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가에 / 알가스 /가 에이스 웨이퍼

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가에 / 알가스 /가 에이스 웨이퍼

2017-07-29

우리는 2 \"gaas / algaas / gaas epi 웨이퍼를 제공 할 수 있습니다, 아래의 일반적인 구조를 참조하십시오 :


s.no

매개 변수들

명세서

1

가면 기판  층 두께

500μm

2

층  두께

2μm

가 상층  두께

220 nm

4

몰분율  al (x)

0.7

5

도핑 레벨

본질적인


출처 : semiconductorwafers.net


자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net ,

이메일을 보내주십시오. angel.ye@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com .


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