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가 에다 에피 웨이퍼

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가 에다 에피 웨이퍼

가 에다 에피 웨이퍼


우리는 mbe 또는 mocvd에 의해 성장되는 ga, al, in, as 및 p를 기반으로하는 다양한 유형의 epi 웨이퍼 iii-v 실리콘 도핑 n 형 반도체 물질을 제조하고 있습니다. 우리는 고객 사양을 충족하는 사용자 지정 구조를 제공합니다. 자세한 내용은 문의하시기 바랍니다.


  • 제품 세부 정보

가 에다 에피 웨이퍼


우리는 mbe 또는 mocvd에 의해 성장되는 ga, al, in, as 및 p를 기반으로하는 다양한 유형의 epi 웨이퍼 iii-v 실리콘 도핑 n 형 반도체 물질을 제조하고 있습니다. 우리는 고객 사양을 충족하는 사용자 지정 구조를 제공합니다. 자세한 내용은 문의하시기 바랍니다.

우리는 미국 veeco의 gen2000, 에피 택셜 장비 생산 라인의 gen200 대규모 생산, xrd의 전체 세트의 숫자를 가지고; pl- 맵핑; surfacecan 및 기타 세계적 수준의 분석 및 테스트 장비를 제공합니다. 이 회사는 세계적 수준의 수퍼 클린 반도체 및 청정 연구소 시설에 대한 관련 연구 개발을 포함하여 1 만 2 천 평방 미터의 지원 플랜트를 보유하고 있습니다


mbe iii-v 화합물 반도체 에피 웨이퍼의 모든 새롭고 특색있는 제품에 대한 사양 :


기판 재료

재료 능력

신청

가아

저온 가습기

가아

가나 / 가라 스 / 가나 / 가나

쇼트 키 다이오드

inp

잉태

핀 검출기

inp

inp / inp / ingaasp / inp / ingaas

원자 램프

가아

가나 / 아라 / 가이아

u0026 emsp;

inp

inp / inasp / ingaas / inasp

u0026 emsp;

가아

가나 / 잉가 스 / 알 가야

u0026 emsp;

/ gaas / algaas

inp

inp / ingaas / inp

광 검출기

inp

inp / ingaas / inp

u0026 emsp;

inp

인플레이션

u0026 emsp;

가아

가나 / 인파 / 가사 / 알린 프

태양 전지

/ ingap / alinp / ingap / alinp

가아

gaas / gainp / gainas / gaas / algaas / galnp / galnas

태양 전지

/ galnp / gaas / algaas / allnp / galnp / allnp / galnas

inp

inp / gainp

u0026 emsp;

가아

가나 / 알린 프

u0026 emsp;

가아

가우스 / 알가사 / 갈렌 / 알가스 / 가아

703nm 레이저

가아

가나 / 알가사 / 가사

u0026 emsp;

가아

가나 / 알가사 / 가나 / 알가사 / 가아

반점

가아

가나 / 아라비아 / 가이아 / 아라 / 가이아

가아

가 / dbr / algainp / mqw / algainp / gap

LED 웨이퍼, 고체 조명

가아

gaas / galnp / algainp / gainp

635nm, 660nm, 808nm, 780nm, 785nm,

/ gaasp / gaas / gaas 기판

950nm, 1300nm, 1550nm 레이저

가스통

alsb / gainsb / inas

IR 검출기, 핀, 감지, IR Cemera

규소

실리콘에 inp 또는 gaas

고속 ic / 마이크로 프로세서

insb

베릴륨 도핑 된 insb

u0026 emsp;

/ 도핑되지 않은 도핑 된 / 도핑 된 도핑 된 /



자세한 사양을 보려면 다음을 검토하십시오.


가우스 기판상의 lta-gaas 에피 층


가 쇼트 키 다이오드 에피 택셜 웨이퍼


핀을위한 ingaas / inp epi 웨이퍼


inp 기판에 ingaasp / ingaas

가면 / 연안 웨이퍼

가나 웨이퍼 또는 인파 웨이퍼에 에피 택셜


ingaas 광 검출기를위한 구조

웨이퍼 / 인서트 / 웨이퍼 인서트


잉카 구조 웨이퍼

태양 전지용 algap / gaas epi 웨이퍼

삼중 접합 태양 전지

가에 아스 택시

이득 / inp 웨이퍼

alinp / gaas epi 웨이퍼


703nm 레이저의 층 구조

808nm 레이저 웨이퍼

780nm 레이저 웨이퍼

가나 핀 에피 웨이퍼

가에 / 알가스 /가 에이스 웨이퍼

gaas 기반의 에피 택셜 웨이퍼 (led 및 ld). 아래를 참조하십시오.

알게인프 에피 웨이퍼

노랑 - 녹색 algainp / gaas led 웨이퍼 : 565-575nm


웨이퍼 반제품 웨이퍼

가에 헴 에피 웨이퍼 (gaas, algaas, ingaas)는 아래를 참조하십시오.

