pam-xiamen은 고품질의 갈륨 안티몬화물 (가스) 단결정 잉곳을 재배합니다. 우리는 또한 라운드, 톱질, 랩 및 광택 가스 웨이퍼를 보았고 epi-ready 표면 품질을 제공 할 수 있습니다. 가스 브 크리스털은 6n 순수 GA 및 SB 원소에 의해 형성된 화합물이며, epd \u0026 lt; 1000 cm-3. gasb 결정은 mbe 또는 mocvd 에피 택셜 성장에 적합한 전기적 파라미터 및 낮은 결함 밀도의 높은 균일 성을 갖는다. 우리는 정확한 또는 오프 오리 엔테이션, 낮은 또는 높은 도핑 된 농도와 좋은 표면 마무리에 넓은 선택과 함께 \"에피 준비\"휘발유 제품을 가지고 있습니다. 자세한 제품 정보는 당사에 문의하십시오. 1) 2 \", 3\"개스 웨이퍼 방향 : (100) ± 0.5 °...
매우 인장 변형이 심한 sub-monolayer ge nanostructures on 가스통 분자 빔 에피 택시 (molecular beam epitaxy)에 의해 성장되었고 초고 진공 주사 터널링 현미경에 의해 연구되었다. gasb에서 ge 나노 구조의 4 가지 적용 범위가 달성되고 조사된다. gasb에서 Ge의 성장이 2d 성장 모드를 따른다는 것을 알 수있다. 하위 단층의 결정 격자 GE 나노 구조물은 가스 나노 튜브의 응집력과 일관성이 있으며, 나노 구조물에서 7.74 %의 인장 변형을 추정한다. 출처 : iopscience 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오.angel.ye@powerwaywafer.com 또는po...
Te 도핑 된 GaSb 단결정은 홀 효과, 적외선 (IR) 전송 및 포토 루미 네 슨스 (PL) 스펙트럼을 측정하여 연구됩니다. Te 도핑 농도 및 전기적 보상의 임계 제어에 의해 IR 투과율이 n 형 GaSb가 60 %까지 높게 얻어지는 것을 알 수있다. 천연 수용체 - 관련 결함의 농도는 Te- 도핑 된 GaSb undoped하고 무겁게 Te 도핑 GaSb에 비해. 높은 IR 투과율에 대한 메커니즘은 결함 관련 광 흡수 공정을 고려하여 분석됩니다. 출처 : IOPscience 실리콘 질화물 결정 구조와 같은 우리의 제품에 관한 더 자세한 정보는, 플로트 존 웨이퍼 , 실리콘 카바이드 웨이퍼 우리의 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오.ang...
GaSb 박막 성장의 직교 실험 GaAs 기판 저압 금속 - 유기 화학 기상 증착 (LP-MOCVD) 시스템을 사용하여 설계 및 수행되었다. 제조 된 필름의 결정 성 및 미세 구조를 비교 분석하여 최적 성장 파라미터를 달성 하였다. 최적화 된 GaSb 박막은 (004) ω- 로킹 커브의 반치폭 (358 arc sec)이 좁고, 제곱 평균 제곱근 거칠기가 약 6 nm 인 매끄러운 표면을 가지며, 이는 헤테로 에피 택셜 단결정 막의 경우에 전형적이다. 또한 Raman 스펙트럼을 이용하여 GaSb 박막의 층 두께가 전위 밀도에 미치는 영향을 연구 하였다. 우리의 연구가 고결 정성 GaSb 박막 메인 스트림 성능의 전자 장치에서 제작 된 중 적외선 장치의 통합 확률을 높일 수 있습니다. 출처 : iopscience...
연락처 정보
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
