우리는 우리의 결과를 inganas / gaas 1.3μm 범위의 수직 공동 표면 방출 레이저 (vcsels). 에피 택셜 구조는 유기 금속 화학 기상 증착 (mocvd) 또는 분자 빔 에피 택시 (mbe)에 의해 (100) 가우스 기판상에서 성장되었다. 의 질소 조성 / gaas로 inga (n) 양자 우물 (qw) 활성 영역은 0-0.02이다. 장파장 (1.3μm까지)의 실온 연속파 (rt cw) 레이 징 동작이 mbe 및 mocvd 성장 된 셀에 대해 달성되었다. n- 및 p- 도핑 분포 브래그 반사기 (dbrs)를 갖는 mocvd 성장 디바이스의 경우, 0.64m0.64n0.006as0.994 / gaas vcsels에서 최대 광 출력 0.74mW가 측정되었다. 2.55 ka cm-2의 매우 낮은 jth가 inganas / gaas vcsels에 대해 얻어졌다. mbe-grown 장치는 공동 내 구조로 만들어졌다. 상단 방출 다중 모드 1.3 m0.55ga0.65n0.02as0.98 / 1 mw 출력을 갖는 가우시안 vcsels은 rt cw 작동 하에서 달성되었다. 1.52 kA cm-2의 jth는 mbe-grown in0.35ga0.65n0.02as0.98 / gaas vcsels에 대해 얻어졌으며,보고 된 최저 문턱 전류 밀도이다. inganas / gaas vcsels의 방출 특성을 측정하고 분석 하였다.
출처 : iopscience
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