최근 뉴스

웨이퍼 인서트

xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100)으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 갖는 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 인 비움 웨이퍼 - 인듐 안티몬화물을 제공합니다.

지금 연락하세요

제품 세부 정보

xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100)으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 갖는 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 인 비움 웨이퍼 - 인듐 안티몬화물을 제공합니다.

인듐 안티 모니 드 (insb)는 인듐 (in) 및 안티몬 (sb) 원소로 만들어진 결정 성 화합물입니다. 열 화상 카메라, flir 시스템, 적외선 원정 미사일 유도 시스템, 적외선 천문학 등 적외선 탐지기에 사용되는 iii-v 그룹의 좁은 간격의 반도체 소재입니다. 인듐 안티몬화물 검출기는 1-5 μm 파장 사이에 민감합니다. 인듐 안티 모나 이드는 이전의 단일 탐지기 기계적으로 스캔 된 열 이미징 시스템에서 매우 일반적인 탐지기였습니다. 다른 응용 분야는 테라 헤르츠 (terahertz) 방사선 소스로서 강한 포토 - 덴버 이미 터 (emitter)이다.

웨이퍼 사양
목	명세서
웨이퍼 지름	2 "50.5 ± 0.5mm 3 "76.2 ± 0.4mm 4 "1000.0 ± 0.5mm
결정 방위	2 "(111) aorb ± 0.1 ° 3 "(111) aorb ± 0.1 ° 4 "(111) aorb ± 0.1 °
두께	2 "625 ± 25um 3 "800or900 ± 25um 4 "1000 ± 25um
1 차 평면 길이	2 "16 ± 2mm 3 "22 ± 2mm 4 "32.5 ± 2.5mm
보조 평면 길이	2 "8 ± 1mm 3 "11 ± 1mm 4 "18 ± 1mm
표면 마무리	p / e, p / p
꾸러미	에피 준비, 단일 웨이퍼 컨테이너 또는 cf 카세트

전기 및 도핑 사양
전도 유형	n 형	n 형	n 형	n 형	P 형
도펀트	도망자가없는	텔루르	낮은 텔 루륨	높은 텔루르	유전체
e.d.p cm^-2	2 "3"4 " ≤ 50 개				2 " ≤ 100
이동성 cm² v^-1 에스^-1	≥ 4 * 105	≥ 2.5 * 10⁴	≥ 2.5 * 105	명시되지 않은	8000-4000
캐리어 농도 cm^-삼	5 * 10¹³ -3 * 10¹⁴	( 1-7 ) * 10¹⁷	4 * 10¹⁴ -2 * 10^{15 명}	≥ 1 * 10¹⁸	5 * 10¹⁴ -3 * 10^{15 명}

인기 태그 : 웨이퍼 인서트 insb 기판 인듐 안티몬화물 웨이퍼 인듐 안티 모나 이드 기판 인듐 안티 모나 이드 특성 웨이퍼 가격을 insb

너무 이른:inas 웨이퍼
다음 것 :
inp 웨이퍼

문의하기

우리 제품에 대한 견적이나 더 많은 정보를 원하신다면, 우리에게 메시지를 남겨 주시고되도록 빨리 회신 해주십시오.

관련 상품

inp 웨이퍼

xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 반 절연성이 다른 (111) 또는 ((111) 또는 (111)으로) lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키) 또는 vgf 100).

inas 웨이퍼

xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 유형, p 유형 또는 반 절연 (111) 또는 (100)으로 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 웨이퍼 - 인듐 비소화물을 제공합니다.

갭 웨이퍼

아모이 파워 웨이는 갭 웨이퍼 - 갈륨 포스 파이드를 제공하며 이는 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)를 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 상이한 배향 (111) 또는 (100)에서 반 절연성을 갖는다.

가스 웨이퍼

xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100) 방향으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 지닌 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 gasb 웨이퍼 - 갈륨 안티 모나 이드를 제공합니다.

응용 프로그램

실리콘 카바이드 기반의 디바이스는 물리적 및 전기적 특성으로 인해 si 및 gaas 기반 디바이스에 비해 단파 광전자, 고온, 방사 저항 및 고출력 / 고주파 전자 디바이스에 적합하다.

에피 택셜 실리콘 웨이퍼

실리콘 에피 택셜 웨이퍼 (에피 웨이퍼)는 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 증착 된 단결정 실리콘 층입니다 (참고 : 고도로 도핑 된 단일 결정 실리콘 웨이퍼 위에 다결정 실리콘 층을 성장시킬 수 있지만, 벌크 Si 기판과 상부 에피 택 셜층 사이에 버퍼층 (예, 산화물 또는 폴리 -Si)12

inp 웨이퍼

가 스 (갈륨 비소) 웨이퍼

pwam은 화합물 반도체 기판 인 갈륨 아세 나이드 결정체와 웨이퍼를 개발 및 제조합니다. 우리는 첨단 결정 성장 기술, 수직 구배 동결 (vgf) 및 가우스 웨이퍼 처리 기술을 사용하고 있으며, 결정 성장, 절단, 연삭에서 연마 가공 및 웨이퍼 청소 및 포장을위한 100 가지 클린 룸. 우리의 gaas 웨이퍼는 led, ld 및 microelectronics 응용 분야에 2 ~ 6 인치 주괴 / 웨이퍼를 포함합니다. 우리는 항상 현재 하위 상태의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발하기 위해 노력하고 있습니다.12

너 뭐 찾고 있니??