소개 게르마늄 (Ge) (TiO2)는 매력적인 반도체를 만듭니다. 새로운 반도체는 티타니아 - 게르마늄 (TiO2-Ge)으로 명명되었습니다. Ge 도트는 TiO2-Ge의 왜곡 된 TiO2 매트릭스에 분산되어있다. Ge의 Bohr 반경은 24.3 nm이므로 양자점 효과 (QCE)로 인해 Bohr 반경보다 작 으면 Ge 도트의 특성을 변경할 수 있습니다. 따라서, 단순히 Ge 농도를 변화시킴으로써, TiO2-Ge의 형태가 광범위하게 변화 될 수있다. 따라서, TiO2-Ge의 광학적, 전자적 및 열적 특성을 맞출 수 있습니다. TiO2-Ge는 차세대 광전지 및 열전 소자의 유망한 재료가됩니다. 또한 사진 - 열전기 응용 분야에도 사용할 수 있습니다.
출처 : IOPscience
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