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pam-xiamen은 다음과 같은 sic reclaim 웨이퍼 서비스를 제공 할 수 있습니다.

  • 제품 세부 정보

웨이퍼 & 가공


pam-xiamen은 다음을 제공 할 수 있습니다. 웨이퍼 리 클레임 웨이퍼 서비스.

sic reclaim wafer :

pam-xiamen은 소유권을 통해 프로세스를 개작하여 웨이퍼 리 클레임 웨이퍼 rf, power device 제조업체가 epi, epi gan 또는 디바이스 레이어를 제거하고 epi ready 상태가 될 때까지 표면을 연마하여 비용을 절감 할 수 있습니다. 고객 요구에 따라 보증 표면 거칠기가 0.3nm 미만. 웨이퍼는 cmp 단위로 겹쳐 지거나 에칭되어 패턴, 스크래치 및 기타 결함을 제거합니다. 그 결과 연마 및 세척이 가능한 청정하고 고품질의 웨이퍼가 완성됩니다. 회수 프로세스가 끝나면 완성 된 웨이퍼가 고객 표준 및 사양을 완벽하게 준수하는지 확인하기 위해 패키징하기 전에 최종 품질 검사를 수행합니다. 회수 된 웨이퍼를 컨테이너에 담습니다. 용기는 이중으로 포장되고 표시가되어 있습니다. 마지막 단계로서 필요에 따라 제품 품질을 검증하기 위해 적합성 인증서 및 / 또는 분석 인증서를 제공합니다.


아래는 cmp 다음의 afm 이미지입니다.

표면 처리 : pam-xiamen은 새로운 탄화 규소에 깨끗한 저 금속 오염을 제공 할 수있는 탄화 규소 웨이퍼 세정에 대한 오랜 경험을 바탕으로 개발했습니다.

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sic 에피 택시

우리는 탄화 규소 디바이스의 개발을 위해 6h 또는 4h 기판에 주문형 박막 (실리콘 카바이드) sic 에피 택시를 제공합니다. sic 에피 웨이퍼는 주로 쇼트 키 다이오드, 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터, 접합 전계 효과 트랜지스터, 바이폴라 접합 트랜지스터, 사이리스터, gto 및 절연 게이트 바이폴라에 사용됩니다.12

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pam-xiamen은 반도체 실리콘 카바이드 웨이퍼, 연구원을위한 다양한 품질의 등급으로 6 시간 및 4 시간을 제공합니다. 및 산업 제조업체. 우리는 sic 결정 성장 기술 및 sic 결정 웨이퍼 가공 기술을 개발했다, gan 에피 택시 디바이스, 파워 디바이스, 고온 장치 및 광전자 장치. 고급 분야의 선두 제조 업체가 투자 한 전문 회사로서 첨단 소재 연구 및 주정부 기관과 중국의 반도체 연구소와의 협력을 통해 우리는 지속적으로 현재 기판의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발할 수 있습니다.12

웨이퍼

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실리콘 카바이드 기반의 디바이스는 물리적 및 전기적 특성으로 인해 si 및 gaas 기반 디바이스에 비해 단파 광전자, 고온, 방사 저항 및 고출력 / 고주파 전자 디바이스에 적합하다.

실리콘 웨이퍼

연마 된 웨이퍼

실리콘 정류기 (sr), 실리콘 제어 정류기 (scr), 거대 트랜지스터 (gtr), 사이리스터 (gro)

실리콘 웨이퍼

cz 단결정 실리콘

CZ- 실리콘 과도하게 / 가볍게 도핑 된 cz 단결정 실리콘은 다양한 집적 회로 (IC), 다이오드, 3 극, 그린 에너지 태양 전지판을 제조하는데 적합하다. 특수 요소 (예 : ga, ge)를 추가하여 특수 구성 요소에 대해 고효율, 내 방사선 및 반대로 퇴화하는 태양 전지 재료를 생산할 수 있습니다.12

실리콘 웨이퍼

에칭 웨이퍼

에칭 처리 용 웨이퍼는 조도가 낮고 광택이 좋고 비용이 저렴하다는 특성을 가지며, 비용이 많이 드는 폴리싱 된 웨이퍼 또는 에피 택셜 웨이퍼를 직접적으로 대체하여 일부 분야에서 전자 소자를 제조하여 비용을 절감한다. 저 러프 니스, 저 반사율 및 고 반사율 에칭 웨이퍼가있다.12

insb 기판

웨이퍼 인서트

xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100)으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 갖는 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 인 비움 웨이퍼 - 인듐 안티몬화물을 제공합니다.

웨이퍼

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실리콘 카바이드 기반의 디바이스는 물리적 및 전기적 특성으로 인해 si 및 gaas 기반 디바이스에 비해 단파 광전자, 고온, 방사 저항 및 고출력 / 고주파 전자 디바이스에 적합하다.

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