pam-xiamen은 고품질의 갈륨 안티몬화물 (가스) 단결정 잉곳을 재배합니다. 우리는 또한 라운드, 톱질, 랩 및 광택 가스 웨이퍼를 보았고 epi-ready 표면 품질을 제공 할 수 있습니다. 가스 브 크리스털은 6n 순수 GA 및 SB 원소에 의해 형성된 화합물이며, epd \u0026 lt; 1000 cm-3. gasb 결정은 mbe 또는 mocvd 에피 택셜 성장에 적합한 전기적 파라미터 및 낮은 결함 밀도의 높은 균일 성을 갖는다. 우리는 정확한 또는 오프 오리 엔테이션, 낮은 또는 높은 도핑 된 농도와 좋은 표면 마무리에 넓은 선택과 함께 \"에피 준비\"휘발유 제품을 가지고 있습니다. 자세한 제품 정보는 당사에 문의하십시오. 1) 2 \", 3\"개스 웨이퍼 방향 : (100) ± 0.5 °...
우리는 하이브리드 밀도 함수 이론 접근법 (dft)을 사용하여 질화 갈륨의 공극 결함의 전이 에너지 준위를 조사했다. 우리는 순전히 국부적으로 dft의 수준에 대한 최근의 연구에서 예측 한 것과는 달리, 가려진 교환의 포함은 가전 자대 (valence band)에 가까운 fermi 에너지에 대한 질소 공공의 삼중 양극 충전 상태를 안정화 시킨다는 것을 보여준다. 다른 한편으로, 질소 공공의 음전하 상태와 관련된 결함 준위는 높은 n- 도핑을 제외하고는 전도대와 혼성화되어 에너지 적으로 바람직하지 못하게된다. 갈륨 공석의 경우, sx-lda에서 강한 상호 작용으로 인한 상향 스핀과 하향 스핀 밴드 사이의 증가 된 자기 분열은 결함 레벨을 밴드 갭으로 깊숙이 밀어 넣고 관련 전하 전이 준위를 상당히 증가시킵니다...
www.semiconductorwafers.net 다이렉트 웨이퍼 본딩 기술은 두 개의 매끄러운 웨이퍼를 통합 할 수 있으므로 격자 불일치가있는 III-V 다 접합 태양 전지를 제조하는 데 사용할 수 있습니다. gainp / gaas와 ingaasp / ingaas subcells 사이를 모 놀리 식으로 연결하기 위해, 결합 된 ga / inp 헤테로 접합은 높은 전도성 오믹 접합 또는 터널 접합이어야한다. 3 가지 유형의 접합 계면은 도체 유형 및 도핑 요소를 조정하여 설계되었다. 가아 과 inp . p-GaAs (n 형 도핑) / n-inp (si 도핑), p-gaas (c 도핑) / n-inp (si 도핑) 및 n-gaas (si 도핑) / n-inp ) 결합 헤테로 접합을 i-v 특성으로부터 분석 하...
직접 다이오드 레이저는 가장 매력적인 특징 중 일부를 가지고 있습니다. 원자 램프. 그들은 매우 효율적이고, 콤팩트하며, 파장이 다용도이며, 저비용이며 신뢰성이 높습니다. 그러나 직접 다이오드 레이저의 완전한 이용은 아직 실현되지 않았다. 저질의 다이오드 레이저 빔 자체는 다이오드 레이저 빔 특성의 정확한 이해를 요구하는 광학 시스템의 적절한 보정을 필요로 다이오드 레이저 스택의 더 나은 사용을 위해 그 적용 범위에 직접 영향을 미친다. 다이오드 레이저는 적은 전력으로 미세한 비드를 만드는 데 적합한 장방형 빔 패턴으로 인해 실용적인 응용을 가능하게 할 수있다. 그러므로 다이오드 레이저 클래딩은 손상된 기계 부품의 수리 분야를 개척 할 것이며 이는 중고 기계의 재활용 및 비용 절감에 기여해야합니다. 출처 :...
