/

수색

수색
  • 단결정과 사파이어로 성장한 잉곳 양자 우물의 미세 구조

    2018-Jan-19

    지난 10 년 동안, iii-n 화합물은 청색, 보라색 및 자외선 광전자 공학에서의 응용으로 많은 관심을 받았다. 장치 및 연구의 대부분은 질화물의 에피 택시에 대한 기판으로 사파이어를 사용합니다. 그러나, 이러한 에피 구조는 16 %의 격자 부정합에 의해 유도 된 매우 높은 전위 밀도를 포함한다 갠 사파이어. 우리 실험실에서는 10 kbar의 높은 수압에서 질소의 단결정을 성장시킵니다. 이들 결정은 매우 낮은 전위 밀도를 가지며, 보라색 레이저 다이오드의 구성에 성공적으로 사용된다. 이 작품은 고해상도 X 선 회절 법과 광 발광의 실험 데이터를 제공합니다. 이 작품은 세 부분으로 구성되어 있습니다 : (1) 간 기판과 간 / 사파이어 템플릿 비교; (ii)의 영향 알간 샘플의 휘게하는 층; (iii) in...

  • 비극성 및 반 극성 암모늄 말 기질

    2018-Apr-24

    이 논문에서는 암모니아 방법으로 비극성 (즉, m- 평면 및 a- 평면) 및 반 극성 (즉, (20.1) - 평면) 웨이퍼를 생산하는 개발을 검토한다. 성장 방법 및 연마 결과가 설명된다. 우리는 26 mm × 26 mm의 비 및 반 극성 웨이퍼를 생산하는 데 성공했습니다. 이들 웨이퍼는 104 cm-3 정도의 스레딩 전위 밀도를 갖는 뛰어난 구조적 및 광학적 특성을 갖는다. 호모 에피 택셜 층에 대한 상세한 연구는 물론 알곤 헤테로 구조 (algan heterostructures)가 제시되어 옵토 일렉트로닉스 소자 제조에 연구 된 암모니아 열 기판의 잠재 성을 보여준다. 출처 : iopscience 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.ne...

  • 에피 택셜 강유전성 나노 디스크와 나노 링의 웨이퍼 스케일 어레이

    2018-Apr-24

    레이저 간섭 리소그래피를 사용하여 srtio3 단결정 기판상의 srruo3 하부 전극의 전체 영역 (10mm × 10mm)에 잘 배열 된 pb (zr0.2ti0.8) o3 나노 디스크 및 나노 링의 웨이퍼 스케일 어레이가 제조되었다 (lil) 공정과 펄스 레이저 증착을 결합한 것입니다. 나노 구조의 모양 및 크기는 패턴 화 된 홀을 통해 증착 된 pzt의 양 및 후 결정화 단계의 온도에 의해 제어되었다. X- 선 회절 및 투과 전자 현미경으로 (001) 배향 된 단결정 기판을 덮는 srruo3 (001) 하부 전극층 상에 (001) 배향 된 pzt 나노 구조가 에피 택셜하게 성장 함을 확인 하였다. pzt 나노 섬의 도메인 구조는 싱크로트론 X 선 방사를 이용한 상호 공간 맵핑에 의해 특징 지어졌다. 각 p...

  • 질화 갈륨의 고유 공극의 하이브리드 밀도 기능보기

    2018-May-24

    우리는 하이브리드 밀도 함수 이론 접근법 (dft)을 사용하여 질화 갈륨의 공극 결함의 전이 에너지 준위를 조사했다. 우리는 순전히 국부적으로 dft의 수준에 대한 최근의 연구에서 예측 한 것과는 달리, 가려진 교환의 포함은 가전 자대 (valence band)에 가까운 fermi 에너지에 대한 질소 공공의 삼중 양극 충전 상태를 안정화 시킨다는 것을 보여준다. 다른 한편으로, 질소 공공의 음전하 상태와 관련된 결함 준위는 높은 n- 도핑을 제외하고는 전도대와 혼성화되어 에너지 적으로 바람직하지 못하게된다. 갈륨 공석의 경우, sx-lda에서 강한 상호 작용으로 인한 상향 스핀과 하향 스핀 밴드 사이의 증가 된 자기 분열은 결함 레벨을 밴드 갭으로 깊숙이 밀어 넣고 관련 전하 전이 준위를 상당히 증가시킵니다...

