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GaSb-on-insulator 응용을위한 웨이퍼 본딩 된 GaSb / 비정질 α- (Ga, As) / GaAs 구조의 계면 및 기계적 특성

2018-11-07

이 연구에서 GaSb 반도체를 제조하기 위해 웨이퍼 본딩 기술을 사용하는 가능성 GaAs 기판 잠재적으로 GaSb- 온 - 절연체 구조 입증되었습니다. GaSb 웨이퍼는 2 종류의 GaAs 기판 상에 접합되었다 :
(1) 통상의 단결정 반도체 반 절연 GaAs 기판
(2) 미리 증착 된 저온 비정질 α- ( Ga, As ) 레이어.
이러한 웨이퍼 결합 반도체에 대한 미세 구조 및 계면 접착 연구가 수행되었습니다. GaSb-on-α- ( Ga, As ) 웨이퍼는 향상된 인터페이스 접착 및보다 낮은 온도 결합 능력을 나타내었다.


출처 : iopscience


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