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단결정과 사파이어로 성장한 잉곳 양자 우물의 미세 구조

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단결정과 사파이어로 성장한 잉곳 양자 우물의 미세 구조

2018-01-19

지난 10 년 동안, iii-n 화합물은 청색, 보라색 및 자외선 광전자 공학에서의 응용으로 많은 관심을 받았다. 장치 및 연구의 대부분은 질화물의 에피 택시에 대한 기판으로 사파이어를 사용합니다. 그러나, 이러한 에피 구조는 16 %의 격자 부정합에 의해 유도 된 매우 높은 전위 밀도를 포함한다 사파이어. 우리 실험실에서는 10 kbar의 높은 수압에서 질소의 단결정을 성장시킵니다. 이들 결정은 매우 낮은 전위 밀도를 가지며, 보라색 레이저 다이오드의 구성에 성공적으로 사용된다. 이 작품은 고해상도 X 선 회절 법과 광 발광의 실험 데이터를 제공합니다. 이 작품은 세 부분으로 구성되어 있습니다 : (1) 간 기판과 간 / 사파이어 템플릿 비교; (ii)의 영향 알간 샘플의 휘게하는 층; (iii) ingan / gan 다중 양자 우물의 미세 구조 .


soource : iopscience

자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오. : http://www.semiconductorwafers.net ,

이메일을 보내주십시오. angel.ye@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com



태그들 : 잉가 알간

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