InSb SiO2 / Si 기판 상에 마그네트론 스퍼터링에 의해 다양한 두께의 막을 증착 한 후, 17MeV Au + 7 이온을 조사 하였다. 이온 조사에 의해 유도 된 구조적 및 전자적 변화는 싱크로트론 및 실험실 기반 기술로 조사되었다. InSb의 이온 조사는 연속 기포 고체 폼의 컴팩트 필름 (비정질 및 다결정)을 변형시킵니다. 다공성의 초기 단계는 투과 전자 현미경 분석에 의해 조사되었으며, 다공성 구조가 직경이 약 3 nm 인 작은 구형 공극으로 시작됨이 밝혀졌습니다. 다공성의 진화는 주사 전자 현미경 이미지에 의해 조사되었으며, 이는 조사량이 증가함에 따라 필름 두께가 최대 16 배 증가 함을 보여줍니다. 여기에서는 1014 cm-2 이상의 플루 언스에서 17 MeV Au + 7 이온을 조사하면 비정질 InSb 필름이 다결정 폼이된다는 것을 보여줍니다. 막은 조사되지 않은 필름의 열적 어닐링에 의해 달성 된 다결정 구조와 유사하게 무작위로 배향 된 미결정을 갖는 징크 브렌드 상을 얻는다.
출처 : IOPscience
자세한 내용은 다음을 방문하십시오. 우리의 웹 사이트 :www.semiconductorwafers.net ,
이메일을 보내주십시오.angel.ye@powerwaywafer.com 또는powerwaymaterial@gmail.com
연락처 정보
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
