CZ- 실리콘
과도하게 / 가볍게 도핑 된 cz 단결정 실리콘은 다양한 집적 회로 (IC), 다이오드, 3 극, 그린 에너지 태양 전지판을 제조하는데 적합하다. 특수 요소 (예 : ga, ge)를 추가하여 특수 구성 요소에 대해 고효율, 내 방사선 및 반대로 퇴화하는 태양 전지 재료를 생산할 수 있습니다.
cz 단결정 실리콘
CZ- 실리콘
심하게 / 가볍게 도핑 된 cz 단결정 실리콘 다양한 집적 회로 (IC), 다이오드, 삼극관, 녹색 에너지 태양 전지판을 생산하는 데 적합합니다. 특수 요소 (예 : ga, ge)를 추가하여 특수 구성 요소에 대해 고효율, 내 방사선 및 반대로 퇴화하는 태양 전지 재료를 생산할 수 있습니다.
mcz
자기장은 초크 랄 스키 과정에서 cz 단결정 실리콘 낮은 산소 함량과 높은 저항률 균일 성의 특성; 그만큼 mcz 규소 이산 장치 및 저산소 태양 전지용 실리콘 소재 생산에 적합합니다.
cz 많이 도핑 된 결정
특별한 도핑 장치 및 cz 프로세스를 채택하면, 과도하게 도핑 된 (p, sb, as) cz 단결정 실리콘 에피 택셜 웨이퍼의 라이닝 재료로 주로 사용되며, Isi 스위치 전원 공급 장치, 쇼트 키 다이오드 및 현장 제어용 고주파 전력 전자 장치 용 특수 전자 장치를 생산하는 데 사용됩니다.
u0026 lt; 110 u0026 gt; 특별 오리엔테이션 CZ- 실리콘
그만큼 u0026 lt; 110 u0026 gt; 단결정 실리콘 u0026 lt; 110 u0026 gt;이 오리엔테이션 조정을위한 추가 처리는 불필요하다; 그만큼 u0026 lt; 110 u0026 gt; 단결정 실리콘 완전 결정 구조의 특성을 가지며, 저산소 u0026 탄소 함량은 새로운 태양 전지 소재이며 차세대 전지 소재로 사용될 수 있습니다.
한 눈에 우리의 장점
1. 고급 에피 택시 성장 장비 및 테스트 장비.
2. 결함 밀도가 낮고 표면 거칠기가 우수한 고품질을 제공합니다.
3. 고객을위한 강력한 연구 팀 지원 및 기술 지원
cz 단결정 실리콘 사양
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유형 |
전도 유형 |
정위 |
직경 (mm) |
전도도 (Ω · cm) |
|
cz |
n & p |
u0026 lt; 110 u0026 gt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
|
mcz |
n & p |
u0026 lt; 110 u0026 gt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
|
무거운 도핑 |
n & p |
u0026 lt; 110 u0026 gt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
0.001-1 |
웨이퍼 사양
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u0026 emsp; |
직경 (mm) |
두께 (um) |
|
웨이퍼 |
76.2-200 |
≥ 160 |
fz- 실리콘 부유 물질 함량이 낮고 결함 밀도가 낮으며 완벽한 결정 구조를 갖는 단결정 실리콘이 부유 - 구역 공정으로 생산된다. 결정 성장 중에 어떠한 이물질도 도입되지 않는다. fz 실리콘 전도도는 일반적으로 1000 Ω-cm 이상이며, fz- 실리콘은 주로 고 역 전압 소자 및 광전자 소자를 생산하는 데 사용됩니다.12
pam-xiamen은 더미 웨이퍼 / 테스트 웨이퍼 / 모니터 웨이퍼를 제공합니다.
실리콘 에피 택셜 웨이퍼 (에피 웨이퍼)는 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 증착 된 단결정 실리콘 층입니다 (참고 : 고도로 도핑 된 단일 결정 실리콘 웨이퍼 위에 다결정 실리콘 층을 성장시킬 수 있지만, 벌크 Si 기판과 상부 에피 택 셜층 사이에 버퍼층 (예, 산화물 또는 폴리 -Si)12
실리콘 정류기 (sr), 실리콘 제어 정류기 (scr), 거대 트랜지스터 (gtr), 사이리스터 (gro)
에칭 처리 용 웨이퍼는 조도가 낮고 광택이 좋고 비용이 저렴하다는 특성을 가지며, 비용이 많이 드는 폴리싱 된 웨이퍼 또는 에피 택셜 웨이퍼를 직접적으로 대체하여 일부 분야에서 전자 소자를 제조하여 비용을 절감한다. 저 러프 니스, 저 반사율 및 고 반사율 에칭 웨이퍼가있다.12
에칭 처리 용 웨이퍼는 조도가 낮고 광택이 좋고 비용이 저렴하다는 특성을 가지며, 비용이 많이 드는 폴리싱 된 웨이퍼 또는 에피 택셜 웨이퍼를 직접적으로 대체하여 일부 분야에서 전자 소자를 제조하여 비용을 절감한다. 저 러프 니스, 저 반사율 및 고 반사율 에칭 웨이퍼가있다.12
pam은 반도체 재료, vgf / lec만큼 성장한 단결정 (Ge) 게르마늄 웨이퍼를 제공합니다.
pam-xiamen은 반도체 실리콘 카바이드 웨이퍼, 연구원을위한 다양한 품질의 등급으로 6 시간 및 4 시간을 제공합니다. 및 산업 제조업체. 우리는 sic 결정 성장 기술 및 sic 결정 웨이퍼 가공 기술을 개발했다, gan 에피 택시 디바이스, 파워 디바이스, 고온 장치 및 광전자 장치. 고급 분야의 선두 제조 업체가 투자 한 전문 회사로서 첨단 소재 연구 및 주정부 기관과 중국의 반도체 연구소와의 협력을 통해 우리는 지속적으로 현재 기판의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발할 수 있습니다.12
연락처 정보
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