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스캐닝 터널링 현미경으로 연구 된 가스에 대한 인장 변형이 큰 서브 모노 레이어 Ge 나노 구조

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스캐닝 터널링 현미경으로 연구 된 가스에 대한 인장 변형이 큰 서브 모노 레이어 Ge 나노 구조

2018-08-15

매우 인장 변형이 심한 sub-monolayer ge nanostructures on 가스통 분자 빔 에피 택시 (molecular beam epitaxy)에 의해 성장되었고 초고 진공 주사 터널링 현미경에 의해 연구되었다. gasb에서 ge 나노 구조의 4 가지 적용 범위가 달성되고 조사된다. gasb에서 Ge의 성장이 2d 성장 모드를 따른다는 것을 알 수있다. 하위 단층의 결정 격자 GE 나노 구조물은 가스 나노 튜브의 응집력과 일관성이 있으며, 나노 구조물에서 7.74 %의 인장 변형을 추정한다.

출처 : iopscience

자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconductorwafers.net ,

이메일을 보내주십시오.angel.ye@powerwaywafer.com 또는powerwaymaterial@gmail.com



태그들 : 가스통 에피 택시 GE

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