질화물 반도체 웨이퍼
| 독립형 질화 갈륨 | |||||||
| 제품 번호. | 유형 | 정위 | 두께 | 학년 | 미세 결함 밀도 | 표면 | 사용 가능한 영역 |
| \u0026 emsp; | n 형 | ||||||
| pam-fs-gan50-n | 2 \"n 형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan45-n | dia.45mm, n 형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan40-n | dia.40mm, n 형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan38-n | dia.38mm, n 타입 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan25-n | dia.25.4mm, n 유형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan15-n | 14mm * 15mm, n 유형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan10-n | 10mm * 10.5mm, n 유형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan5-n | 5mm * 5.5mm, n 유형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| \u0026 emsp; | 반 절연 | ||||||
| pam-fs-gan50-si | 2 \"n 형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan45-si | dia.45mm, n 형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan40-si | dia.40mm, n 형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan38-si | dia.38mm, n 타입 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan25-si | dia.25.4mm, n 유형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan15-si | 14mm * 15mm, n 유형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan10-si | 10mm * 10.5mm, n 유형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-fs-gan5-si | 5mm * 5.5mm, n 유형 | 0 ° ± 0.5 ° | 300 ± 25um | a / b | 0 / \u003c2 / ㎠ | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| 갈륨 질화물 템플릿, aln 템플릿, ingan 템플릿, algan 주형 | |||||||
| 제품 번호. | 유형 | 정위 | 두께 | 학년 | 탈구 밀도 | 표면 | 사용 가능한 영역 |
| pam-76-gan-t-n | 템플릿 템플릿, n 유형 | 0 ° ± 0.5 ° | 20/30/40um | / | \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm2 | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-50-gan-t-n | 템플릿 템플릿, n 유형 | 0 ° ± 0.5 ° | 20/30/40um | / | \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm2 | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-50-gan-t-p | GAN 템플릿, P 유형 | 0 ° ± 0.5 ° | 2um | / | / | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 91 % |
| pam-50-gan-t-si | 갠 템플릿, 반 절연 | 0 ° ± 0.5 ° | 30/90um | / | \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm2 | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-50-aln-t-si | 알의 템플릿, 반 절연 | 0 ° ± 0.5 ° | 1um | / | / | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-50-ingan-t-si | 잉태 템플리트 | 0 ° ± 0.5 ° | 100-200nm | / | 10 ^ 8 / cm2 | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-50-algan-t-si | 알간 템플릿 | 0 ° ± 0.5 ° | 1-5um | / | * | p / p 또는 p / l | \u0026 gt; 90 % |
| 갈륨 질화물 에피 웨이퍼 (LED 웨이퍼) | |||||||
| 제품 번호. | 유형 | 정위 | 두께 | 학년 | 파장 | 표면 | 사용 가능한 영역 |
| \u0026 emsp; | n 형 | ||||||
| pam-50-gan-epi- blue-f | / | 0 ° ± 0.5 ° | 436um | / | 445-475nm | p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-50-gan-epi-blue-pss | / | 0 ° ± 0.5 ° | 436um | / | 445-475nm | p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-50-gan-epi-green-f | / | 0 ° ± 0.5 ° | 436um | / | 510-530nm | p / l | \u0026 gt; 90 % |
| pam-50-gan-epi-green-pss | / | 0 ° ± 0.5 ° | 436um | / | 510-530nm | p / l | \u0026 gt; 90 % |
| 갈륨 질화물 uv led | |||||||
| 제품 번호. | 병아리 | 출력 파워 | 순방향 전압 | 학년 | 파장 | deg. | fwhm |
| pam-gan-led-uv-265 | 03wg / smd / to39 | / | / | / | 265nm ± 3nm | / | 10nm |
| pam-gan-led-uv-280 | 03wg / smd / to39 | / | 6.8-7.5 | / | 280nm ± 3nm | 140/60 | 10nm |
| pam-gan-led-uv-310 | 03wg / smd / to39 | / | 6.5-7.2 | / | 310nm ± 3nm | 140/60 | 10nm |
노트:
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