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가 에다 에피 웨이퍼

우리는 mbe 또는 mocvd에 의해 성장되는 ga, al, in, as 및 p를 기반으로하는 다양한 유형의 epi 웨이퍼 iii-v 실리콘 도핑 n 형 반도체 물질을 제조하고 있습니다. 우리는 고객 사양을 충족하는 사용자 지정 구조를 제공합니다. 자세한 내용은 문의하시기 바랍니다.

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제품 세부 정보

가 에다 에피 웨이퍼

우리는 mbe 또는 mocvd에 의해 성장되는 ga, al, in, as 및 p를 기반으로하는 다양한 유형의 epi 웨이퍼 iii-v 실리콘 도핑 n 형 반도체 물질을 제조하고 있습니다. 우리는 고객 사양을 충족하는 사용자 지정 구조를 제공합니다. 자세한 내용은 문의하시기 바랍니다.

우리는 미국 veeco의 gen2000, 에피 택셜 장비 생산 라인의 gen200 대규모 생산, xrd의 전체 세트의 숫자를 가지고; pl- 맵핑; surfacecan 및 기타 세계적 수준의 분석 및 테스트 장비를 제공합니다. 이 회사는 세계적 수준의 수퍼 클린 반도체 및 청정 연구소 시설에 대한 관련 연구 개발을 포함하여 1 만 2 천 평방 미터의 지원 플랜트를 보유하고 있습니다

mbe iii-v 화합물 반도체 에피 웨이퍼의 모든 새롭고 특색있는 제품에 대한 사양 :

기판 재료	재료 능력	신청
가아	저온 가습기	츠
가아	가나 / 가라 스 / 가나 / 가나	쇼트 키 다이오드
inp	잉태	핀 검출기
inp	inp / inp / ingaasp / inp / ingaas	원자 램프
가아	가나 / 아라 / 가이아	u0026 emsp;
inp	inp / inasp / ingaas / inasp	u0026 emsp;
가아	가나 / 잉가 스 / 알 가야	u0026 emsp;
가아	/ gaas / algaas	u0026 emsp;
inp	inp / ingaas / inp	광 검출기
inp	inp / ingaas / inp	u0026 emsp;
inp	인플레이션	u0026 emsp;
가아	가나 / 인파 / 가사 / 알린 프	태양 전지
가아	/ ingap / alinp / ingap / alinp	태양 전지
가아	gaas / gainp / gainas / gaas / algaas / galnp / galnas	태양 전지
가아	/ galnp / gaas / algaas / allnp / galnp / allnp / galnas	태양 전지
inp	inp / gainp	u0026 emsp;
가아	가나 / 알린 프	u0026 emsp;
가아	가우스 / 알가사 / 갈렌 / 알가스 / 가아	703nm 레이저
가아	가나 / 알가사 / 가사	u0026 emsp;
가아	가나 / 알가사 / 가나 / 알가사 / 가아	반점
가아	가나 / 아라비아 / 가이아 / 아라 / 가이아	헴
가아	가 / dbr / algainp / mqw / algainp / gap	LED 웨이퍼, 고체 조명
가아	gaas / galnp / algainp / gainp	635nm, 660nm, 808nm, 780nm, 785nm,
가아	/ gaasp / gaas / gaas 기판	950nm, 1300nm, 1550nm 레이저
가스통	alsb / gainsb / inas	IR 검출기, 핀, 감지, IR Cemera
규소	실리콘에 inp 또는 gaas	고속 ic / 마이크로 프로세서
insb	베릴륨 도핑 된 insb	u0026 emsp;
insb	/ 도핑되지 않은 도핑 된 / 도핑 된 도핑 된 /	u0026 emsp;

자세한 사양을 보려면 다음을 검토하십시오.

가우스 기판상의 lta-gaas 에피 층

가 쇼트 키 다이오드 에피 택셜 웨이퍼

핀을위한 ingaas / inp epi 웨이퍼

inp 기판에 ingaasp / ingaas

가면 / 연안 웨이퍼

가나 웨이퍼 또는 인파 웨이퍼에 에피 택셜

ingaas 광 검출기를위한 구조

웨이퍼 / 인서트 / 웨이퍼 인서트

잉카 구조 웨이퍼

태양 전지용 algap / gaas epi 웨이퍼

808nm 레이저 웨이퍼

780nm 레이저 웨이퍼

가나 핀 에피 웨이퍼

가에 / 알가스 /가 에이스 웨이퍼

gaas 기반의 에피 택셜 웨이퍼 (led 및 ld). 아래를 참조하십시오.

알게인프 에피 웨이퍼

노랑 - 녹색 algainp / gaas led 웨이퍼 : 565-575nm

웨이퍼 반제품 웨이퍼

가에 헴 에피 웨이퍼 (gaas, algaas, ingaas)는 아래를 참조하십시오.

가 에헴 에피 웨이퍼 (mhemt : 변성 높은 전자 이동도 트랜지스터)

gaas hbt epi wafer (gaas hbt는 가우스 기반 기술로 구성된 적어도 두 개의 다른 반도체로 구성된 바이폴라 접합 트랜지스터입니다.) 금속 - 반도체 전계 효과 트랜지스터 (mesfet)

헤테로 접합 전계 효과 트랜지스터 (hfet)

고 전자 이동도 트랜지스터 (헤트)

부정형 고 전자 이동도 트랜지스터 (phemt)

공진 터널 다이오드 (rtd)

핀 다이오드

홀 효과 장치

가변 커패시턴스 다이오드 (vcd)

이제 몇 가지 사양을 나열합니다.

