갈륨 인듐 비소라고도하는 인듐 갈륨 비소 (ingaas)는 인듐, 갈륨 및 비소의 세 가지 화학 원소로 구성된 화합물의 일반적인 이름입니다. 인듐과 갈륨은 둘 다 붕소 그룹 원소이며, 흔히 \"그룹 iii\"이라고 불리우는 반면, 비소는 하나의 pnictogen 또는 \"group v\"원소입니다. 반도체 물리에서 이러한 그룹의 원소 화합물은 흔히 \"iii-v\"화합물이라고 불립니다. 그들은 동일한 그룹에 속하기 때문에 인듐과 갈륨은 화학 결합에서 비슷한 역할을하며인가는 종종 갈륨 비소와 인듐 비소의 합금으로 간주되며 그 속성은 두 가지 중간에 있고 갈륨과 인듐의 비율에 따라 다릅니다 . 일반적인 조건에서 잉태는 반도체이며 광전자 공학 기술에서 특히 중요합니다. 그 이유는 광범위하게 연구되어 왔습니다.
현재 우리는 다음과 같이 새로운 2 \"ingaas 구조 웨이퍼를 제공 할 수 있습니다 :
구조 1 :
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inp (도핑되지 않음) (4 ~ 5 nm) |
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in0.53ga0.47as (가볍게 p 유형) (20 nm) |
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inp (도핑되지 않음) (30 nm) |
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in0.52al0.48as (살짝 p 타입) (100 ~ 200 nm) |
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2 인치 inp sub. (도핑되지 않은 또는 p 형) |
구조 2 :
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n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, 더 높다) |
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inp (도핑되지 않음) (~ 3 nm) |
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in0.53ga0.47as (도핑되지 않은) (10nm) |
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in0.52al0.48as (도핑되지 않음) (100 ~ 200nm) |
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2 인치 inp |
구조 3
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n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, 더 높다) |
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inp (도핑되지 않음) (3 ~ 5 nm) |
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in0.7ga0.3as (도핑되지 않은) (3nm) |
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inas (도핑되지 않음) (2 nm) |
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in0.53ga0.47as (도핑되지 않은) (5nm) |
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in0.52al0.48as (도핑되지 않은) (200nm) |
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si (웨이퍼 크기 : 큰 쪽이 좋습니다.) |
: 구조 4 :
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inp (도핑되지 않음) (4 ~ 5 nm) |
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in0.53ga0.47as (가볍게 p 유형) (20 nm) |
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in0.52al0.48as (도핑되지 않은) (10nm) |
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필요한 버퍼층 |
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시 |
: 구조 5 :
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n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, 더 높다) |
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inp (도핑되지 않음) (~ 3 nm) |
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in0.53ga0.47as (도핑되지 않은) (10nm) |
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in0.52al0.48as (도핑되지 않은) (10nm) |
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버퍼층 |
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시 |
출처 : pam-xiamen
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