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제작품

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전망 :

  • gan on silicon

    자립형 독립 기판

    pam-xiamen은 uhb 주도 및 ld 용 프리 스탠딩 (gallium nitride) 기판 웨이퍼 용 제조 기술을 확립했습니다. (hydride vapor phase epitaxy, hvpe) 기술에 의해 성장한 우리의 gan 기판은 결함 밀도가 낮습니다.

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  • blue laser

    GAN 템플릿

    pam-xiamen의 템플릿 제품은 사파이어 기판에 증착 된 갈륨 나이트 라이드 (gan), 알루미늄 나이트 라이드 (aln), 알루미늄 갈륨 나이트 라이드 (algan) 및 인듐 갈륨 니트 라이드 (ingan) silicon carbide 또는 silicon.pam-xiamen의 템플릿 제품은 비용, 수율 및 성능면에서 디바이스를 향상시킬 수있는 우수한 구조적 품질과 높은 열 전도성으로 20 ~ 50 % 더 짧은 에피 택시 사이클 시간과 고품질 에피 택셜 디바이스 레이어를 가능하게합니다.

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  • gan expitaxy

    웨이퍼 기반 에피 택셜 웨이퍼

    pam-xiamen의 gan (질화 갈륨) 기반의 에피 택셜 웨이퍼는 초고 휘도의 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드 (LD) 애플리케이션 용입니다.

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  • gan HEMT epitaxy

    웨이퍼 반 에피 택셜 웨이퍼

    갈륨 질화물 (gan) hemts (높은 전자 이동성 트랜지스터)는 rf 전력 트랜지스터 기술의 차세대 기술입니다. 팸 - 샤먼은 현재 사파이어 또는 실리콘에 algan / gan hemt epi 웨이퍼를 제공하고 사파이어 템플릿에는 algan / gan을 제공합니다 .

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  • sic crystal

    기판

    pam-xiamen은 반도체 실리콘 카바이드 웨이퍼, 연구원을위한 다양한 품질의 등급으로 6 시간 및 4 시간을 제공합니다. 및 산업 제조업체. 우리는 sic 결정 성장 기술 및 sic 결정 웨이퍼 가공 기술을 개발했다, gan 에피 택시 디바이스, 파워 디바이스, 고온 장치 및 광전자 장치. 고급 분야의 선두 제조 업체가 투자 한 전문 회사로서 첨단 소재 연구 및 주정부 기관과 중국의 반도체 연구소와의 협력을 통해 우리는 지속적으로 현재 기판의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발할 수 있습니다.

    인기 태그 : 4 시간 6h 식 웨이퍼 실리콘 카바이드 웨이퍼 탄화 규소 기판 웨이퍼 웨이퍼 가격

  • sic crystal

    sic 에피 택시

    우리는 탄화 규소 디바이스의 개발을 위해 6h 또는 4h 기판에 주문형 박막 (실리콘 카바이드) sic 에피 택시를 제공합니다. sic 에피 웨이퍼는 주로 쇼트 키 다이오드, 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터, 접합 전계 효과 트랜지스터, 바이폴라 접합 트랜지스터, 사이리스터, gto 및 절연 게이트 바이폴라에 사용됩니다.

    인기 태그 : sic 에피 택시 에피 택시 증착 에피 택시 웨이퍼 탄화 규소 구조 다이오드

  • sic crystal

    웨이퍼 리 클레임

    pam-xiamen은 다음과 같은 sic reclaim 웨이퍼 서비스를 제공 할 수 있습니다.

    인기 태그 : 웨이퍼를 되찾다 웨이퍼 서비스 웨이퍼 회수 서비스 웨이퍼 다이 싱 서비스 웨이퍼 처리 웨이퍼 재생

  • sic wafer

    응용 프로그램

    실리콘 카바이드 기반의 디바이스는 물리적 및 전기적 특성으로 인해 si 및 gaas 기반 디바이스에 비해 단파 광전자, 고온, 방사 저항 및 고출력 / 고주파 전자 디바이스에 적합하다.

    인기 태그 : 응용 프로그램 웨이퍼 칩 웨이퍼 에칭 실리콘 카바이드 특성 실리콘 카바이드 MOSFET

  • GaAs crystal

    가 스 (갈륨 비소) 웨이퍼

    pwam은 화합물 반도체 기판 인 갈륨 아세 나이드 결정체와 웨이퍼를 개발 및 제조합니다. 우리는 첨단 결정 성장 기술, 수직 구배 동결 (vgf) 및 가우스 웨이퍼 처리 기술을 사용하고 있으며, 결정 성장, 절단, 연삭에서 연마 가공 및 웨이퍼 청소 및 포장을위한 100 가지 클린 룸. 우리의 gaas 웨이퍼는 led, ld 및 microelectronics 응용 분야에 2 ~ 6 인치 주괴 / 웨이퍼를 포함합니다. 우리는 항상 현재 하위 상태의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발하기 위해 노력하고 있습니다.

    인기 태그 :

  • GaAs crystal

    가 에다 에피 웨이퍼

    우리는 mbe 또는 mocvd에 의해 성장되는 ga, al, in, as 및 p를 기반으로하는 다양한 유형의 epi 웨이퍼 iii-v 실리콘 도핑 n 형 반도체 물질을 제조하고 있습니다. 우리는 고객 사양을 충족하는 사용자 지정 구조를 제공합니다. 자세한 내용은 문의하시기 바랍니다.

    인기 태그 :

  • InP substrate

    inp 웨이퍼

    xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 반 절연성이 다른 (111) 또는 ((111) 또는 (111)으로) lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키) 또는 vgf 100).

    인기 태그 : inp 웨이퍼 inp 기판 인화 인듐 웨이퍼 인화 인듐 기판 inp 웨이퍼 가격 인화 인듐 제조 업체

  • InAs substrate

    inas 웨이퍼

    xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 유형, p 유형 또는 반 절연 (111) 또는 (100)으로 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 웨이퍼 - 인듐 비소화물을 제공합니다.

    인기 태그 : inas 웨이퍼 inas 기판 인듐 아세 나이드 웨이퍼 인듐 아세 나이드 기판 인듐 비소 반도체 인듐 아세 나이드 구조

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