ° 또는 2 ° 76.2 130 ± 20 DSP 해당 없음 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 10000 1-100 가아 (100) 2 ° ± 0.50 76.2 350 ± 25 ssp 해당 없음 n / si (0.4-2.5) e18 해당 없음 ≤5000 1-100 가아 ( 100 ) 76.2 350 ± 25 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 ( 100 ) 76.2 350 ± 25 ssp \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 ≤8e4 또는 1e4 1-100 가아 ( 100 ) 76.2 625 ± 25 DSP \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 해당 없음 ≥4500 ≤8e4 또는 1e4 1-100 가아 (100)을 향하여 2 ° ± 0.10 오프 (110) 76.2 500 ssp \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 (100) 2 ° 100 625 DSP \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 (100) 2 ° 100 625 ± 25 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 (100)쪽으로 2 ° ± 0.50 off (011) 100 350 ± 25 ssp 해당 없음 n / si (0.4 - 3.5) e18 해당 없음 ≤5000 1-100 가아 (100)을 향하여 2 ° ± 0.10 오프 (110) 100 625 ± 25 DSP (1-4) e18 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 (100)쪽으로 2 ° ± 0.50 off (011) 100 625 ± 25 DSP (1.0-4.0) 1e8 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 (100)쪽으로 2 ° ± 0.50 off (011) 100 625 ± 25 DSP (1-4) e8 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 (100)쪽으로 2 ° ± 0.50 off (011) 100 350 ± 25 ssp 해당 없음 n / si (0.4 - 4) e18 해당 없음 ≤5000 1-100 가아 (100) 방향으로 15 ° ± 0.50 (011) 100 350 ± 25 ssp 해당 없음 n / si (0.4 - 4) e18 해당 없음 ≤5000 1-100 가아 (100) 2 ° ± 0.50 100 350 ± 25 DSP 해당 없음 n / si (0.4 - 4) e18 해당 없음 ≤5000 1-100 가아 (100) 2 ° ± 0.50 100 625 ± 25 ssp (1-4) e18 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 (100) 2 ° ± 0.50 150 675 ± 25 DSP \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 (100) 0 ° ± 3.0 ° 150 675 ± 25 DSP 1.0 × 107 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 가아 ( 310 ) 50.8 / 76.2 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 가우스 웨이퍼 공급 업체로서, 귀하가 참고할 수 있도록 가우스 반도체 목록을 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요하면 영업 팀에 문의하십시오. 노트: *** 제조 업체로서, 우리는 또한 연구원 또는 파운드리에 대한 작은 수량을 동의합니다. *** 배송 시간 : 재고가있는 경우 재고에 따라 곧 배송 될 수 있습니다. *** mbe 및 mocvd를 통해 gaas 에피 택시 서비스를 제공합니다. 영업팀에 문의하십시오. 개스 웨이퍼 기판 ...

