샤먼 powerway 첨단 재료 공동. 주식 회사, 선도적 인 공급 업체 알가미 에스 레이어 및 기타 관련 제품 및 서비스는 2017 년에 양산중인 2 \"-3\"크기의 새로운 가용성을 발표했습니다.이 신제품은 pam-xiamen의 제품 라인에 자연스럽게 추가되었습니다.

박사. 샤카는 \"우리는 알가사 (700 nm-1100 nm) 이중 헤테로 구조의 레이저 다이오드에 대해보다 우수하고 신뢰할 수있는 많은 제품을 개발하여 고객에게 제공 할 수 있습니다. 우리의 알가사 층은 우수한 성질을 가지고 있으며, 가교 기반 헤테로 구조 장치의 배리어 물질로 사용됩니다. 그만큼 알가사 층은 전자를 갈륨 비소 영역에 한정시킨다. 그러한 장치의 예는 양자 우물 적외선 광 검출기 (qwip)이다. 가용성은 부울 성장 및 웨이퍼 프로세스를 개선합니다. \"그리고\"우리 고객들은 이제 사각형 기판 상에 고급 트랜지스터를 개발할 때 예상되는 디바이스 수율의 이점을 활용할 수 있습니다. 우리의 알가사 층은 우리의 지속적인 노력의 산물이며, 현재 우리는보다 신뢰할 수있는 제품을 지속적으로 개발하기 위해 노력하고 있습니다. \"

pam-xiamen 님이 향상되었습니다. 알가사 제품 라인은 강력한 기술의 혜택을 입었습니다. 네이티브 대학 및 실험실 센터의 지원.

이제 다음과 같은 예를 보여줍니다.

가면 기질에 3 \"algaas / gaas / algaas

각 에피 층의 두께 1μm

ga 층의 도판 트 밀도는 10 ^ 17-10 ^ 18 / cm3

al_xga_1-xas 화학 양롞 x ~ 0.3

하문 powerway 첨단 재료 공동.

xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) 중국에서 화합물 반도체 소재의 선도적 인 제조 업체입니다. pam-xiamen은 첨단 결정 성장 및 에피 택시 기술, 제조 공정, 설계 기판 및 반도체 소자를 개발합니다. pam-xiamen의 기술은 반도체 웨이퍼의 고성능 및 저비용 제조를 가능하게합니다.

약 알가사

알루미늄 갈륨 비화물 (또한 갈륨 알루미늄 비화물) (alxga1-xas)은가 스와 거의 동일한 격자 상수를 가지지 만 더 큰 밴드 갭을 갖는 반도체 재료입니다. 위의 공식에서 x는 0과 1 사이의 숫자입니다. 이것은 가나와 아아 사이의 임의의 합금을 나타냅니다. 공식 algaas는 특정 비율보다는 오히려 상기의 축약 된 모양이라고 여겨 져야한다. 밴드 갭은 1.42 ev (gaas)와 2.16 ev (alas) 사이에서 다양하다. x \u0026 lt; 0.4, 밴드 갭은 직접적이다. 굴절률은 kramers-kronig 관계를 통해 밴드 갭과 관련이 있으며 2.9 (x = 1)와 3.5 (x = 0) 사이에서 변합니다. 이것은 vcsels 및 rcleds에서 사용되는 브래그 거울의 건설을 허용합니다.

q \u0026 a

q : i = \"2\"및 3 \"웨이퍼에서 성장한 맞춤형 에일 라이저 /가에 / 알가 스의 스택을 가진 가우스 웨이퍼를 찾고, 각각의 에필 레이어는 1 미크론의 두께를 가지며, 10 ^ 가우 스 및 장벽 층 모두 17-10 ^ 18 / cm3,

al_xga_1-xas 화학 양롞 x ~ 0.3

a : 가능합니다.

q : 당신이 우리에게 준 인용문은 두께가 2μm 인 al_0.7 ga_0.3 layer를 가진 220nm가 상층을위한 것입니다. 이제 우리는 3μm 두께의 al_0.7 ga_0 위에 250nm ga 층을 구입하는 데 관심이 있습니다. 3 층으로. 그런 웨이퍼를 만들 수 있습니까?

a : 예, 위의 두 웨이퍼를 모두 공급할 수 있습니다.

자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net ,

이메일을 보내주십시오. angel.ye@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com .