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실리콘 카바이드 기반의 디바이스는 물리적 및 전기적 특성으로 인해 si 및 gaas 기반 디바이스에 비해 단파 광전자, 고온, 방사 저항 및 고출력 / 고주파 전자 디바이스에 적합하다.

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실리콘 카바이드 기반의 디바이스는 물리적 및 전기적 특성으로 인해 si 및 gaas 기반 디바이스에 비해 단파 광전자, 고온, 방사 저항 및 고출력 / 고주파 전자 디바이스에 적합하다.

III-V 질화물 증착

gan, alxga1-xn 및 inyga1-yn 에피 텍시 층을 포함 할 수있다.

사파이어 템플릿에 pam-xiamen gallium nitride epitaxy를 사용하려면 다음을 검토하십시오.

http://www.powerwaywafer.com/gan-templates.html

청색 발광 다이오드 및 거의 태양열 차단 UV 포토 디텍터의 제조에 사용되는 템플릿상의 질화 갈륨 에피 택시

광전자 장치

sic 기반 장치는 다음과 같습니다.

Ⅲ- 질화물 에피 택 셜층에 대한 낮은 격자 불일치

높은 열전도율

연소 공정 모니터링

모든 종류의 자외선 감지

재료 특성으로 인해 실리콘 기반 전자 장치 및 장치는 고온, 고전력 및 고 방사 조건에서 작동 할 수있는 매우 적대적인 환경에서 작동 할 수 있습니다

고전력 소자

sic의 속성으로 인해 :

넓은 에너지 밴드 갭 (4h-sic : 3.26ev, 6h-sic : 3.03ev)

높은 전기 항복 장 (4h-sic : 2-4 * 108v / m, 6h-sic : 2-4 * 108v / m)

높은 포화 드리프트 속도 (4h-sic : 2.0 * 105m / s, 6h-sic : 2.0 * 105m / s)

높은 열전도율 (4h-sic : 490w / mk, 6h-sic : 490w / mk)

전력 트랜 지스터 및 고전력 마이크로 웨이브 장치와 같은 고전압, 고전력 장치의 제조에 사용됩니다. 기존의 si- 장치와 비교해 볼 때 sic 기반 전력 장치는 다음과 같은 이점을 제공합니다.

빠른 스위칭 속도

높은 전압

낮은 기생 저항

더 작은 크기

고온 성능으로 인한 냉각 필요성 감소

sic은 ga 또는 si보다 더 높은 열전도율을 가지며, 이는 sic 장치가 이론적으로 GA 나 Si보다 높은 전력 밀도에서 작동 할 수 있음을 의미합니다. 높은 열 전도성이 넓은 밴드 갭 및 높은 임계 전계와 결합되면 고전력이 핵심 바람직한 소자 특성 일 때 반도체 반도체를 유리하게 만든다.

현재 실리콘 카바이드 (sic)는 고출력 mmic

응용 프로그램. sic은 또한 에피 택셜

더 높은 전력 mmic 장치를위한 gan의 성장

고온 장치

높은 열 전도성으로 인해 sic은 다른 반도체 재료보다 도체 열을 빠르게 발생시킵니다.

매우 높은 전력 수준에서 작동하고 여전히 많은 양의 과도한 열을 발산하는 장치를 가능하게합니다

고주파 전력 장치

sic 기반 마이크로 웨이브 전자 장치는 무선 통신 및 레이더에 사용됩니다.


SiC 기판의 세부 적용을 위해 실리콘 카바이드의 세부 적용을 읽을 수 있습니다.

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