  • GE 웨이퍼 공급 업체

    2017-12-21

    GE 웨이퍼 공급 업체 Ge 웨이퍼 기판 - 게르마늄 수량 자료 정위. 직경 두꺼운 SS 광택 비저항 유형 도펀트 pri 나를 에프 위도 epd ra 개 (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; 방향 엔 / cm2 \u0026 emsp; 1-100 GE ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 0.0138-0.02 피 /가 -110 ≤ 5000 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 50.8 500 ssp ≥ 30 n / undoped 해당 없음 해당 없음 \u003c5a 1-100 GE ( 100 ) 50.8 500 ssp 58.4-63.4 n / undoped 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 50.8 500 ssp 0.1-1 피 /가 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 50.8 500 ssp 0.1 ~ 0.05 피 /가 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 50.8 1000 DSP \u0026 gt; 30 해당 없음 -110 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 50.8 2000 년 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 50.8 4000 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE (111) / (110) 50.8 200000 해당 없음 5-20 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 50.8 400 ssp \u003c0.4 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE (100) / (111) 50.8 4000 ± 10 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 50.8 350 ssp 1-10 피 /가 -110 ≤ 5000 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 2-10 피 /가 -110 ≤ 5000 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 0.3-3 n / sb -110 ≤ 5000 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 0.3-3 피 /가 -110 ≤ 5000 해당 없음 1-100 GE ( 111 ) 60 1000 자르다 \u0026 gt; 30 해당 없음 -110 \u0026 lt; 3000 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 해당 없음 ssp \u0026 lt; 0.019 피 /가 -110 \u0026 lt; 500 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 1000 ± 25 ssp ≥ 30 n / undoped 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE (100) 오프 6 ° 또는 오프 9 ° 100 500 ssp 0.01-0.05 피 /가 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 500 ssp 0.01-0.05 피 /가 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 500 DSP 0.01-0.05 피 /가 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 500 ssp \u0026 lt; 0.01 피 /가 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 500 DSP \u0026 lt; 0.01 피 /가 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 500 ssp ≥ 35 세 피 /가 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 500 DSP ≥ 35 세 피 /가 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 500 ssp 0.1 ~ 0.05 피 /가 해당 없음 해당 없음 \u003c5a 1-100 GE ( 100 ) 100 500 DSP 0.1 ~ 0.05 피 /가 해당 없음 해당 없음 \u003c5a 1-100 GE (100) 6 ° 오프 (111) 100 185 ± 15 DSP 0.01-0.05 해당 없음 -110 ≤5000 \u003c5a 1-100 GE (100) 6 ° 꺼짐 (110) 100 525 ± 25 ssp 0.01-0.04 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 1000 ± 15 ssp ≥ 30 해당 없음 -110 ≤ 5000 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 750 ± 25 ssp ≥ 30 해당 없음 -110 ≤ 5000 해당 없음 1-100 GE ( 100 ) 100 500 ± 25 ssp 10-30 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE (100) / (111) 100 160 DSP 0.05-0.1 피 /가 해당 없음 \u0026 lt; 500 해당 없음 1-100 GE (100) / (111) 100 160 DSP 0.05-0.1 피 /가 해당 없음 \u0026 lt; 4000 해당 없음 1-100 GE (100) / (111) 100 160 DSP 0.05-0.1 n / sb 해당 없음 \u0026 lt; 500 해당 없음 1-100 GE (100) / (111) 100 160 DSP 0.05-0.1 n / sb 해당 없음 \u0026 lt; 4000 해당 없음 1-100 GE (100) / (111) 100 190 DSP 0.05-0.1 피 /가 해당 없음 \u0026 lt; 500 해당 없음 1-100 GE (100) / (111) 100 190 DSP 0.05-0.1 피 /가 해당 없음 \u0026 lt; 4000 해당 없음 1-100 GE ( 111 ) 100 500 ± 25 ssp \u003c0.4 n / sb 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 GE (100) (111) a 방향으로 6 ° 오프 커팅 100 175 ± 25 ssp 0.003-0.009 피 /가 (0-1-1) (0-11) \u0026 lt; 100 해당 없음 1-100 GE (310)...