  • 후면 다이아몬드 형 탄소 / 티타늄 열 발산 층을 가진 고성능, 마이크로 머신 된 gan-on-si 고 전자 이동도 트랜지스터

    2018-Jun-19

    마이크로 머신 된 알간 / GAN 고 전자 이동도 트랜지스터 ( 반점 ) 다이아몬드 형 탄소 / 티타늄 (dlc / ti) 열 발산 층을 갖는 Si 기판상에서의 열처리를 조사 하였다. 뛰어난 열전도 도와 열팽창 계수 갠 dlc / ti는 구멍을 통해 Si 기판을 통해 간헐적 인 힘의 열을 효율적으로 발산합니다. dlc 설계의이 헴은 또한 굽힘 조건 (변형율 : 0.01 %)에서 안정적인 전류 밀도를 유지했습니다. 적외선 열 화상 촬영 영상은 표준 멀티 핑거 전력 헤트 층의 열 저항이 13.6 k / w이고 후면 dlc / ti 복합 층을 사용한 마이크로 머신 처리로 인해 5.3 k / w로 향상되었음을 보여주었습니다. 따라서, 제안 된 dlc / ti 열 발산 층은 열 방출 층에서 효율적인 열 관리를 실현했...

  • p-type gan의 오믹 접촉 형성에 대한 mg-doped gan 캡핑 층의 얇은 영향

    2018-Jul-11

    과도하게 mg 도핑 된 얇은 성장 조건 갠 p-type gan의 오믹 접촉 형성에 미치는 영향을 조사 하였다. 과량의 도핑은 pI와의 ni / au 접촉을 효과적으로 향상시킬 수 있음을 확인 하였다. 갠 550 ° C에서 어닐링 후. Mg와 Ga 가스 소스 사이의 유량 비율이 6.4 %이고 층 폭이 25nm 일 때, 850 ℃에서 성장한 캡 핑층은 특정 접촉 저항 (ρc)에 대해 가장 우수한 오믹 접촉 특성을 나타낸다. 이 온도는 mg- 도핑 된 gan의 통상적 인 성장 온도보다 훨씬 낮아, 딥 - 레벨 - 결함 유도 된 밴드가 캡 핑층의 전도에 중요한 역할을 할 수 있음을 암시한다. 출처 : iopscience 자세한 내용은 다음을 방문하십시오.우리의 웹 사이트 : www.semiconductorwafer...

  • 화학 빔 에피 택시에 의해 성장 된 inas / insb 나노 와이어 헤테로 구조

    2018-Jul-11

    우리는 결함이없는 아연 브레이 드 insb 나노 와이어의 au-assisted 화학 빔 에피 택시 성장을보고했다. 재배 된 insb 세그먼트는 inas (111) b 기판상의 inas / insb 헤테로 구조의 상부 섹션이다. 우리는 시간 분석을 통해 아연 결함을 스태킹 결함이나 트윈 평면과 같은 결정 결함없이 성장시킬 수 있음을 보여줍니다. 스트레인 - 맵 분석은 insb 세그먼트가 인터페이스로부터 수 나노 미터 이내에 거의 이완되어 있음을 보여줍니다. 포스트 성장 연구에 의해 촉매 입자 조성은 auin2이며, tdmasb 플럭스 하에서 샘플을 냉각시킴으로써 auin 합금으로 변할 수 있음을 발견했다. 출처 : iopscience 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconducto...

  • 스캐닝 터널링 현미경으로 연구 된 가스에 대한 인장 변형이 큰 서브 모노 레이어 Ge 나노 구조

    2018-Aug-15

    매우 인장 변형이 심한 sub-monolayer ge nanostructures on 가스통 분자 빔 에피 택시 (molecular beam epitaxy)에 의해 성장되었고 초고 진공 주사 터널링 현미경에 의해 연구되었다. gasb에서 ge 나노 구조의 4 가지 적용 범위가 달성되고 조사된다. gasb에서 Ge의 성장이 2d 성장 모드를 따른다는 것을 알 수있다. 하위 단층의 결정 격자 GE 나노 구조물은 가스 나노 튜브의 응집력과 일관성이 있으며, 나노 구조물에서 7.74 %의 인장 변형을 추정한다. 출처 : iopscience 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오.angel.ye@powerwaywafer.com 또는po...

먼저 1 2 >> 마지막
[  총  2  페이지들]

문의하기

우리 제품에 대한 견적이나 더 많은 정보를 원하신다면, 우리에게 메시지를 남겨 주시고되도록 빨리 회신 해주십시오.
   
지금 채팅 문의하기 & nbsp;
우리 제품에 대한 견적이나 더 많은 정보를 원하신다면, 우리에게 메시지를 남겨 주시고되도록 빨리 회신 해주십시오.