pam-xiamen의 gan (질화 갈륨) 기반의 에피 택셜 웨이퍼는 초고 휘도의 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드 (LD) 애플리케이션 용입니다.
moq :
1gan (질화 갈륨) 기반의 에피 택셜 웨이퍼 기반
led 웨이퍼 제조업체로 우리는 마이크로 led 또는 ultra thin wafer 또는 uv led 연구 또는 led 제조업체와 같은 led 및 레이저 다이오드 (ld) 응용 프로그램에 대 한 led 웨이퍼를 제공합니다. 그것은 pss 또는 lcd 백 라이트, 모바일, 전자 또는 자외선 (청색 또는 녹색 또는 적색 방출), ingan / gan 활성 영역 및 다른 칩 크기에 대한 gan well / algan 장벽이있는 algan 층을 포함합니다.
gan on al2o3-2 "epi 웨이퍼 사양 (led epitaxial wafer)
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자외선 주도 : 365nm, 405nm |
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화이트 : 445 ~ ~ 460 nm |
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푸른 : 465 ~ ~ 475 nm |
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녹색 : 510 ~ ~ 530 nm |
1. 성장 기술 - mocvd
2. 웨이퍼 지름 : 50.8mm
3. 웨이퍼 기판 재료 : 패턴 화 된 사파이어 기판 (Al2O3)
4. 웨이퍼 패턴 크기 : 3x2x1.5μm
5. 웨이퍼 구조 :
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구조 층 |
두께 (㎛) |
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P-GAN |
0.2 |
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피 알간 |
0.03 |
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ingan / gan (활성 지역) |
0.2 |
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앤 간 |
2.5 |
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우간다 |
3.5 |
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al2o3 (기판) |
430 |
칩을 만들기위한 6. 웨이퍼 매개 변수 :
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목 |
색깔 |
칩 크기 |
형질 |
외관 |
u0026 emsp; |
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pam1023a01 |
푸른 |
10 밀 x 23 밀 |
u0026 emsp; |
u0026 emsp; |
조명 |
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vf = 2.8 ~ 3.4v |
액정 백라이트 |
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포 = 18 ~ 25mw |
변하기 쉬운 가전 제품 |
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wd = 450 ~ 460nm |
소비자 전자 |
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pam454501 |
푸른 |
45mil x 45mil |
vf = 2.8 ~ 3.4v |
u0026 emsp; |
일반 조명 |
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포화 지방 = 250 ~ 300mw |
액정 백라이트 |
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wd = 450 ~ 460nm |
집 밖의 디스플레이 |
* 블루 리드 칩의 상세 정보를 알고 싶다면 영업 부서에 문의하십시오.
7. 에피 택셜 웨이퍼의 적용 :
조명
액정 백 라이트
모바일 기기
소비자 전자 제품
pam-xiamen의 gan 기반 에피 택셜 웨이퍼 (에피 웨이퍼)는 초 고휘도 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED)
갈륨 (갈륨 아세 나이드) 계 주도 웨이퍼 :
gaas led wafer에 관해서, 그들은 mocvd에 의해 성장되었다.
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적색 : 585nm, 615nm, 620 ~ ~ 630nm |
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노란색 : 587 ~ 592nm |
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연두색: 568 ~ 573 |
이러한 세부적인 가우시가 웨이퍼 사양을 이끌 었는지 확인하려면 다음 사이트를 방문하십시오. 가우스 epi 웨이퍼 주도
* 2 인치짜리 (0001) 기판 또는 사파이어 기판 위에 * 레이저 구조가 가능합니다.
pam-xiamen의 템플릿 제품은 사파이어 기판에 증착 된 갈륨 나이트 라이드 (gan), 알루미늄 나이트 라이드 (aln), 알루미늄 갈륨 나이트 라이드 (algan) 및 인듐 갈륨 니트 라이드 (ingan) silicon carbide 또는 silicon.pam-xiamen의 템플릿 제품은 비용, 수율 및 성능면에서 디바이스를 향상시킬 수있는 우수한 구조적 품질과 높은 열 전도성으로 20 ~ 50 % 더 짧은 에피 택시 사이클 시간과 고품질 에피 택셜 디바이스 레이어를 가능하게합니다.12
pam-xiamen은 uhb 주도 및 ld 용 프리 스탠딩 (gallium nitride) 기판 웨이퍼 용 제조 기술을 확립했습니다. (hydride vapor phase epitaxy, hvpe) 기술에 의해 성장한 우리의 gan 기판은 결함 밀도가 낮습니다.
갈륨 질화물 (gan) hemts (높은 전자 이동성 트랜지스터)는 rf 전력 트랜지스터 기술의 차세대 기술입니다. 팸 - 샤먼은 현재 사파이어 또는 실리콘에 algan / gan hemt epi 웨이퍼를 제공하고 사파이어 템플릿에는 algan / gan을 제공합니다 .
pam-xiamen은 반도체 실리콘 카바이드 웨이퍼, 연구원을위한 다양한 품질의 등급으로 6 시간 및 4 시간을 제공합니다. 및 산업 제조업체. 우리는 sic 결정 성장 기술 및 sic 결정 웨이퍼 가공 기술을 개발했다, gan 에피 택시 디바이스, 파워 디바이스, 고온 장치 및 광전자 장치. 고급 분야의 선두 제조 업체가 투자 한 전문 회사로서 첨단 소재 연구 및 주정부 기관과 중국의 반도체 연구소와의 협력을 통해 우리는 지속적으로 현재 기판의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발할 수 있습니다.12
실리콘 카바이드 기반의 디바이스는 물리적 및 전기적 특성으로 인해 si 및 gaas 기반 디바이스에 비해 단파 광전자, 고온, 방사 저항 및 고출력 / 고주파 전자 디바이스에 적합하다.
CZ- 실리콘 과도하게 / 가볍게 도핑 된 cz 단결정 실리콘은 다양한 집적 회로 (IC), 다이오드, 3 극, 그린 에너지 태양 전지판을 제조하는데 적합하다. 특수 요소 (예 : ga, ge)를 추가하여 특수 구성 요소에 대해 고효율, 내 방사선 및 반대로 퇴화하는 태양 전지 재료를 생산할 수 있습니다.12
pwam은 화합물 반도체 기판 인 갈륨 아세 나이드 결정체와 웨이퍼를 개발 및 제조합니다. 우리는 첨단 결정 성장 기술, 수직 구배 동결 (vgf) 및 가우스 웨이퍼 처리 기술을 사용하고 있으며, 결정 성장, 절단, 연삭에서 연마 가공 및 웨이퍼 청소 및 포장을위한 100 가지 클린 룸. 우리의 gaas 웨이퍼는 led, ld 및 microelectronics 응용 분야에 2 ~ 6 인치 주괴 / 웨이퍼를 포함합니다. 우리는 항상 현재 하위 상태의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발하기 위해 노력하고 있습니다.12
아모이 파워 웨이는 갭 웨이퍼 - 갈륨 포스 파이드를 제공하며 이는 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)를 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 상이한 배향 (111) 또는 (100)에서 반 절연성을 갖는다.
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