  • 인듐 반도체 웨이퍼

    2017-12-21

    인듐 반도체 웨이퍼 inas 웨이퍼 기판 - 인듐 아세 나이드 수량 재료 알 오리 entation. 직경 두꺼운 에스 광택 비저항 유형 도펀트 노스 캐롤라이나 폭도 ility epd 개 (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2 1-100 inas ( 110 ) 40 500 ssp 엔 /에이 피 (1-9) e17 해당 없음 해당 없음 1-100 inas ( 100 ) 50.8 450 ssp 해당 없음 피 1e17 / cc 해당 없음 \u0026 lt; 20000 1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 ssp 해당 없음 n / s 5e18-2e19 \u0026 gt; 6,000 \u0026 lt; 1e4 1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 DSP 해당 없음 n / s 5e18-2e19 \u0026 gt; 6,000 \u0026 lt; 1e4 1-100 inas (111) b 50.8 해당 없음 ssp 해당 없음 n / s (1-3) e18 해당 없음 해당 없음 1-100 inas ( 100 ) 50.8 해당 없음 ssp 해당 없음 n / te 1e16 / cc 해당 없음 해당 없음 1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 DSP 해당 없음 피 (1-9) e18 / cc 해당 없음 해당 없음 1-100 inas ( 100 ) 3x3x5 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 3e16 / cc 해당 없음 해당 없음 Inas 웨이퍼 공급 업체로서, 우리는 귀하의 참조를 위해 웨이퍼 목록을 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요하면 영업 팀에 문의하십시오. 노트: *** 제조 업체로서, 우리는 또한 연구원 또는 파운드리에 대한 작은 수량을 동의합니다. *** 배달 시간 : 재고가있는 경우 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다. inp 웨이퍼 기판 - 인화 인듐 수량 물질 엘 정위. 직경 에테르 두꺼운 에센스 광택 비저항 유형 도펀트 노스 캐롤라이나 mobi 불결 epd 개 (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2 1-100 inp ( 111 ) 25.4 300 자 해당 없음 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 3e16 \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 3e4 1-100 inp ( 100 ) 50.8 400 ± 10 ssp 없음 엔/ (5-50) e15 없음 \u0026 lt; 20000 1-100 inp ( 111 ) 50.8 400 ± 10 ssp 없음 p / zn ~ 1e19 없음 \u0026 lt; 20000 1-100 inp ( 100 ) 50.8 400 ssp 없음 엔/ ~ 5e17 없음 없음 1-100 inp (111) a 50.8 해당 없음 해당 없음 해당 없음 p / zn ~ 5e18 없음 없음 1-100 inp (111) ± 0.5 ° 50.8 350 ssp \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 (1-10) e7 \u0026 gt; 2000 \u0026 lt; 3e4 1-100 inp (100) / (111) 50.8 350-400 ssp 없음 엔 (1-3) e18 없음 없음 1-100 inp ( 111 ) 50.8 500 ± 25 ssp 없음 도망자가없는 없음 없음 없음 1-100 inp (111) a 50.8 500 ssp \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 inp (111) a 50.8 500 ± 25 ssp 없음 도망자가없는 없음 없음 없음 1-100 inp (111) b 50.8 500 ± 25 ssp 없음 도망자가없는 없음 없음 없음 1-100 inp ( 110 ) 50.8 400 ± 25 ssp 해당 없음 p / zn n / s 없음 없음 없음 1-100 inp ( 110 ) 50.8 400 ± 25 DSP 해당 없음 p / zn n / s 없음 없음 없음 1-100 inp (110) ± 0.5 50.8 400 ± 25 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 inp (100) ± 0.5 50.8 350 ± 25 ssp 해당 없음 p / zn 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 inp 해당 없음 50.8 500 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 inp (111) b 50.8 400 ± 25 해당 없음 \u0026 gt; 1e4 n / te 없음 없음 없음 1-100 inp (211) b 50.8 400 ± 25 해당 없음 \u0026 gt; 1e4 n / te 없음 없음 없음 1-100 inp (311) b 50.8 400 ± 25 해당 없음 \u0026 gt; 1e4 n / te 없음 없음 없음 1-100 inp ( 111 ) 50.8 해당 없음 ssp 해당 없음 엔 (1-9) e18 없음 없음 1-100 inp 해당 없음 50.8 4000 ± 300 해당 없음 해당 없음 해당 없음 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 1-100 inp ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 해당 없음 n / s (1-9) e18 해당 없음 해당 없음 1-100 inp ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 해당 없음 n / s ~ 3e17 해당 없음 해당 없음 1-100 inp (100) / (111) 76.2 600 ssp 없음 엔 (1-3) e18 없음 없음 1-100 inp (100) ± 0.5 76.2 600 ± 25 ssp 없음 도망자가없는 \u0026 lt; 3e16 \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 3e4 1-100 inp ( 100 ) 76.2 400-600 DSP 없음 undoped / fe 없음 없음 없음 1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 ssp 없음 해당 없음 n / s 해당 없음 해당 없음 1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 ssp 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 inp ( 100 ) 76.2 675 ± 25 DSP 없음 해당 없음 (3-6) e18 해당 없음 ...

