www.semiconductorwafers.net 다이렉트 웨이퍼 본딩 기술은 두 개의 매끄러운 웨이퍼를 통합 할 수 있으므로 격자 불일치가있는 III-V 다 접합 태양 전지를 제조하는 데 사용할 수 있습니다. gainp / gaas와 ingaasp / ingaas subcells 사이를 모 놀리 식으로 연결하기 위해, 결합 된 ga / inp 헤테로 접합은 높은 전도성 오믹 접합 또는 터널 접합이어야한다. 3 가지 유형의 접합 계면은 도체 유형 및 도핑 요소를 조정하여 설계되었다. 가아 과 inp . p-GaAs (n 형 도핑) / n-inp (si 도핑), p-gaas (c 도핑) / n-inp (si 도핑) 및 n-gaas (si 도핑) / n-inp ) 결합 헤테로 접합을 i-v 특성으로부터 분석 하...
상온에서 낮은 자기장 하에서 큰 자기 저항 (mr) 효과를 얻기 위해서는 여전히 반도체 기반 디바이스가 큰 도전 과제이다. 이 논문에서, 상온에서의 다양한 강도의 조사 하에서 광 유발 된 mr 효과가 반 절연성 갈륨 아세 나이드 ( 시가가 ) 기반 ag / si-gaas / ag 장치. 장치는 약 395 nm-405 nm 범위의 파장을 갖는 발광 다이오드 (led) 램프 비드에 의해 공급되는 광의 조사를 받고, 각각의 조사 된 램프 비드의 작동 전력은 약 33 mw이다. (b = 0.001 t)에서 mr 감도 s (s = mr / b)는 15 t-1에 도달 할 수있다. 광 유도 된 전자와 정공의 재결합은 양이온에 의한 광 유발 효과를 나타내는 것으로 밝혀졌다. 이 연구는 매우 낮은 고유 전하 캐리어 농도를 ...
inas 세그먼트는 처음에 실리콘 기판 상에 액적 에피 택시에 의해 생성 된 가오스 섬 (gaas island) 위에 성장되었다. 우리는 inas 퇴적을위한 성장 매개 변수 공간을 체계적으로 탐구하고, 선택 성장을위한 조건을 확인했습니다. 가아 순전히 축 성장을 위해서. 축 방향 inas 부분은 아래쪽에있는 가우 스베이스 섬에 비해 측벽이 30 $ ^ {{} ^ circ $만큼 회전하여 형성되었다. 싱크로트론 X- 선 회절 실험 결과, inas 세그먼트는 주로 아연광 결정 구조와 스태킹 결함이있는 가우시 (ga) 상단에서 편안하게 성장합니다. 출처 : iopscience 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오.angel.ye@...
본 논문에서는 새로운 3 차원 (3D) 포토 리소그래피 섬유 기판의 고해상도 미세 패턴 처리 기술. 비평면 표면의 리소그래피 기술에 대한 간략한 리뷰도 제시된다. 제안 된 기술은 주로 3D 노광 모듈의 미세 가공과 광섬유상의 얇은 레지스트 필름의 스프레이 증착으로 구성된다. 석영 기판의 습식 에칭 및 투영 노광 방법에 의해 3d 노광 모듈이 성공적으로 준비된다. 3D 노출 모듈의 가장 큰 장점은 긴 서비스 수명, 저렴한 비용, 좁은 인쇄 간격 및 고해상도입니다. 고분해능 미세 가공 공정에 필요한 균일하고 얇은 레지스트 막을 섬유 위에 준비하기위한 새로운 스프레이 코팅 시스템이 개발되었다. 125μm 직경의 광섬유에 대한 스프레이 증착 공정이 체계적으로 연구되었다. 섬유상의 스프레이 - 코팅 침착 공정이 주로...
Te 도핑 된 GaSb 단결정은 홀 효과, 적외선 (IR) 전송 및 포토 루미 네 슨스 (PL) 스펙트럼을 측정하여 연구됩니다. Te 도핑 농도 및 전기적 보상의 임계 제어에 의해 IR 투과율이 n 형 GaSb가 60 %까지 높게 얻어지는 것을 알 수있다. 천연 수용체 - 관련 결함의 농도는 Te- 도핑 된 GaSb undoped하고 무겁게 Te 도핑 GaSb에 비해. 높은 IR 투과율에 대한 메커니즘은 결함 관련 광 흡수 공정을 고려하여 분석됩니다. 출처 : IOPscience 실리콘 질화물 결정 구조와 같은 우리의 제품에 관한 더 자세한 정보는, 플로트 존 웨이퍼 , 실리콘 카바이드 웨이퍼 우리의 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오.ang...
저온 성장 GaAs (LT-GaAs) 를 사용하여 광전도 안테나(PCA)의 효율을 개선했습니다 . 우리는 LT-GaAs 광전도층의 물리적 특성이 테라헤르츠(THz)파의 생성 및 검출 특성에 큰 영향을 미친다는 것을 발견했습니다. THz 세대에서 높은 광여기 캐리어 이동도와 LT-GaAs 에 몇 개의 As 클러스터가 존재하는 것이 두 가지 중요한 요소입니다. 검출 시 짧은 캐리어 수명 및 LT-GaAs 의 다결정 구조 부재중요한 요소입니다. 이러한 물리적 특성을 최적화함으로써 기존의 상용 PCA에서 얻은 것보다 THz 생성 및 감지의 총 동적 범위를 15dB 향상시켰습니다. 또한 반절연 GaAs(SI-GaAs) 기판을 THz 영역에서 흡수율이 낮은 Si 기판으로 교체했습니다. Si 기판 위에 절연성이 높은 A...
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