원위치 연구 및 플라즈마 강화 원자 층 증착 (pe-ald)의 제어를위한 광 방출 분광학의 능력갈륨 인화물수소에 의해 운반 된 포스 핀 및 트리메틸 갈륨으로부터 탐구되었다. 붕괴 과정 동안 변화하는 가스 성분은 포스 핀 및 수소 라인에 대한 광 방출 강도의 인 시츄 (in situ) 측정에 의해 모니터링되었다. 인 및 갈륨 증착 단계가 시간에 분리되어있는 팹 프로세스에서, 과도한 인의 축적이 챔버 벽에 미치는 부정적인 영향이 관찰되었다. 실제로, ph3 분해 단계 동안 벽에 증착 된 인은 제어 불가능하고 원치 않는 종래의 플라즈마 강화 화학 기상 증착을 유도하는 다음의 트리메틸 갈륨 분해 단계 동안 수소 플라즈마에 의해 에칭된다. 이 효과를 줄이기 위해 갈륨 증착 단계를 시작하기 전에 잉여 인을 식각하고 원자 층 증착 성장 모드를 달성 할 수있는 수소 플라즈마 에칭 단계를 도입하는 것이 제안되었다.
출처 : iopscience
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