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가 에헴 에피 웨이퍼

2017-08-06

우리는 4 \"gaas mhemt epi 웨이퍼 (gaas mbe epiwafer)를 제공 할 수 있습니다. 아래의 일반적인 구조를 참조하십시오.


n + in0.53ga0.47as 20nm (n = 1x10 ^ 19cm ^ -3)

n + inp etch stopper 5nm (n = 5x10 ^ 18cm ^ -3)

i-in0.52al0.48as 쇼트 키 장벽 10nm

시 - 델타 도핑 (n = 6x10 ^ 12cm ^ -2)

i-in0.52al0.48as spacer 4nm

i-in0.53ga0.47as 채널 15nm

in0.52al0.48as 버퍼 300nm

변성 버퍼 300nm (기판에서 선형으로 등급이 매겨 짐)

in0.53ga0.47as)

시. 가마 substra 테


출처 : semiconductorwafers.net


자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net ,

이메일을 보내주십시오. angel.ye@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com.



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