흑연 캡 핑층은 주입 후 어닐링 동안 패턴 화되고 선택적으로 주입 된 4h- 에픽 택셜 웨이퍼의 표면을 보호하기 위해 평가되었다. az-5214e 포토 레지스트를 750에서 850 ° C 범위의 온도에서 진공으로 스핀 및 베이킹하여 평면 및 메사 에칭 표면 상에 최대 2μm 피쳐의 연속 코팅을 형성했습니다. 수소화 된 중합체 - 유사 막의 나노 결정질 그래파이트 층으로의 완전한 전환은 라만 분광법에 의해 확인되었다. 흑연 캡 핑층은 손상되지 않은 상태로 유지되어 30 분 동안 최대 1650 ° C의 온도에서 아르곤 분위기에서 후속 어닐링하는 동안 평면 및 메사 에칭 된 표면 모두를 보호한다. 주입 영역에서 스텝 번칭 및 도펀트 외부 확산을 효과적으로 억제하면서 동시에 4h- 에픽 택셜 웨이퍼의 비 주입 된 ...
레이저 간섭 리소그래피를 사용하여 srtio3 단결정 기판상의 srruo3 하부 전극의 전체 영역 (10mm × 10mm)에 잘 배열 된 pb (zr0.2ti0.8) o3 나노 디스크 및 나노 링의 웨이퍼 스케일 어레이가 제조되었다 (lil) 공정과 펄스 레이저 증착을 결합한 것입니다. 나노 구조의 모양 및 크기는 패턴 화 된 홀을 통해 증착 된 pzt의 양 및 후 결정화 단계의 온도에 의해 제어되었다. X- 선 회절 및 투과 전자 현미경으로 (001) 배향 된 단결정 기판을 덮는 srruo3 (001) 하부 전극층 상에 (001) 배향 된 pzt 나노 구조가 에피 택셜하게 성장 함을 확인 하였다. pzt 나노 섬의 도메인 구조는 싱크로트론 X 선 방사를 이용한 상호 공간 맵핑에 의해 특징 지어졌다. 각 p...
우리는 미세 결정질로 구성된 장치에서 미세 방전의 발생을보고했다다이아몬드. 방전은 마이크로 할로우 캐소드 방전 구조를 갖는 장치 구조에서 발생되었다. 하나의 구조는 양면에 붕소가 도핑 된 다이아몬드 층으로 코팅 된 절연성 다이아몬드 웨이퍼로 구성된다. 두 번째 구조는 양면에 금속층으로 코팅 된 절연성 다이아몬드 웨이퍼로 구성된다. 각각의 경우에, 단일 서브 밀리미터 홀이 도체 - 절연체 - 도체 구조를 통해 기계 가공된다. 방전은 헬륨 분위기에서 발생 하였다. 항복 전압은 약 500V 였고 0.1-2.5mA 범위의 방전 전류는 300V의 유지 직류 전압에 의해 유지되었다. 출처 : iopscience 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconductorwafers.net, 이메일을 ...
최근의 에피 택셜 막의 성장에 대한 개요를 살펴 본다. 현재 근원 영화의 성장에 사용되는 기본 고전적 방법이 논의되고 그 장점과 단점이 탐구된다. Si 상에 에피 택셜 막을 합성하는 새로운 방법에 대한 기본 아이디어 및 이론적 배경이 제시되어있다. 새로운 방법은 기판 표면에 원자의 증발이 이용되는 박막 성장의 고전적 기술과 현저히 다르다는 것을 알 수있다. 새로운 방법은 실리콘 매트릭스 내의 일부 원자가 탄소 원자에 의해 치환되어 분자를 형성하는 것을 기본으로한다. 탄화 규소 . 실리콘 매트릭스의 결정 구조를 파괴하지 않으면 서 다음과 같은 핵 생성의 후속 공정이 발생하고, 성장 된 필름의 배향은 실리콘 매트릭스의 원래 결정 구조에 의해 부과된다는 것을 알 수있다 ( 필름 성장의 전통적인 방법). 새로운 에...
