\"micropore\", \"microtube\", \"capillary defect\"또는 \"pinhole defect\"라고도 불리는 마이크로 파이프는 단결정 기판의 결정 학적 결함입니다. 실리콘 카바이드 (SiC) 기판 제조사에게는 중요한 파라미터입니다. 차량 및 고주파 통신 기기 용 전력 반도체 소자 등 다양한 산업 분야에서 사용되고있다.
그러나, 이러한 물질의 제조 중에, 결정은 원자 격자 내에서 결함 또는 전위의 성장을 야기하는 내부 및 외부 응력을 겪는다.
스크류 전위는 결정 격자 내의 연속하는 원자 평면을 나선형으로 변형시키는 일반적인 전위이다. 일단 웨이퍼의 성장 과정에서 스크류 전위가 시료의 대부분을 통해 전파되면, 마이크로 파이프가 형성된다. 웨이퍼 내에서 고밀도의 마이크로 파이프가 존재하면 디바이스 제조 공정에서 수율을 잃게된다.
에피 택 셜층 내의 마이크로 파이프 및 스크류 전위는 일반적으로 에피 택시가 수행되는 기판으로부터 유도된다. 마이크로 파이프는 큰 변형 에너지를 갖는 빈 코어 스크루 전위로 간주된다 (즉, 대형 햄버거 벡터를 갖는다). 그들은 증착 된 에피 택 셜층으로 전파되는 실리콘 카바이드 부울 및 기판에서 성장 방향 (c 축)을 따른다.
마이크로 파이프 (및 다른 결함)의 형성에 영향을 미치는 인자는 온도, 과포화, 기상 화학량 론, 불순물 및 종 결정 표면의 극성과 같은 성장 파라미터이다.
마이크로 파이프 밀도 (mpd)는 이들 기판 상에 제조 된 반도체 장치의 품질, 안정성 및 수율을 결정하는 탄화 규소 (SiC) 기판에 대한 중요한 파라미터이다. mpd의 중요성은 6h 및 4h 기판에 대한 기존의 모든 규격이 이에 대한 상한을 설정한다는 사실에 의해 강조된다.
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