sic rf 디바이스의 주된 용도는 약 600 mhz (uhf-band)에서부터 수 기가 헤르쯔 (x-band) 정도의 고주파수 고체 고출력 증폭에있는 것처럼 보입니다. 참고 문헌 5, 6, 25, 26, 159 및 다른 곳에서 더 상세하게 논의 된 바와 같이, 높은 브레이크 다운 전압 및 높은 캐리어 포화 속도와 결합 된 높은 열전도도는 ICIC 트랜지스터가 그들의 실리콘 또는 가우스보다 훨씬 더 높은 전력 밀도를 처리 할 수있게한다 (표 5.1). 포크 (phonon) 산란이 캐리어 속도를 심각하게 저하시키지 않도록 채널 자기 발열을 최소화하는 데에도 높은 열전도도가 중요합니다. 이러한 물질 이점 rf 전력 논쟁은 mesfets 및 정적 유도 트랜지스터 (sits)와 같은 다른 트랜지스터 구조 및 sic 외에 다른 와이드 밴드 갭 반도체 (예 : Ⅲ 족 질화물)에도 적용됩니다. 와이드 밴드 갭 트랜지스터의 높은 전력 밀도는 크기와 질량이 작은 고출력이 중요한 고체 트랜스미터 애플리케이션을 실현하는데 매우 유용하게 사용될 것이다. 더 높은 온도에서 작동 할 수있는 트랜지스터가 적어지면 일치 및 냉각 요구 사항이 줄어들어 이러한 시스템의 전체 크기 및 비용이 감소합니다.

sic 기반 고주파 rf mesfet가 현재 상업적으로 이용 가능하다. 그러나 미미한 반 절연 기판, 소자 에피 층 및 표면 패시베이션으로 인해 발생하는 전하 트래핑 효과로 인해 수년간의 근본적인 연구를 거쳐 신뢰성이 떨어지면서 발생했다는 점에 유의해야합니다. 신뢰할 수있는 동작을 가능하게 한 중요한 물질 발전은 이전 개발 된 바나듐 도핑 된 반 절연 실리콘 웨이퍼보다 훨씬 적은 전하 트래핑로 \"고순도\"반 절연 기판 (기생 소자 커패시턴스를 최소화하는 데 필요함)의 개발이었다. 반 절연성 기판 상에 제조 된 mesicet 장치는 아마도 덜 민감하다.

주로 c 축 마이크로 파이프가 측면 채널 mesfet 구조의 대부분의 영역에서 높은 전계 접합부의 두 전도 측면을 더 이상 단락시킬 수 없기 때문에 수직 고전력 스위칭 장치보다 마이크로 파이프에서 발생하는 양보 결과에 악영향을 미친다.

믹서 다이오드는 또한 rf 수신기에서 원하지 않는 상호 변조 간섭을 줄이기위한 탁월한 가능성을 보여준다. 최적화되지 않은 sic 쇼트 키 다이오드 믹서를 사용하여 20db 이상의 동적 범위 개선이 입증되었습니다. 추가 개발 및 최적화를 거친 sic 기반 믹서는 수신기 및 고전력 송신기가 밀접하게 위치한 상황 (예 : 항공기 또는 선박)에서 간섭 내성을 향상시켜야합니다.