고성능 실리콘 카바이드 ( SiC ) 전력 디바이스에서 p 형 SiC에 대한 저 저항 옴 접촉이 개발되어야한다. 오믹 접촉 저항을 감소시키기 위해, SiC / SiC 계면에서의 장벽 높이의 감소 또는 SiC 기판에서의 도핑 농도의 증가가 필요하다. 배리어 높이의 감소가 극히 어렵 기 때문에, Al의 도핑 농도를 4H-SiC 이온 주입 기술에 의해 도전성을 부여 받았다. Ti / Al 및 Ni / Ti / Al 금속 (여기서 슬래시 "/"기호는 증착 시퀀스를 나타냄)은 Al 이온 주입 SiC 기판에 증착되었다. 실험적 및 이론적 접촉 저항을 비교함으로써, 금속 / SiC 계면을 통한 현재의 전달 메커니즘은 열 이온 전계 방출 인 것으로 결론 지어졌으며 장벽 높이는 ~ 0.4eV로 결정되었다....
본 논문에서는 완전 결합 3 차원 전기 열 소자 시뮬레이터를 사용하여 평면에서 고전류 작동시 효율 저하 메커니즘을 연구한다 지 에이 N 계 발광 다이오드 (LED). 특히, 더 두꺼운 전도성 GaN 기판을 사용하여 효율 저하의 개선이 입증되었다. 첫째, 얇은 도전성 GaN 기판 내부의 국지 줄 열 (Joule heating)은 내부 양자 효율 (IQE)을 저하시키고 직렬 저항을 증가시킨다. 그 후, 더 두꺼운 도전성 GaN 기판과 기판 내부의 전류 밀도 및 온도의 시뮬레이션 된 분포를 도입했습니다. 그 내부의 최대 전류 밀도는 GaN 기판 두께가 5 μm 인 기판에 비해 100 μm 두께 기판의 경우 약 6 배 정도 감소합니다. 따라서 최대 접합 온도가 낮아지고 IQE 및 구동 전압이 향상됩니다. 본 연구는...
우리는 웨이퍼에 내장 된 온도 센서의 열 응답 시간을 결정하기위한 비접촉 방법을 제시합니다. 이 방법에서, 플래시 램프는주기적인 펄스로 웨이퍼상의 스폿을 조명한다; 스폿은 테스트중인 센서와 반대쪽에 있습니다. 그런 다음 센서의 열 시간 상수는 시간 응답의 측정과 센서 및 웨이퍼 내부의 열 흐름의 이론적 모델과 함께 얻어집니다. 백금 저항 온도계 (PRT)와 열전쌍에 대한 실험 데이터 규소 웨이퍼 열 전달 모델과 잘 일치 함을 보여줍니다. 넓은 범위의 실험 변수에 대한 열 응답 시간의 값은 표준 편차 8 % (PRT)와 20 % (열전쌍) 이내로 일치하며 결과의 일관성을 나타냅니다. 이 방법은 계측 된 실리콘 웨이퍼에 사용되는 센서의 열 특성을 결정하는 데 직접 적용 할 수 있습니다. 우리는이 방법이 새로운 ...
n형 및 p형 실리콘 웨이퍼의 공간 분해 도펀트 농도 [2.2] Nd 및 전기 저항률 ρ에 대한 비접촉식 비파괴 이미징 방법다양한 레이저 조사 강도에서 고정 캐리어그래피 이미지를 사용하는 것이 제시됩니다. 알려진 저항률을 가진 웨이퍼 사이트의 진폭 및 위상 정보를 사용하여 절대 캐리어 생성률을 정확하게 결정하기 위한 보정 계수를 도출했습니다. 도펀트 밀도 이미지를 추출하기 위해 포토캐리어 방사 측정 신호의 비선형 특성에 기반한 주파수 영역 모델을 사용했습니다. 이 방법론을 통해 얻은 n형 및 p형 웨이퍼의 저항률 측면 변화는 기존의 4점 프로브 측정으로 얻은 것과 매우 일치하는 것으로 나타났습니다. 이 모든 광학 비접촉식 방법은 도핑 밀도 및 전기 저항 측정과 넓은 반도체 영역에 대한 이미지를 위한 비파괴 ...
Si에서 에피택셜 SiC 필름의 성장에 대한 최근의 발전을 개관합니다. 현재 SiC 필름의 성장에 사용되는 기본적인 고전적 방법에 대해 논의하고 장단점을 탐구합니다. 에피택셜 SiC 필름 의 새로운 합성 방법에 대한 기본 아이디어 및 이론적 배경Si에 주어진다. 새로운 방법은 기판 표면에 원자를 증발시키는 고전적인 박막 성장 기술과 상당히 다르다는 것을 보여줄 것입니다. 새로운 방법은 탄화 규소 분자를 형성하기 위해 실리콘 매트릭스의 일부 원자를 탄소 원자로 대체하는 것을 기반으로 합니다. SiC 핵 생성의 다음 공정은 실리콘 매트릭스의 결정 구조를 파괴하지 않고 점진적으로 발생하고, 성장된 막의 배향은 실리콘 매트릭스의 원래 결정 구조에 의해 부과됨을 보여줍니다(아래에서와 같이 기판 표면뿐만 아니라). 일...
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