  • czt 반도체 웨이퍼

    2017-12-21

    czt 반도체 웨이퍼 cdz 기판 기판 - 카드뮴 아연 텔루 라이드 정량 와이 자료 정위. 크기 두꺼운 에센스 광택 비저항 유형 도펀트 fwhm 개 (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; \u0026 emsp; 1-100 cdznte 해당 없음 10x10 1000 DSP \u0026 gt; 1e10 엔 @ 59.5kev \u0026 lt; 7 % 1-100 cdznte 해당 없음 10x10 2000 년 DSP \u0026 gt; 1e10 엔 @ 59.5kev \u0026 lt; 7 % 1-100 cdznte -111 10x10 500 ssp 해당 없음 피 해당 없음 1-100 cdznte (211) b 10x10 800 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 cdznte 해당 없음 10x10 500 래핑 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 cdznte 해당 없음 10x10 500 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 cdznte 해당 없음 20x20 800 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 cdznte 해당 없음 20x20 5000 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 cdznte 해당 없음 20x20 2000 년 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 cdznte 해당 없음 20x20 3000 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음 1-100 cdznte 해당 없음 3x3 2000 년 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음 czt 반도체 웨이퍼 공급 업체로서, 우리는 czt 반도체 웨이퍼 목록을 참조 용으로 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요하면 영업 팀에 문의하십시오. 노트: *** 제조 업체로서, 우리는 또한 연구원 또는 파운드리에 대한 작은 수량을 동의합니다. *** 배달 시간 : 재고가있는 경우 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다.

  • 다른 웨이퍼 -1

    2017-12-22

    다른 웨이퍼들 mgo 웨이퍼 수량 자료 정위. 크기 두께 광택 비저항 타입 도펀트 평평한 프라임 epd ra 개 (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; 정위 / cm2 nm 1-100 mgo (100) 50.8 500 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 0.5 1-100 mgo (111) 10x10 500 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 0.5 1-100 mgo (111) 10x10 1000 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 0.5 1-100 mgo (100) 10x10 1000 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 0.5 1-100 mgo (100) 10x10 500 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 0.5 1-100 mgo (100) 10x10 500 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 0.5 mgo 반도체 웨이퍼 공급 업체로서, 우리는 귀하의 참조를 위해 mgo 반도체 웨이퍼 목록을 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요하면 영업 팀에 문의하십시오. 노트: *** 제조 업체로서, 우리는 또한 연구원 또는 파운드리에 대한 작은 수량을 동의합니다. *** 배달 시간 : 재고가있는 경우 재고가있는 경우 곧 배송 될 수 있습니다. 웨이퍼 정지 수량 자료 정위. 크기 두께 광택 비저항 타입 도펀트 평평한 프라임 epd ra 개 (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; 정위 / cm2 nm 1-100 스토어 (100) 10x10 500 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 0.5 1-100 스토어 (110) 10x10 500 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 0.5 1-100 스토어 (111) 10x10 500 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 0.5 sto 웨이퍼 공급 업체로서, 우리는 귀하의 참조를 위해 sto 웨이퍼 목록을 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요하면 영업 팀에 문의하십시오. 노트: *** 제조 업체로서, 우리는 또한 연구원 또는 파운드리에 대한 작은 수량을 동의합니다. *** 배달 시간 : 재고가있는 경우 재고가있는 경우 곧 배송 할 수 있습니다.

먼저 1 2 >> 마지막
[  총  2  페이지들]

문의하기

우리 제품에 대한 견적이나 더 많은 정보를 원하신다면, 우리에게 메시지를 남겨 주시고되도록 빨리 회신 해주십시오.