흑연 캡 핑층은 주입 후 어닐링 동안 패턴 화되고 선택적으로 주입 된 4h- 에픽 택셜 웨이퍼의 표면을 보호하기 위해 평가되었다. az-5214e 포토 레지스트를 750에서 850 ° C 범위의 온도에서 진공으로 스핀 및 베이킹하여 평면 및 메사 에칭 표면 상에 최대 2μm 피쳐의 연속 코팅을 형성했습니다. 수소화 된 중합체 - 유사 막의 나노 결정질 그래파이트 층으로의 완전한 전환은 라만 분광법에 의해 확인되었다. 흑연 캡 핑층은 손상되지 않은 상태로 유지되어 30 분 동안 최대 1650 ° C의 온도에서 아르곤 분위기에서 후속 어닐링하는 동안 평면 및 메사 에칭 된 표면 모두를 보호한다. 주입 영역에서 스텝 번칭 및 도펀트 외부 확산을 효과적으로 억제하면서 동시에 4h- 에픽 택셜 웨이퍼의 비 주입 된 ...
레이저 간섭 리소그래피를 사용하여 srtio3 단결정 기판상의 srruo3 하부 전극의 전체 영역 (10mm × 10mm)에 잘 배열 된 pb (zr0.2ti0.8) o3 나노 디스크 및 나노 링의 웨이퍼 스케일 어레이가 제조되었다 (lil) 공정과 펄스 레이저 증착을 결합한 것입니다. 나노 구조의 모양 및 크기는 패턴 화 된 홀을 통해 증착 된 pzt의 양 및 후 결정화 단계의 온도에 의해 제어되었다. X- 선 회절 및 투과 전자 현미경으로 (001) 배향 된 단결정 기판을 덮는 srruo3 (001) 하부 전극층 상에 (001) 배향 된 pzt 나노 구조가 에피 택셜하게 성장 함을 확인 하였다. pzt 나노 섬의 도메인 구조는 싱크로트론 X 선 방사를 이용한 상호 공간 맵핑에 의해 특징 지어졌다. 각 p...
샤먼 기반의 레이저 웨이퍼 성장 및 기타 관련 제품 및 서비스를위한 에피 서비스의 선도적 인 공급 업체 인 샤먼 파워 웨이 (Shi Maeng)는 2017 년에 3 \"크기의 새로운 가용성을 발표했다.이 신제품은 자연을 대표한다. ~에 더해서 팸족 의 제품 라인. 박사. shaka는 \"우리는 고객들에게 인터넷 광섬유 통신의 기본 능동 소자 (레이저 광원)를보다 잘 개발하고 신뢰할 수있는 많은 것을 포함하여 양자 우물 레이저 구조를 제공하게 된 것을 기쁘게 생각합니다. 우리의 레이저 다이오드 에피 택셜 구조는 탁월합니다 갈륨 아세 나이드 및 인듐 인화물 웨이퍼상의 양자 우물 레이저베이스, 양자 우물을 이용하는 레이저 및 이산 전자 모드는 모프 (move) 및 mbe 기술에 의해 제조되며 자외선에서 z 영역까...
직접 다이오드 레이저는 가장 매력적인 특징 중 일부를 가지고 있습니다. 원자 램프. 그들은 매우 효율적이고, 콤팩트하며, 파장이 다용도이며, 저비용이며 신뢰성이 높습니다. 그러나 직접 다이오드 레이저의 완전한 이용은 아직 실현되지 않았다. 저질의 다이오드 레이저 빔 자체는 다이오드 레이저 빔 특성의 정확한 이해를 요구하는 광학 시스템의 적절한 보정을 필요로 다이오드 레이저 스택의 더 나은 사용을 위해 그 적용 범위에 직접 영향을 미친다. 다이오드 레이저는 적은 전력으로 미세한 비드를 만드는 데 적합한 장방형 빔 패턴으로 인해 실용적인 응용을 가능하게 할 수있다. 그러므로 다이오드 레이저 클래딩은 손상된 기계 부품의 수리 분야를 개척 할 것이며 이는 중고 기계의 재활용 및 비용 절감에 기여해야합니다. 출처 :...
