/ 서비스 / 지식 / 2. 실리콘 카바이드 웨이퍼의 치수 특성, 용어 및 방법의 정의
2. 실리콘 카바이드 웨이퍼의 치수 특성, 용어 및 방법의 정의
  • 2-33.p 유형

    2018-01-08

    반도체는 도체와 절연체 사이의 전기 전도성을 갖는다. 반도체는 온도가 상승함에 따라 전기 저항을 감소시키는 특성이 금속과 다릅니다. 반도체는 전류를 다른 방향보다 한 방향으로 더 쉽게 통과시키는 특성 및 빛에 대한 감도를 표시 할 수 있습니다. 반도체의 전도성이 불순물의 제어 된 첨가 또는 전계 또는 광의 적용에 의해 변경 될 수 있기 때문에, 반도체는 신호, 스위칭 및 에너지 변환의 증폭을위한 매우 유용한 장치이다. 반도체의 포괄적 인 이론은 원자의 격자를 통한 전자의 움직임을 설명하기 위해 양자 물리의 원리에 의존한다. 반도체에서의 전류 전도는 전하 캐리어 (charge carrier)라고 통칭되는 자유 전자 및 홀을 통해 일어난다. 소량의 불순물 원자를 첨가하는 것은 그 내부의 전하 캐리어의 수를 크게 증가시킨다. 도핑 된 반도체가 과도한 홀을 포함 할 때 \"p 형\"이라고 불리우며 과도한 자유 전자를 포함 할 때 \"n 형\"이라고합니다. 디바이스에 사용되는 반도체 재료는 p- 및 n- 형 도펀트의 위치 및 농도를 정확하게 제어하기 위해 고도로 제어 된 조건 하에서 도핑된다. 단일 반도체 결정은 다수의 p 및 n 형 영역을 가질 수있다; 이들 영역들 사이의 p-n 접합은 많은 유용한 전자 특성을 갖는다. 다수의 전류 캐리어로서 홀을 갖는 실리콘 카바이드 재료. 구멍에는 양전하 (p)가 있습니다. 불순물 붕소로 도핑하면 p 형 물질이 생성된다.

  • 2-34 화학 기계 연마

    2018-01-08

    화학 기계적 연마 / 평탄화는 화학적 및 기계적 힘의 결합으로 표면을 평탄화하는 프로세스 인 cmp와 같이 짧습니다. 그것은 화학적 식각 및 자유 연마 연마의 하이브리드로 생각할 수 있습니다.

  • 2-35. 학년

    2018-01-08

    프라임 등급 : 실리콘 카바이드 웨이퍼의 최고 등급. 세미 (semi)는 실리콘 카바이드 웨이퍼를 "프라임 웨이퍼"로 분류하는 데 필요한 벌크, 표면 및 물리적 특성을 나타냅니다.

  • 2-36. 보상 등급

    2018-01-08

    reclaim grade (재사용 등급) : 제조에 사용 된 후 재생, 에칭 또는 광택 처리 된 다음 제조 공정에서 두 번째로 사용 된 저품질 웨이퍼.

  • 2-37. 시험 성적

    2018-01-08

    테스트 등급 : 프라임보다 낮은 품질의 실리콘 카바이드 웨이퍼. 주로 테스트 프로세스에 사용됩니다. 세미는 실리콘 카바이드 웨이퍼를 "테스트 웨이퍼"로 분류하는 데 필요한 벌크, 표면 및 물리적 특성을 나타냅니다.

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