저에너지 이온빔 증착 시스템의 설계 및 특성이 논의된다. 시스템에서, 100 ev의 에너지를 갖는 금속 이온은 4-5 μa / cm2의 전류 밀도로 기판 상에 증착된다. 게르마늄 단결정 막은 게르마늄 300 ° C 이상의 기판 온도에서 실리콘 (111) 및 실리콘 (111) 기판 200 ° C 이하의 증착의 경우, 필름은 비정질이며 300 ° C 이상의 어닐링에 의해 재결정된다. 500eV 이상의 이온 에너지가 사용될 때, 기판의 스퍼터링이 지배적이며, Ge + 이온 및 실리콘 기판 조합에 대해서는 증착이 관찰되지 않는다. 그 결과는 저에너지 이온 빔 증착에 의해 박막을 성장시키는 가능성을 보여 주었다.
soource : iopscience
자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net ,
보내다우리 이메일 angel.ye@powerwaywafer.com에서 또는 powerwaymaterial@gmail.com
연락처 정보
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