가 에헴 에피 웨이퍼 (mhemt : 변성 높은 전자 이동도 트랜지스터)

gaas hbt epi wafer (gaas hbt는 가우스 기반 기술로 구성된 적어도 두 개의 다른 반도체로 구성된 바이폴라 접합 트랜지스터입니다.) 금속 - 반도체 전계 효과 트랜지스터 (mesfet)


헤테로 접합 전계 효과 트랜지스터 (hfet)

고 전자 이동도 트랜지스터 (헤트)

부정형 고 전자 이동도 트랜지스터 (phemt)

공진 터널 다이오드 (rtd)

핀 다이오드

홀 효과 장치

가변 커패시턴스 다이오드 (vcd)

이제 몇 가지 사양을 나열합니다.


가넷 헤트 에피 웨이퍼, 크기 : 2 ~ 6 인치

명세서

매개 변수

알  조성 / 조성 / 시트 저항

문의하십시오  우리 기술 부서

홀  이동도 / 2 배 농도

측정 기술

엑스레이  회절 / 에디 전류

문의하십시오  우리 기술 부서

비접촉식 홀

전형적인 밸브

구조의  매달린

문의하십시오  우리 기술 부서

5000 ~ 6500cm 2 /V  · s / 0.5 ~ 1.0x 10 12 센티미터 -2

표준  공차

± 0.01 / ± 3 % / 없음

문의하십시오  우리 기술 부서


갈륨 (갈륨 아세 나이드) , 크기 : 2 ~ 6 인치

명세서

매개 변수

알  조성 / 조성 / 시트 저항

문의하십시오  우리 기술 부서

홀  이동도 / 2 배 농도

측정 기술

엑스레이  회절 / 에디 전류

문의하십시오  우리 기술 부서

비접촉식 홀

전형적인 밸브

구조의  매달린

문의하십시오  우리 기술 부서

5000 ~ 6800cm 2 /v.s/2.0~3.4x10 12 센티미터 -2

표준  경계

± 0.01 / ± 3 % 없음

문의하십시오  우리 기술 부서

주석 : gaas phemt : gaas hemt와 비교하여, gaas phemt는 또한 inxga1-xas를 통합합니다. 여기서 inxas는 x u0026 lt; 가우스 기반 장치의 경우 0.3입니다. 헤트와 동일한 격자 상수로 성장하지만, 상이한 밴드 갭은 단순히 격자 - 매칭 헴으로 언급된다.


실리콘 웨이퍼, 크기 : 2 ~ 6 인치

명세서

매개 변수

...에서  조성 / 시트 저항

문의하십시오  우리 기술 부서

홀  이동도 / 2 배 농도

측정 기술

엑스레이  회절 / 에디 전류

문의하십시오  우리 기술 부서

비접촉식 홀

전형적인 밸브

구조의  매달린

문의하십시오  우리 기술 부서

8000 ~ 10000cm 2 /V  · s / 2.0 ~ 3.6x 10 12 센티미터 -2

표준  공차

± 3 % / 없음

문의하십시오  우리 기술 부서


inp hemet epi 웨이퍼, 크기 : 2 ~ 4inch

명세서

매개 변수

...에서  조성 / 시트 저항 / 홀 이동성

문의하십시오  우리 기술 부서


비고 : 갈륨 (갈륨 비소)은 갈륨 (Ga)과 비소 (As)의 두 가지 원소가 혼합 된 화합물 반도체 재료이다. 갈륨 아세 나이드의 용도는 다양하며 LED / LD, 전계 효과 트랜지스터 (FET) 및 집적 회로 (IC)에 사용되는 것을 포함한다.


장치 애플리케이션

rf 스위치

전력 및 저잡음 증폭기

홀 센서

광 변조기

무선 : 휴대 전화 또는 기지국

자동차 레이더

mmic, rfic

광섬유 통신


led / ir 시리즈 용가 에피 웨이퍼 :


1. 일반 사항 :

1.1 성장 방법 : mocvd

1.2 gaas epi 웨이퍼 (무선 네트워킹 용)

led / ir 및 ld / pd 용 1.3 gaas epi 웨이퍼


2. 웨이퍼 사양 :

2.1 웨이퍼 크기 : 직경 2 인치

2.2epi 웨이퍼 구조 (위에서 아래로) :

P + GA

p- 갭

피 - 알게인

mqw-algainp

앤 알게인

dbr n-algaas / 아아

완충기

가면 기판


3. 칩 분리 (9 밀 9mil 칩 기반)


3.1 매개 변수

칩 크기 9mil * 9mil

두께 190 ± 10um

전극 직경 90um ± 5um


3.2 광 학자 (ir = 20ma, 22 ℃)

파장 620 ~ 625nm

순방향 전압 1.9 ~ 2.2v

역 전압 ≥10v

역방향 전류 0-1ua


3.3 광도 문자 (ir = 20ma, 22 ℃)

iv (mcd) 80-140


3.4 에피 웨이퍼

단위

빨간

노랑

연두색

기술

파장 (λ )

nm

585,615,620 ~  630

587 ~ 592

568 ~ 573

나는 에프 = 20ma


성장 방법 : mocvd, mbe

에피 택시 = 필름과 기질 사이의 결정 학적 관계를 가진 필름의 성장 homoepitaxy (autoepitaxy, isoepitaxy) = 필름과 기질은 같은 물질 헤테로 에피 택시 = 필름과 기질은 다른 물질이다. 성장 방법에 대한 더 많은 정보를 원하시면 다음을 클릭하십시오 : http : // www .powerwaywafer.com / wafer-technology.html

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