n형 및 p형 실리콘 웨이퍼의 공간 분해 도펀트 농도 [2.2] Nd 및 전기 저항률 ρ에 대한 비접촉식 비파괴 이미징 방법다양한 레이저 조사 강도에서 고정 캐리어그래피 이미지를 사용하는 것이 제시됩니다. 알려진 저항률을 가진 웨이퍼 사이트의 진폭 및 위상 정보를 사용하여 절대 캐리어 생성률을 정확하게 결정하기 위한 보정 계수를 도출했습니다. 도펀트 밀도 이미지를 추출하기 위해 포토캐리어 방사 측정 신호의 비선형 특성에 기반한 주파수 영역 모델을 사용했습니다. 이 방법론을 통해 얻은 n형 및 p형 웨이퍼의 저항률 측면 변화는 기존의 4점 프로브 측정으로 얻은 것과 매우 일치하는 것으로 나타났습니다. 이 모든 광학 비접촉식 방법은 도핑 밀도 및 전기 저항 측정과 넓은 반도체 영역에 대한 이미지를 위한 비파괴 ...
Si에서 에피택셜 SiC 필름의 성장에 대한 최근의 발전을 개관합니다. 현재 SiC 필름의 성장에 사용되는 기본적인 고전적 방법에 대해 논의하고 장단점을 탐구합니다. 에피택셜 SiC 필름 의 새로운 합성 방법에 대한 기본 아이디어 및 이론적 배경Si에 주어진다. 새로운 방법은 기판 표면에 원자를 증발시키는 고전적인 박막 성장 기술과 상당히 다르다는 것을 보여줄 것입니다. 새로운 방법은 탄화 규소 분자를 형성하기 위해 실리콘 매트릭스의 일부 원자를 탄소 원자로 대체하는 것을 기반으로 합니다. SiC 핵 생성의 다음 공정은 실리콘 매트릭스의 결정 구조를 파괴하지 않고 점진적으로 발생하고, 성장된 막의 배향은 실리콘 매트릭스의 원래 결정 구조에 의해 부과됨을 보여줍니다(아래에서와 같이 기판 표면뿐만 아니라). 일...
연락처 정보
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
