그만큼 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장의 개발 SiC 기술 및 시장의 현재 상태 및 향후 몇 년간 개발 추세. SiC 디바이스 시장은 유망하다. 쇼트 키 장벽 판매 다이오드는 성숙했고 MOSFET 출하량은 크게 증가 할 것으로 예상된다 향후 3 년 동안 Yole Développement의 분석가에 따르면 SiC는 다이오드 측면에서 매우 성숙하며 GaN은 SiC MOSFET에 전혀 문제가되지 않습니다. 전압 1.2kV 이상. GaN은 650V에서 SiC MOSFET과 경쟁 할 수 있습니다. 범위이지만 SiC는 더 성숙합니다. SiC 판매가 빠르게 성장할 것으로 기대된다. SiC는 실리콘 파워 디바이스 시장에서 시장 점유율을 확보 할 것이며, 향후 몇 년 동안 복합 성장률은 28 %에이를 것으로 예상했다. ...
본 논문에서는 완전 결합 3 차원 전기 열 소자 시뮬레이터를 사용하여 평면에서 고전류 작동시 효율 저하 메커니즘을 연구한다 지 에이 N 계 발광 다이오드 (LED). 특히, 더 두꺼운 전도성 GaN 기판을 사용하여 효율 저하의 개선이 입증되었다. 첫째, 얇은 도전성 GaN 기판 내부의 국지 줄 열 (Joule heating)은 내부 양자 효율 (IQE)을 저하시키고 직렬 저항을 증가시킨다. 그 후, 더 두꺼운 도전성 GaN 기판과 기판 내부의 전류 밀도 및 온도의 시뮬레이션 된 분포를 도입했습니다. 그 내부의 최대 전류 밀도는 GaN 기판 두께가 5 μm 인 기판에 비해 100 μm 두께 기판의 경우 약 6 배 정도 감소합니다. 따라서 최대 접합 온도가 낮아지고 IQE 및 구동 전압이 향상됩니다. 본 연구는...
균질 재료의 경우, 주로 Newton 's 알고리즘을 기반으로하는 수치 최적화 과정과 관련된 초음파 침지 법을 사용하여 다양한 합성 및 천연 복합 재료에 대한 탄성 상수를 결정할 수 있습니다. 그럼에도 불구하고 고려 대상 물질이 동질성 가설의 한계에있을 때 기존 최적화 절차의 주요 한계가 발생합니다. 이는 짠 양방향 SiC 매트릭스의 경우이며, SiC 섬유 복합 재료. 본 연구에서는 2D SiC의 탄성 상수 결정을위한 두 가지 수치 적 방법을 개발했다. SiC 복합 재료 (2D SiC / SiC). 첫 번째 것은 Newton의 알고리즘을 기반으로합니다. 탄성 상수는 실험 속도와 계산 속도 간의 제곱 편차를 최소화하여 얻습니다. 두 번째 방법은 Levenberg-Marquardt 알고리즘을 기반으로합니...
높은 성장 속도와 대 면적 균일 성을 동시에 달성 할 수있게하는 수직 고온 벽면 반응기가 개발되었다. 250 μm / h의 최대 성장 속도는 1650 ° C에서 거울처럼 생긴 형태로 이루어집니다. 수정 된 상태에서 에피 반응기 79㎛ / h의 높은 성장 속도를 유지하면서 65mm 반경 영역에 대해 1.1 %의 두께 균일 성 및 6.7 %의 도핑 균일 성이 달성된다. 반경 50 mm 영역에 대해 ~ 1 × 1013 cm-3의 낮은 도핑 농도가 얻어집니다. 저온 광 발광 (LTPL) 스펙트럼은 불순물과 관련된 피크가 거의없는 자유 엑시톤 피크와 검출 한계 이하의 L1 피크가 우세하다는 것을 보여줍니다. 80 μm / h에서 성장한 epilayer의 deep level transient spectroscopy (...
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