가넷 헤트 에피 웨이퍼, 크기 : 2 ~ 6 인치

목	명세서	말
매개 변수	알 조성 / 조성 / 시트 저항	문의하십시오 우리 기술 부서
	홀 이동도 / 2 배 농도
측정 기술	엑스레이 회절 / 에디 전류	문의하십시오 우리 기술 부서
	비접촉식 홀
전형적인 밸브	구조의 매달린	문의하십시오 우리 기술 부서
	5000 ~ 6500cm² /V · s / 0.5 ~ 1.0x 10¹² 센티미터^-2
표준 공차	± 0.01 / ± 3 % / 없음	문의하십시오 우리 기술 부서

갈륨 (갈륨 아세 나이드) , 크기 : 2 ~ 6 인치

목	명세서	말
매개 변수	알 조성 / 조성 / 시트 저항	문의하십시오 우리 기술 부서
	홀 이동도 / 2 배 농도
측정 기술	엑스레이 회절 / 에디 전류	문의하십시오 우리 기술 부서
	비접촉식 홀
전형적인 밸브	구조의 매달린	문의하십시오 우리 기술 부서
	5000 ~ 6800cm² /v.s/2.0~3.4x10¹² 센티미터^-2
표준 경계	± 0.01 / ± 3 % 없음	문의하십시오 우리 기술 부서

주석 : gaas phemt : gaas hemt와 비교하여, gaas phemt는 또한 inxga1-xas를 통합합니다. 여기서 inxas는 x u0026 lt; 가우스 기반 장치의 경우 0.3입니다. 헤트와 동일한 격자 상수로 성장하지만, 상이한 밴드 갭은 단순히 격자 - 매칭 헴으로 언급된다.

실리콘 웨이퍼, 크기 : 2 ~ 6 인치

목	명세서	말
매개 변수	...에서 조성 / 시트 저항	문의하십시오 우리 기술 부서
	홀 이동도 / 2 배 농도
측정 기술	엑스레이 회절 / 에디 전류	문의하십시오 우리 기술 부서
	비접촉식 홀
전형적인 밸브	구조의 매달린	문의하십시오 우리 기술 부서
	8000 ~ 10000cm² /V · s / 2.0 ~ 3.6x 10¹² 센티미터^-2
표준 공차	± 3 % / 없음	문의하십시오 우리 기술 부서

inp hemet epi 웨이퍼, 크기 : 2 ~ 4inch

목	명세서	말
매개 변수	...에서 조성 / 시트 저항 / 홀 이동성	문의하십시오 우리 기술 부서

비고 : 갈륨 (갈륨 비소)은 갈륨 (Ga)과 비소 (As)의 두 가지 원소가 혼합 된 화합물 반도체 재료이다. 갈륨 아세 나이드의 용도는 다양하며 LED / LD, 전계 효과 트랜지스터 (FET) 및 집적 회로 (IC)에 사용되는 것을 포함한다.

장치 애플리케이션

rf 스위치

전력 및 저잡음 증폭기

홀 센서

광 변조기

무선 : 휴대 전화 또는 기지국

자동차 레이더

mmic, rfic

광섬유 통신

led / ir 시리즈 용가 에피 웨이퍼 :

1. 일반 사항 :

1.1 성장 방법 : mocvd

1.2 gaas epi 웨이퍼 (무선 네트워킹 용)

led / ir 및 ld / pd 용 1.3 gaas epi 웨이퍼

2. 웨이퍼 사양 :

2.1 웨이퍼 크기 : 직경 2 인치

2.2epi 웨이퍼 구조 (위에서 아래로) :

P + GA

p- 갭

피 - 알게인

mqw-algainp

앤 알게인

dbr n-algaas / 아아

완충기

가면 기판

3. 칩 분리 (9 밀 9mil 칩 기반)

3.1 매개 변수

칩 크기 9mil * 9mil

두께 190 ± 10um

전극 직경 90um ± 5um

3.2 광 학자 (ir = 20ma, 22 ℃)

파장 620 ~ 625nm

순방향 전압 1.9 ~ 2.2v

역 전압 ≥10v

역방향 전류 0-1ua

3.3 광도 문자 (ir = 20ma, 22 ℃)

iv (mcd) 80-140

3.4 에피 웨이퍼

목	단위	빨간	노랑	연두색	기술
파장 (λ_디 )	nm	585,615,620 ~ 630	587 ~ 592	568 ~ 573	나는_에프 = 20ma

성장 방법 : mocvd, mbe

에피 택시 = 필름과 기질 사이의 결정 학적 관계를 가진 필름의 성장 homoepitaxy (autoepitaxy, isoepitaxy) = 필름과 기질은 같은 물질 헤테로 에피 택시 = 필름과 기질은 다른 물질이다. 성장 방법에 대한 더 많은 정보를 원하시면 다음을 클릭하십시오 : http : // www .powerwaywafer.com / wafer-technology.html

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pwam은 화합물 반도체 기판 인 갈륨 아세 나이드 결정체와 웨이퍼를 개발 및 제조합니다. 우리는 첨단 결정 성장 기술, 수직 구배 동결 (vgf) 및 가우스 웨이퍼 처리 기술을 사용하고 있으며, 결정 성장, 절단, 연삭에서 연마 가공 및 웨이퍼 청소 및 포장을위한 100 가지 클린 룸. 우리의 gaas 웨이퍼는 led, ld 및 microelectronics 응용 분야에 2 ~ 6 인치 주괴 / 웨이퍼를 포함합니다. 우리는 항상 현재 하위 상태의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발하기 위해 노력하고 있습니다.12

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