상온에서 낮은 자기장 하에서 큰 자기 저항 (mr) 효과를 얻기 위해서는 여전히 반도체 기반 디바이스가 큰 도전 과제이다. 이 논문에서, 상온에서의 다양한 강도의 조사 하에서 광 유발 된 mr 효과가 반 절연성 갈륨 아세 나이드 ( 시가가 ) 기반 ag / si-gaas / ag 장치. 장치는 약 395 nm-405 nm 범위의 파장을 갖는 발광 다이오드 (led) 램프 비드에 의해 공급되는 광의 조사를 받고, 각각의 조사 된 램프 비드의 작동 전력은 약 33 mw이다. (b = 0.001 t)에서 mr 감도 s (s = mr / b)는 15 t-1에 도달 할 수있다. 광 유도 된 전자와 정공의 재결합은 양이온에 의한 광 유발 효과를 나타내는 것으로 밝혀졌다. 이 연구는 매우 낮은 고유 전하 캐리어 농도를 ...
고성능 실리콘 카바이드 ( SiC ) 전력 디바이스에서 p 형 SiC에 대한 저 저항 옴 접촉이 개발되어야한다. 오믹 접촉 저항을 감소시키기 위해, SiC / SiC 계면에서의 장벽 높이의 감소 또는 SiC 기판에서의 도핑 농도의 증가가 필요하다. 배리어 높이의 감소가 극히 어렵 기 때문에, Al의 도핑 농도를 4H-SiC 이온 주입 기술에 의해 도전성을 부여 받았다. Ti / Al 및 Ni / Ti / Al 금속 (여기서 슬래시 "/"기호는 증착 시퀀스를 나타냄)은 Al 이온 주입 SiC 기판에 증착되었다. 실험적 및 이론적 접촉 저항을 비교함으로써, 금속 / SiC 계면을 통한 현재의 전달 메커니즘은 열 이온 전계 방출 인 것으로 결론 지어졌으며 장벽 높이는 ~ 0.4eV로 결정되었다....
그만큼 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장의 개발 SiC 기술 및 시장의 현재 상태 및 향후 몇 년간 개발 추세. SiC 디바이스 시장은 유망하다. 쇼트 키 장벽 판매 다이오드는 성숙했고 MOSFET 출하량은 크게 증가 할 것으로 예상된다 향후 3 년 동안 Yole Développement의 분석가에 따르면 SiC는 다이오드 측면에서 매우 성숙하며 GaN은 SiC MOSFET에 전혀 문제가되지 않습니다. 전압 1.2kV 이상. GaN은 650V에서 SiC MOSFET과 경쟁 할 수 있습니다. 범위이지만 SiC는 더 성숙합니다. SiC 판매가 빠르게 성장할 것으로 기대된다. SiC는 실리콘 파워 디바이스 시장에서 시장 점유율을 확보 할 것이며, 향후 몇 년 동안 복합 성장률은 28 %에이를 것으로 예상했다. ...
본 논문에서는 완전 결합 3 차원 전기 열 소자 시뮬레이터를 사용하여 평면에서 고전류 작동시 효율 저하 메커니즘을 연구한다 지 에이 N 계 발광 다이오드 (LED). 특히, 더 두꺼운 전도성 GaN 기판을 사용하여 효율 저하의 개선이 입증되었다. 첫째, 얇은 도전성 GaN 기판 내부의 국지 줄 열 (Joule heating)은 내부 양자 효율 (IQE)을 저하시키고 직렬 저항을 증가시킨다. 그 후, 더 두꺼운 도전성 GaN 기판과 기판 내부의 전류 밀도 및 온도의 시뮬레이션 된 분포를 도입했습니다. 그 내부의 최대 전류 밀도는 GaN 기판 두께가 5 μm 인 기판에 비해 100 μm 두께 기판의 경우 약 6 배 정도 감소합니다. 따라서 최대 접합 온도가 낮아지고 IQE 및 구동 전압이 향상됩니다. 본 연구는...
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