우리는 미세 결정질로 구성된 장치에서 미세 방전의 발생을보고했다다이아몬드. 방전은 마이크로 할로우 캐소드 방전 구조를 갖는 장치 구조에서 발생되었다. 하나의 구조는 양면에 붕소가 도핑 된 다이아몬드 층으로 코팅 된 절연성 다이아몬드 웨이퍼로 구성된다. 두 번째 구조는 양면에 금속층으로 코팅 된 절연성 다이아몬드 웨이퍼로 구성된다. 각각의 경우에, 단일 서브 밀리미터 홀이 도체 - 절연체 - 도체 구조를 통해 기계 가공된다. 방전은 헬륨 분위기에서 발생 하였다. 항복 전압은 약 500V 였고 0.1-2.5mA 범위의 방전 전류는 300V의 유지 직류 전압에 의해 유지되었다. 출처 : iopscience 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconductorwafers.net, 이메일을 ...
최근의 에피 택셜 막의 성장에 대한 개요를 살펴 본다. 현재 근원 영화의 성장에 사용되는 기본 고전적 방법이 논의되고 그 장점과 단점이 탐구된다. Si 상에 에피 택셜 막을 합성하는 새로운 방법에 대한 기본 아이디어 및 이론적 배경이 제시되어있다. 새로운 방법은 기판 표면에 원자의 증발이 이용되는 박막 성장의 고전적 기술과 현저히 다르다는 것을 알 수있다. 새로운 방법은 실리콘 매트릭스 내의 일부 원자가 탄소 원자에 의해 치환되어 분자를 형성하는 것을 기본으로한다. 탄화 규소 . 실리콘 매트릭스의 결정 구조를 파괴하지 않으면 서 다음과 같은 핵 생성의 후속 공정이 발생하고, 성장 된 필름의 배향은 실리콘 매트릭스의 원래 결정 구조에 의해 부과된다는 것을 알 수있다 ( 필름 성장의 전통적인 방법). 새로운 에...
상온에서 낮은 자기장 하에서 큰 자기 저항 (mr) 효과를 얻기 위해서는 여전히 반도체 기반 디바이스가 큰 도전 과제이다. 이 논문에서, 상온에서의 다양한 강도의 조사 하에서 광 유발 된 mr 효과가 반 절연성 갈륨 아세 나이드 ( 시가가 ) 기반 ag / si-gaas / ag 장치. 장치는 약 395 nm-405 nm 범위의 파장을 갖는 발광 다이오드 (led) 램프 비드에 의해 공급되는 광의 조사를 받고, 각각의 조사 된 램프 비드의 작동 전력은 약 33 mw이다. (b = 0.001 t)에서 mr 감도 s (s = mr / b)는 15 t-1에 도달 할 수있다. 광 유도 된 전자와 정공의 재결합은 양이온에 의한 광 유발 효과를 나타내는 것으로 밝혀졌다. 이 연구는 매우 낮은 고유 전하 캐리어 농도를 ...
산소의 밀도 및 광산란 강도는 실리콘 결정은 IR 광 산란 단층 촬영기로 측정됩니다. 측정을 통해 명확하게 된 수치 데이터는 산소 침전 량과 관련하여 논의된다. 여기서 얻은 결과는 산소 석출물이 빛을 산란시키는 이론적 인 분석과 잘 일치한다. IR 광 산란 단층 촬영에 의해 얻어진 정보는 cz 실리콘 결정 중의 산소의 석출 과정을 매우 잘 설명하며,이 방법으로 수득 된 침전물의 밀도는 신뢰성이있다. 출처 : iopscience 실리콘 질화물 결정 구조와 같은 다른 관련된 제품에 관하여 정보 더, 실리콘 카바이드 웨이퍼 , 우리의 웹 사이트를 방문하십시오 : , 이메일을 보내주십시오. 또는...
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