상온에서 낮은 자기장 하에서 큰 자기 저항 (mr) 효과를 얻기 위해서는 여전히 반도체 기반 디바이스가 큰 도전 과제이다. 이 논문에서, 상온에서의 다양한 강도의 조사 하에서 광 유발 된 mr 효과가 반 절연성 갈륨 아세 나이드 ( 시가가 ) 기반 ag / si-gaas / ag 장치. 장치는 약 395 nm-405 nm 범위의 파장을 갖는 발광 다이오드 (led) 램프 비드에 의해 공급되는 광의 조사를 받고, 각각의 조사 된 램프 비드의 작동 전력은 약 33 mw이다.
(b = 0.001 t)에서 mr 감도 s (s = mr / b)는 15 t-1에 도달 할 수있다. 광 유도 된 전자와 정공의 재결합은 양이온에 의한 광 유발 효과를 나타내는 것으로 밝혀졌다. 이 연구는 매우 낮은 고유 전하 캐리어 농도를 갖는 비자 성 반도체 소자에서 낮은 자기장 하에서 높은 광에 의한 유도가 얻어 질 수 있음을 의미한다.
출처 : iopscience
자세한 내용은 다음을 방문하십시오. 우리의 웹 사이트 :www.semiconductorwafers.net ,
이메일을 보내주십시오.angel.ye@powerwaywafer.com 또는powerwaymaterial@gmail.com
연락처 정보
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