최근의 에피 택셜 막의 성장에 대한 개요를 살펴 본다. 현재 근원 영화의 성장에 사용되는 기본 고전적 방법이 논의되고 그 장점과 단점이 탐구된다. Si 상에 에피 택셜 막을 합성하는 새로운 방법에 대한 기본 아이디어 및 이론적 배경이 제시되어있다. 새로운 방법은 기판 표면에 원자의 증발이 이용되는 박막 성장의 고전적 기술과 현저히 다르다는 것을 알 수있다. 새로운 방법은 실리콘 매트릭스 내의 일부 원자가 탄소 원자에 의해 치환되어 분자를 형성하는 것을 기본으로한다. 탄화 규소 . 실리콘 매트릭스의 결정 구조를 파괴하지 않으면 서 다음과 같은 핵 생성의 후속 공정이 발생하고, 성장 된 필름의 배향은 실리콘 매트릭스의 원래 결정 구조에 의해 부과된다는 것을 알 수있다 ( 필름 성장의 전통적인 방법). 새로운 에...
상온에서 낮은 자기장 하에서 큰 자기 저항 (mr) 효과를 얻기 위해서는 여전히 반도체 기반 디바이스가 큰 도전 과제이다. 이 논문에서, 상온에서의 다양한 강도의 조사 하에서 광 유발 된 mr 효과가 반 절연성 갈륨 아세 나이드 ( 시가가 ) 기반 ag / si-gaas / ag 장치. 장치는 약 395 nm-405 nm 범위의 파장을 갖는 발광 다이오드 (led) 램프 비드에 의해 공급되는 광의 조사를 받고, 각각의 조사 된 램프 비드의 작동 전력은 약 33 mw이다. (b = 0.001 t)에서 mr 감도 s (s = mr / b)는 15 t-1에 도달 할 수있다. 광 유도 된 전자와 정공의 재결합은 양이온에 의한 광 유발 효과를 나타내는 것으로 밝혀졌다. 이 연구는 매우 낮은 고유 전하 캐리어 농도를 ...
3 인치 Fe 도핑 된 상태에서 전위 밀도를 감소시키는 공정 inp 웨이퍼 설명한다. 결정 성장 과정은 종래의 액체 캡슐화 된 초크 랄 스키 (lec)이지만 성장하는 결정의 온도 구배를 감소시키기 위해 열 실드가 추가되었다. 이 차폐물의 모양은 열 전달 및 열역학적 응력의 수치 시뮬레이션을 통해 최적화되었습니다. 이 과정은 계산과 실험 사이의 지속적인 피드백으로 단계적으로 수행되었습니다. 열 응력의 50 % 감소가 얻어졌다. (epd) 및 x- 선 회절 (xrd) 맵핑에 의해 전위 밀도에 대한 이러한 개선의 효과가 조사되었다 : 전위 밀도가 결정의 상부에서 특히 감소했다 (70,000 내지 40,000 cm- 2), 따라서 마이크로 일렉트로닉스 애플리케이션의 사양과 일치합니다. s- 도핑 된 3 인치 웨이퍼...
inas 세그먼트는 처음에 실리콘 기판 상에 액적 에피 택시에 의해 생성 된 가오스 섬 (gaas island) 위에 성장되었다. 우리는 inas 퇴적을위한 성장 매개 변수 공간을 체계적으로 탐구하고, 선택 성장을위한 조건을 확인했습니다. 가아 순전히 축 성장을 위해서. 축 방향 inas 부분은 아래쪽에있는 가우 스베이스 섬에 비해 측벽이 30 $ ^ {{} ^ circ $만큼 회전하여 형성되었다. 싱크로트론 X- 선 회절 실험 결과, inas 세그먼트는 주로 아연광 결정 구조와 스태킹 결함이있는 가우시 (ga) 상단에서 편안하게 성장합니다. 출처 : iopscience 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오.angel.ye@...
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