고성능 실리콘 카바이드 ( SiC ) 전력 디바이스에서 p 형 SiC에 대한 저 저항 옴 접촉이 개발되어야한다. 오믹 접촉 저항을 감소시키기 위해, SiC / SiC 계면에서의 장벽 높이의 감소 또는 SiC 기판에서의 도핑 농도의 증가가 필요하다. 배리어 높이의 감소가 극히 어렵 기 때문에, Al의 도핑 농도를 4H-SiC 이온 주입 기술에 의해 도전성을 부여 받았다. Ti / Al 및 Ni / Ti / Al 금속 (여기서 슬래시 "/"기호는 증착 시퀀스를 나타냄)은 Al 이온 주입 SiC 기판에 증착되었다. 실험적 및 이론적 접촉 저항을 비교함으로써, 금속 / SiC 계면을 통한 현재의 전달 메커니즘은 열 이온 전계 방출 인 것으로 결론 지어졌으며 장벽 높이는 ~ 0.4eV로 결정되었다....
본 논문에서는 완전 결합 3 차원 전기 열 소자 시뮬레이터를 사용하여 평면에서 고전류 작동시 효율 저하 메커니즘을 연구한다 지 에이 N 계 발광 다이오드 (LED). 특히, 더 두꺼운 전도성 GaN 기판을 사용하여 효율 저하의 개선이 입증되었다. 첫째, 얇은 도전성 GaN 기판 내부의 국지 줄 열 (Joule heating)은 내부 양자 효율 (IQE)을 저하시키고 직렬 저항을 증가시킨다. 그 후, 더 두꺼운 도전성 GaN 기판과 기판 내부의 전류 밀도 및 온도의 시뮬레이션 된 분포를 도입했습니다. 그 내부의 최대 전류 밀도는 GaN 기판 두께가 5 μm 인 기판에 비해 100 μm 두께 기판의 경우 약 6 배 정도 감소합니다. 따라서 최대 접합 온도가 낮아지고 IQE 및 구동 전압이 향상됩니다. 본 연구는...
X 선 지형 및 화학적 에칭 검사 Si : Ge 단결정 정확한 격자 파라미터 측정과 함께 1.2 at % 및 3.0 at % Ge를 함유하는 기판을 수행 하였다. Ge 원자의 불균일 한 분포로 인한 아마도 동심원 인 '준 원'(줄무늬)의 회절 콘트라스트가 투영 토포 그래프에서 관찰되었다. 에칭 패턴은 스트라이프 및 전위에 상응하는 밴드를 에치 피트로서 나타내었다. 중앙 '핵심'결정 영역 (줄무늬가없는)은 단면 형상 분석에서 결론 지은 바와 같이 미세 결함에 의해 크게 교란 된 결정 격자를 나타냈다. 격자 파라미터 측정은 분포의 불균일성을 보여 주었다. Ge 원자 샘플을 가로 질러 다른 최고의 기타 팸 - 하만 같은 제품 게르마늄 웨이퍼 , 에피 웨이퍼 , 에피 택셜 웨이퍼 환영합...
13.56 MHz에서 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD)을 사용하여, 시드 층은 수소화 된 미세 결정질의 초기 성장 단계에서 제조된다 실리콘 게르마늄 (μc-Si1-xGex : H) i- 층을 포함한다. μc-Si1-xGex : H 층의 성장과 μc-Si1-xGex의 성능에 대한 시드 프로세스의 영향 : Hp-i-n 단일 접합 태양 전지 조사됩니다. 이 시딩 방법을 적용함으로써, μc-Si1-xGex : H 태양 전지는 μc-Si : H 태양 전지로서의 청색 응답의 수용 가능한 성능으로 단락 전류 밀도 (Jsc) 및 필 팩터 (FF) Ge 함유량 x가 0.3까지 증가하더라도 마지막으로 μc-Si0.7Ge0.3 : H 태양 전지의 효율을 7.05 % 향상시켰다. 출처 : iopscience 더 자세한...
연락처 정보
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
