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부유 단결정 실리콘

fz- 실리콘

부유 물질 함량이 낮고 결함 밀도가 낮으며 완벽한 결정 구조를 갖는 단결정 실리콘이 부유 - 구역 공정으로 생산된다. 결정 성장 중에 어떠한 이물질도 도입되지 않는다. fz 실리콘 전도도는 일반적으로 1000 Ω-cm 이상이며, fz- 실리콘은 주로 고 역 전압 소자 및 광전자 소자를 생산하는 데 사용됩니다.

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제품 세부 정보

부유 단결정 실리콘

fz- 실리콘

부유 물질 함량이 낮고 결함 밀도가 낮으며 완벽한 결정 구조를 갖는 단결정 실리콘이 부유 - 구역 공정으로 생산된다. 결정 성장 중에 어떠한 이물질도 도입되지 않는다. 그만큼 fz- 실리콘 전도도는 일반적으로 1000 Ω-cm 이상이며, fz- 실리콘은 주로 고 역 전압 소자 및 광전자 소자를 생산하는 데 사용됩니다.

ntdfz- 실리콘

고 저항성 및 균일 성을 갖는 단결정 실리콘은 중성자 조사에 의해 달성 될 수있다. fz- 실리콘 (sr), 실리콘 제어 (scr), 거대한 트랜지스터 (gtr), 게이트 턴 오프 사이리스터 (gto), 정적 유도 사이리스터 sith), 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (igbt), 여분의 hv 다이오드 (핀), 스마트 전력 및 전력 IC 등. 다양한 주파수 변환기, 정류기, 대형 전력 제어 요소, 새로운 전력 전자 장치, 검출기, 센서, 광전자 장치 및 특수 전력 장치의 주요 기능 재료입니다.

gdfz- 실리콘

이물질 확산 메커니즘을 이용하여, 단결정 실리콘의 부유 - 구역 공정 중에 기상 이물질을 첨가하고, 부유 - 구역 공정의 도핑 문제를 뿌리로부터 해결하고, gdfz- 실리콘 n 형 또는 p 형인 저항률은 0.001-300 Ω.cm이며 저항률 균일 성이 좋고 중성자 조사가 가능하다. 각종 반도체 소자, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (igbt) 및 고효율 태양 전지 등의 제조에 적용 가능합니다.

cfz-silicon

단결정 실리콘은 초크 랄 스키 (czochralski)와 플로트 존 (float-zone) 공정의 조합으로 생산되며 cz 단결정 실리콘과 fz 단결정 실리콘 사이의 품질을가집니다. ga, ge 및 기타와 같은 특수 원소가 도핑 될 수 있습니다. 신세대 cfz 실리콘 태양열 웨이퍼는 각 성능 지수에서 글로벌 pv 업계의 다양한 실리콘 웨이퍼보다 우수합니다. 태양 전지 패널의 변환 효율은 최대 24-26 %입니다. 제품은 주로 특수 구조, 다시 접촉, 히트 및 기타 특수 프로세스와 고효율 태양 전지에 적용되며, LED, 전력 소자, 자동차, 위성 및 기타 다양한 제품 및 분야에서 널리 사용됩니다.

한 눈에 우리의 장점

1. 고급 에피 택시 성장 장비 및 테스트 장비.

2. 결함 밀도가 낮고 표면 거칠기가 우수한 고품질을 제공합니다.

3. 고객을위한 강력한 연구 팀 지원 및 기술 지원

fz 단결정 실리콘 사양

유형	전도 유형	정위	직경 (mm)	전도도 (Ω · cm)
높은 저항	n & p	u0026 lt; 100 & u0026 lt; 111 u0026 gt;	76.2-200	u0026 gt; 1000
국방부	엔	u0026 lt; 100 & u0026 lt; 111 u0026 gt;	76.2-200	30-800
cfz	n & p	u0026 lt; 100 & u0026 lt; 111 u0026 gt;	76.2-200	1-50
gd	n & p	u0026 lt; 100 & u0026 lt; 111 u0026 gt;	76.2-200	0.001-300

웨이퍼 사양

주괴 파라미터	목	기술
	자라는 방법	fz
	정위	u0026 lt; 111 u0026 gt;
	오프 - 오리엔테이션	4 ± 0.5도까지 가장 가까운 u0026 lt; 110 u0026 gt;
	타입 / 도펀트	p / 붕소
	비저항	10-20 w.cm
	rrv	≤15 % (최대 에지 센) / 센

웨이퍼 파라미터	목	기술
	직경	150 ± 0.5 mm
	두께	675 ± 15 음
	1 차 평면 길이	57.5 ± 2.5 mm
	1 차 평면 정위	u0026 lt; 011 u0026 gt; 1 정도
	보조 평면 길이	없음
	보조 평면 정위	없음
	텔레비젼	≤5 음
	활	≤40 음
	경사	≤40 음
	에지 프로파일	준 표준
	전면	화학적 인 세련
	lpd	0.3 um @ ≤15 개
	뒷면	산 에칭
	가장자리 칩	없음
	꾸러미	진공 포장; 내부 플라스틱, 외부 알루미늄

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