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화합물 반도체

PAM-XIAMEN은 인듐 반도체 웨이퍼를 제공합니다 : insb, inp, inas, gasb, gap

전망 :

  • InP substrate

    inp 웨이퍼

    xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 반 절연성이 다른 (111) 또는 ((111) 또는 (111)으로) lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키) 또는 vgf 100).

    인기 태그 :

  • InAs substrate

    inas 웨이퍼

    xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 유형, p 유형 또는 반 절연 (111) 또는 (100)으로 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 웨이퍼 - 인듐 비소화물을 제공합니다.

    인기 태그 : inas 웨이퍼 inas 기판 인듐 아세 나이드 웨이퍼 인듐 아세 나이드 기판 인듐 비소 반도체 인듐 아세 나이드 구조

  • InSb substrate

    웨이퍼 인서트

    xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100)으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 갖는 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 인 비움 웨이퍼 - 인듐 안티몬화물을 제공합니다.

    인기 태그 :

  • GaSb substrate

    가스 웨이퍼

    xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100) 방향으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 지닌 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 gasb 웨이퍼 - 갈륨 안티 모나 이드를 제공합니다.

    인기 태그 :

  • GaP substrate

    갭 웨이퍼

    아모이 파워 웨이는 갭 웨이퍼 - 갈륨 포스 파이드를 제공하며 이는 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)를 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 상이한 배향 (111) 또는 (100)에서 반 절연성을 갖는다.

    인기 태그 :

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