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웨이퍼 반 에피 택셜 웨이퍼

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웨이퍼 반 에피 택셜 웨이퍼

웨이퍼 반 에피 택셜 웨이퍼

갈륨 질화물 (gan) hemts (높은 전자 이동성 트랜지스터)는 rf 전력 트랜지스터 기술의 차세대 기술입니다. 팸 - 샤먼은 현재 사파이어 또는 실리콘에 algan / gan hemt epi 웨이퍼를 제공하고 사파이어 템플릿에는 algan / gan을 제공합니다 .

  • moq :

    1
  • 제품 세부 정보

2 "단 헤테로 에피 택셜 웨이퍼


우리는 2 "GAN hemt 웨이퍼를 제공하며, 구조는 다음과 같습니다 :


구조 (위에서 아래로) :

* undoped gan cap (2 ~ 3nm)

alxga1-xn (18 ~ 40nm)

aln (버퍼층)

도핑되지 않은 간 (2 ~ 3um)

사파이어 기판


* 우리는 위에서 gan을 대체하기 위해 si3n을 사용할 수 있습니다. 접착력이 강하고 스퍼터 또는 pecvd로 코팅됩니다.


사파이어 / 갠에있는 algan / gan hemt epi 웨이퍼


계층 ID

층 이름

자료

알 콘텐츠 (%)

도펀트

두께 (㎚)

기판

잔 또는 사파이어

1

핵 생성 층

다양한, 알의

100

그랬다.

2

버퍼층

nid

1800 년

스페이서

알의

100

nid

1

4

쇼트 키 장벽

알간

20 또는 23 또는 26

nid

21


si "에 2", 4 "algan / gan hemt epi 웨이퍼


실리콘 기판상의 알루미늄 갈륨 나이트 라이드 (algan) / 갈륨 나이트 라이드 (gan) 고 전자 이동성 트랜지스터 (hemt)에 대한 1.1 사양.

요구 사항

사양

알간 / 간 반점  si의 에피 웨이퍼

u0026 emsp;

알간 / 간 반점  구조

1.2 참조

기판  자료

규소

정위

u0026 lt; 111 u0026 gt;

성장 방법

플로트 존

전도 유형

p 또는 n

크기 (인치)

2 ", 4"

두께 (㎛)

625

뒷면

거칠게

비저항 (Ω-cm)

u0026 gt; 6000

활 (㎛)

± 35


1.2.epistructure : 균열없는 epilayers

계층 #

구성

두께

엑스

도펀트

담체 농도

5

2nm

-

-

-

4

엑스 조지아 1-x

8nm

0.26

-

-

알의

1nm

도핑되지 않은

2

1000nm 이상

도핑되지 않은

1

버퍼 / 천이  층

-

-

기판

규소

350μm / 625μm

-


1.3 algan / gan hemt 구조의 전기적 특성


2deg 이동도 (300k에서) : ≥1,800cm2 / v.s

2 차원 시트 캐리어 밀도 (300 k에서) : ≥0.9x1013 cm-2

rms 거칠기 (afm) : ≤ 0.5 nm (5.0 μm x 5.0 μm 스캔 영역)


2 "algan / gan on sapphire


사파이어 템플릿에 algan / gan을 지정하려면 판매 부서 (sales@powerwaywafer.com)에 문의하십시오.


응용 : 청색 레이저 다이오드, 자외선 led (250 nm까지) 및 algan / gan hemts 장치에 사용됩니다.


algan / al / gan hemts에 대한 설명 :


고주파 증폭 및 전력 스위칭 분야에서 고출력 전자 장치 용으로 질화물 단열재가 집중적으로 개발되고있다. 종종 DC 동작에서 높은 성능은 헴이 전환 될 때 손실됩니다. 예를 들어, 게이트 신호가 펄스화될 때 온 전류가 붕괴됩니다. 이러한 효과는 전류 흐름에 대한 게이트의 영향을 가리는 전하 트래핑과 관련이 있다고 생각된다. 소스 및 게이트 전극상의 필드 플레이트는 이러한 전류 붕괴 현상을 완화하여 디바이스의 전기장을 조작하는 데 사용되어왔다.


gan epitaxialtechnology - hem, leds의 sic, si 및 사파이어 기판에 맞춤형 gan 에피 택시 :


관련 분류 :


algan / gan hemt band 다이어그램, algan / gan hemt 기반 바이오 센서, algan gan hemt phd 테제, algan / gan hemt 기반 액체 센서, algan / gan hemt 신뢰도, algan / gan hemt with 300-ghz, algan gan 장치의 개요, 알건 간 반반리 특성화, 인핸스 드 백 배리어, 앨런 / 그라운드 반점, 앨런 / 앨런 / 반점, 인라인 / 앨런 / 반점, 앨런 패시베이션 간 반점이있는 앨 간 / 간 반점.

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pwam은 화합물 반도체 기판 인 갈륨 아세 나이드 결정체와 웨이퍼를 개발 및 제조합니다. 우리는 첨단 결정 성장 기술, 수직 구배 동결 (vgf) 및 가우스 웨이퍼 처리 기술을 사용하고 있으며, 결정 성장, 절단, 연삭에서 연마 가공 및 웨이퍼 청소 및 포장을위한 100 가지 클린 룸. 우리의 gaas 웨이퍼는 led, ld 및 microelectronics 응용 분야에 2 ~ 6 인치 주괴 / 웨이퍼를 포함합니다. 우리는 항상 현재 하위 상태의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발하기 위해 노력하고 있습니다.12

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실리콘 카바이드 기반의 디바이스는 물리적 및 전기적 특성으로 인해 si 및 gaas 기반 디바이스에 비해 단파 광전자, 고온, 방사 저항 및 고출력 / 고주파 전자 디바이스에 적합하다.

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에칭 처리 용 웨이퍼는 조도가 낮고 광택이 좋고 비용이 저렴하다는 특성을 가지며, 비용이 많이 드는 폴리싱 된 웨이퍼 또는 에피 택셜 웨이퍼를 직접적으로 대체하여 일부 분야에서 전자 소자를 제조하여 비용을 절감한다. 저 러프 니스, 저 반사율 및 고 반사율 에칭 웨이퍼가있다.12

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