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자립형 독립 기판
pam-xiamen은 uhb 주도 및 ld 용 프리 스탠딩 (gallium nitride) 기판 웨이퍼 용 제조 기술을 확립했습니다. (hydride vapor phase epitaxy, hvpe) 기술에 의해 성장한 우리의 gan 기판은 결함 밀도가 낮습니다. -
응용 프로그램
실리콘 카바이드 기반의 디바이스는 물리적 및 전기적 특성으로 인해 si 및 gaas 기반 디바이스에 비해 단파 광전자, 고온, 방사 저항 및 고출력 / 고주파 전자 디바이스에 적합하다.인기 태그 : 응용 프로그램 웨이퍼 칩 웨이퍼 에칭 구조 다이오드 실리콘 카바이드 특성 실리콘 카바이드 MOSFET
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가 스 (갈륨 비소) 웨이퍼
pwam은 화합물 반도체 기판 인 갈륨 아세 나이드 결정체와 웨이퍼를 개발 및 제조합니다. 우리는 첨단 결정 성장 기술, 수직 구배 동결 (vgf) 및 가우스 웨이퍼 처리 기술을 사용하고 있으며, 결정 성장, 절단, 연삭에서 연마 가공 및 웨이퍼 청소 및 포장을위한 100 가지 클린 룸. 우리의 gaas 웨이퍼는 led, ld 및 microelectronics 응용 분야에 2 ~ 6 인치 주괴 / 웨이퍼를 포함합니다. 우리는 항상 현재 하위 상태의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발하기 위해 노력하고 있습니다. -
웨이퍼 인서트
xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100)으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 갖는 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 인 비움 웨이퍼 - 인듐 안티몬화물을 제공합니다.인기 태그 : 웨이퍼 인서트 insb 기판 인듐 안티몬화물 웨이퍼 인듐 안티 모나 이드 기판 인듐 안티 모나 이드 특성 웨이퍼 가격을 insb
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가스 웨이퍼
xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100) 방향으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 지닌 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 gasb 웨이퍼 - 갈륨 안티 모나 이드를 제공합니다. -
갭 웨이퍼
아모이 파워 웨이는 갭 웨이퍼 - 갈륨 포스 파이드를 제공하며 이는 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)를 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 상이한 배향 (111) 또는 (100)에서 반 절연성을 갖는다.
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