Te 도핑 된 GaSb 단결정은 홀 효과, 적외선 (IR) 전송 및 포토 루미 네 슨스 (PL) 스펙트럼을 측정하여 연구됩니다. Te 도핑 농도 및 전기적 보상의 임계 제어에 의해 IR 투과율이 n 형 GaSb가 60 %까지 높게 얻어지는 것을 알 수있다. 천연 수용체 - 관련 결함의 농도는 Te- 도핑 된 GaSb undoped하고 무겁게 Te 도핑 GaSb에 비해. 높은 IR 투과율에 대한 메커니즘은 결함 관련 광 흡수 공정을 고려하여 분석됩니다. 출처 : IOPscience 실리콘 질화물 결정 구조와 같은 우리의 제품에 관한 더 자세한 정보는, 플로트 존 웨이퍼 , 실리콘 카바이드 웨이퍼 우리의 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오.ang...
본 논문에서는 완전 결합 3 차원 전기 열 소자 시뮬레이터를 사용하여 평면에서 고전류 작동시 효율 저하 메커니즘을 연구한다 지 에이 N 계 발광 다이오드 (LED). 특히, 더 두꺼운 전도성 GaN 기판을 사용하여 효율 저하의 개선이 입증되었다. 첫째, 얇은 도전성 GaN 기판 내부의 국지 줄 열 (Joule heating)은 내부 양자 효율 (IQE)을 저하시키고 직렬 저항을 증가시킨다. 그 후, 더 두꺼운 도전성 GaN 기판과 기판 내부의 전류 밀도 및 온도의 시뮬레이션 된 분포를 도입했습니다. 그 내부의 최대 전류 밀도는 GaN 기판 두께가 5 μm 인 기판에 비해 100 μm 두께 기판의 경우 약 6 배 정도 감소합니다. 따라서 최대 접합 온도가 낮아지고 IQE 및 구동 전압이 향상됩니다. 본 연구는...
균질 재료의 경우, 주로 Newton 's 알고리즘을 기반으로하는 수치 최적화 과정과 관련된 초음파 침지 법을 사용하여 다양한 합성 및 천연 복합 재료에 대한 탄성 상수를 결정할 수 있습니다. 그럼에도 불구하고 고려 대상 물질이 동질성 가설의 한계에있을 때 기존 최적화 절차의 주요 한계가 발생합니다. 이는 짠 양방향 SiC 매트릭스의 경우이며, SiC 섬유 복합 재료. 본 연구에서는 2D SiC의 탄성 상수 결정을위한 두 가지 수치 적 방법을 개발했다. SiC 복합 재료 (2D SiC / SiC). 첫 번째 것은 Newton의 알고리즘을 기반으로합니다. 탄성 상수는 실험 속도와 계산 속도 간의 제곱 편차를 최소화하여 얻습니다. 두 번째 방법은 Levenberg-Marquardt 알고리즘을 기반으로합니...
직접 접착 된 1.5 μm 두께의 GaInAsP 레이저 다이오드 (LD)의 결합 온도에 따른 레이 징 특성 InP 기판 또는 Si 기판 성공적으로 획득되었다. 우리는 InP 기판 또는 Si 기판에 350, 400, 450 ℃의 접착 온도에서 직접 친수성 웨이퍼 본딩 기술을 사용하고, 증착 된 GaInAsP 또는 InP 이중 헤테로 구조 층 이 InP / Si 기판 상에 형성된다. 이들 결합 온도에서 표면 조건, X- 선 회절 (XRD) 분석, 광 발광 (PL) 스펙트럼 및 성장 후 전기적 특성을 비교 하였다. 이러한 결합 온도에서 X 선 회절 분석 및 PL 스펙트럼에서 유의 한 차이는 확인되지 않았다. 우리는 350 ℃와 400 ℃에서 접합 된 InP / Si 기판상의 GaInAsP LD의 실온 레이 징을 ...
저온 성장 GaAs (LT-GaAs) 를 사용하여 광전도 안테나(PCA)의 효율을 개선했습니다 . 우리는 LT-GaAs 광전도층의 물리적 특성이 테라헤르츠(THz)파의 생성 및 검출 특성에 큰 영향을 미친다는 것을 발견했습니다. THz 세대에서 높은 광여기 캐리어 이동도와 LT-GaAs 에 몇 개의 As 클러스터가 존재하는 것이 두 가지 중요한 요소입니다. 검출 시 짧은 캐리어 수명 및 LT-GaAs 의 다결정 구조 부재중요한 요소입니다. 이러한 물리적 특성을 최적화함으로써 기존의 상용 PCA에서 얻은 것보다 THz 생성 및 감지의 총 동적 범위를 15dB 향상시켰습니다. 또한 반절연 GaAs(SI-GaAs) 기판을 THz 영역에서 흡수율이 낮은 Si 기판으로 교체했습니다. Si 기판 위에 절연성이 높은 A...
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