GaSb 박막 성장의 직교 실험 GaAs 기판 저압 금속 - 유기 화학 기상 증착 (LP-MOCVD) 시스템을 사용하여 설계 및 수행되었다. 제조 된 필름의 결정 성 및 미세 구조를 비교 분석하여 최적 성장 파라미터를 달성 하였다. 최적화 된 GaSb 박막은 (004) ω- 로킹 커브의 반치폭 (358 arc sec)이 좁고, 제곱 평균 제곱근 거칠기가 약 6 nm 인 매끄러운 표면을 가지며, 이는 헤테로 에피 택셜 단결정 막의 경우에 전형적이다. 또한 Raman 스펙트럼을 이용하여 GaSb 박막의 층 두께가 전위 밀도에 미치는 영향을 연구 하였다. 우리의 연구가 고결 정성 GaSb 박막 메인 스트림 성능의 전자 장치에서 제작 된 중 적외선 장치의 통합 확률을 높일 수 있습니다. 출처 : iopscience...
Si에서 에피택셜 SiC 필름의 성장에 대한 최근의 발전을 개관합니다. 현재 SiC 필름의 성장에 사용되는 기본적인 고전적 방법에 대해 논의하고 장단점을 탐구합니다. 에피택셜 SiC 필름 의 새로운 합성 방법에 대한 기본 아이디어 및 이론적 배경Si에 주어진다. 새로운 방법은 기판 표면에 원자를 증발시키는 고전적인 박막 성장 기술과 상당히 다르다는 것을 보여줄 것입니다. 새로운 방법은 탄화 규소 분자를 형성하기 위해 실리콘 매트릭스의 일부 원자를 탄소 원자로 대체하는 것을 기반으로 합니다. SiC 핵 생성의 다음 공정은 실리콘 매트릭스의 결정 구조를 파괴하지 않고 점진적으로 발생하고, 성장된 막의 배향은 실리콘 매트릭스의 원래 결정 구조에 의해 부과됨을 보여줍니다(아래에서와 같이 기판 표면뿐만 아니라). 일...
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