모든 유용한 반도체 전자 장치는 각 장치 내외부의 전도성 신호 경로뿐만 아니라

동일한 칩상의 장치와 외부 회로에 신호를 전달하는 전도성 상호 연결

칩 외부에있는 요소. Sic 자체는 이론적으로 환상적인 전기적 동작이 가능합니다.

극한 조건 (5.3 절)에서 그러한 기능은 접촉 및 상호 연결 없이는 쓸모가 없다

같은 조건에서 작동 할 수도 있습니다. 내구성과 신뢰성

금속 - 반도체 접촉 및 상호 연결은 동작을 제한하는 주된 요인 중 하나이다

sic 전자 장치의 고온 한계. 유사하게, 고 고전력 소자 접촉 및 금속 화

결코 발생하지 않은 높은 온도 및 높은 전류 밀도 스트레스를 견뎌야합니다.

실리콘 파워 일렉트로닉스 경험

금속 - 반도체 접촉 형성의 주제는 매우 중요한 기술적 인 영역이다

여기에 자세하게 설명되어 있습니다. 금속 - 반도체 접촉에 관한 일반적인 배경 논의

물리학 및 형성과 관련하여 독자는 참고 문헌 15 및 104에 제시된 서술을 참조해야합니다.

참조 문헌은 주로 기존의 좁은 밴드 갭 반도체에 대한 오믹 접촉을 논의한다.

실리콘 및가 스. 금속 - 반도체 접촉 기술의 특정 개요는에서 찾을 수 있습니다.

참고 문헌 105-110.

참고 문헌 105-110에서 논의 되었 듯이, sic의 유사점과 약간의 차이점

(예를 들어, 실리콘,가 스)에 대한 접촉, 접촉 및 접촉을 포함한다. 그만큼

narrow-bandgap 접점에 존재하는 동일한 기본 물리 및 현재 전송 메커니즘

(fermi-pinning), 열 이온 방출 (thermionic emission) 및 터널링 (tunneling)과 같은 전자 기상 현상은 또한 접촉에 적용된다.

넓은 밴드 갭의 자연스러운 결과는보다 효과적인 쇼트 키 장벽 높이이다.

좁은 밴드 갭 오믹 접촉 물리학과 유사하게, 미세 구조 및 화학적 상태

금속 - 금속 계면은 전기적 특성을 접촉하는 데 중요합니다. 따라서, 프리 메탈 - 증착

표면 처리, 금속 침착 공정, 금속 선택 및 퇴적 후 어닐링 수 있습니다

모두 금속성 접촉의 결과 성능에 큰 영향을 미친다. 화학적 성질이

출발 표면은 표면의 극성에 강하게 의존한다.

동일한 접촉 프로세스가 실리콘 페이스 표면에 적용될 때 상당히 다른 결과

대 탄소 표면.