CZ- 실리콘
과도하게 / 가볍게 도핑 된 cz 단결정 실리콘은 다양한 집적 회로 (IC), 다이오드, 3 극, 그린 에너지 태양 전지판을 제조하는데 적합하다. 특수 요소 (예 : ga, ge)를 추가하여 특수 구성 요소에 대해 고효율, 내 방사선 및 반대로 퇴화하는 태양 전지 재료를 생산할 수 있습니다.
cz 단결정 실리콘
CZ- 실리콘
심하게 / 가볍게 도핑 된 cz 단결정 실리콘 다양한 집적 회로 (IC), 다이오드, 삼극관, 녹색 에너지 태양 전지판을 생산하는 데 적합합니다. 특수 요소 (예 : ga, ge)를 추가하여 특수 구성 요소에 대해 고효율, 내 방사선 및 반대로 퇴화하는 태양 전지 재료를 생산할 수 있습니다.
mcz
자기장은 초크 랄 스키 과정에서 cz 단결정 실리콘 낮은 산소 함량과 높은 저항률 균일 성의 특성; 그만큼 mcz 규소 이산 장치 및 저산소 태양 전지용 실리콘 소재 생산에 적합합니다.
cz 많이 도핑 된 결정
특별한 도핑 장치 및 cz 프로세스를 채택하면, 과도하게 도핑 된 (p, sb, as) cz 단결정 실리콘 에피 택셜 웨이퍼의 라이닝 재료로 주로 사용되며, Isi 스위치 전원 공급 장치, 쇼트 키 다이오드 및 현장 제어용 고주파 전력 전자 장치 용 특수 전자 장치를 생산하는 데 사용됩니다.
u0026 lt; 110 u0026 gt; 특별 오리엔테이션 CZ- 실리콘
그만큼 u0026 lt; 110 u0026 gt; 단결정 실리콘 u0026 lt; 110 u0026 gt;이 오리엔테이션 조정을위한 추가 처리는 불필요하다; 그만큼 u0026 lt; 110 u0026 gt; 단결정 실리콘 완전 결정 구조의 특성을 가지며, 저산소 u0026 탄소 함량은 새로운 태양 전지 소재이며 차세대 전지 소재로 사용될 수 있습니다.
한 눈에 우리의 장점
1. 고급 에피 택시 성장 장비 및 테스트 장비.
2. 결함 밀도가 낮고 표면 거칠기가 우수한 고품질을 제공합니다.
3. 고객을위한 강력한 연구 팀 지원 및 기술 지원
cz 단결정 실리콘 사양
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유형 |
전도 유형 |
정위 |
직경 (mm) |
전도도 (Ω · cm) |
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cz |
n & p |
u0026 lt; 110 u0026 gt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
|
mcz |
n & p |
u0026 lt; 110 u0026 gt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
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무거운 도핑 |
n & p |
u0026 lt; 110 u0026 gt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
0.001-1 |
웨이퍼 사양
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u0026 emsp; |
직경 (mm) |
두께 (um) |
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웨이퍼 |
76.2-200 |
≥ 160 |
fz- 실리콘 부유 물질 함량이 낮고 결함 밀도가 낮으며 완벽한 결정 구조를 갖는 단결정 실리콘이 부유 - 구역 공정으로 생산된다. 결정 성장 중에 어떠한 이물질도 도입되지 않는다. fz 실리콘 전도도는 일반적으로 1000 Ω-cm 이상이며, fz- 실리콘은 주로 고 역 전압 소자 및 광전자 소자를 생산하는 데 사용됩니다.12
pam-xiamen은 더미 웨이퍼 / 테스트 웨이퍼 / 모니터 웨이퍼를 제공합니다.
실리콘 에피 택셜 웨이퍼 (에피 웨이퍼)는 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 증착 된 단결정 실리콘 층입니다 (참고 : 고도로 도핑 된 단일 결정 실리콘 웨이퍼 위에 다결정 실리콘 층을 성장시킬 수 있지만, 벌크 Si 기판과 상부 에피 택 셜층 사이에 버퍼층 (예, 산화물 또는 폴리 -Si)12
실리콘 정류기 (sr), 실리콘 제어 정류기 (scr), 거대 트랜지스터 (gtr), 사이리스터 (gro)
에칭 처리 용 웨이퍼는 조도가 낮고 광택이 좋고 비용이 저렴하다는 특성을 가지며, 비용이 많이 드는 폴리싱 된 웨이퍼 또는 에피 택셜 웨이퍼를 직접적으로 대체하여 일부 분야에서 전자 소자를 제조하여 비용을 절감한다. 저 러프 니스, 저 반사율 및 고 반사율 에칭 웨이퍼가있다.12
갈륨 질화물 (gan) hemts (높은 전자 이동성 트랜지스터)는 rf 전력 트랜지스터 기술의 차세대 기술입니다. 팸 - 샤먼은 현재 사파이어 또는 실리콘에 algan / gan hemt epi 웨이퍼를 제공하고 사파이어 템플릿에는 algan / gan을 제공합니다 .
실리콘 카바이드 기반의 디바이스는 물리적 및 전기적 특성으로 인해 si 및 gaas 기반 디바이스에 비해 단파 광전자, 고온, 방사 저항 및 고출력 / 고주파 전자 디바이스에 적합하다.
카드뮴 아연 텔루 라이드 (cdznte 또는 czt)는 전자를 효과적으로 전자로 변환 할 수있는 새로운 반도체로 주로 적외선 박막 에피 택시 기판, x- 선 검출기 및 감마선 검출기, 레이저 광 변조, 고성능 태양 전지 및 기타 첨단 기술 분야에 사용됩니다.
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