X 선 지형 및 화학적 에칭 검사 Si : Ge 단결정 정확한 격자 파라미터 측정과 함께 1.2 at % 및 3.0 at % Ge를 함유하는 기판을 수행 하였다. Ge 원자의 불균일 한 분포로 인한 아마도 동심원 인 '준 원'(줄무늬)의 회절 콘트라스트가 투영 토포 그래프에서 관찰되었다.
에칭 패턴은 스트라이프 및 전위에 상응하는 밴드를 에치 피트로서 나타내었다. 중앙 '핵심'결정 영역 (줄무늬가없는)은 단면 형상 분석에서 결론 지은 바와 같이 미세 결함에 의해 크게 교란 된 결정 격자를 나타냈다. 격자 파라미터 측정은 분포의 불균일성을 보여 주었다. Ge 원자 샘플을 가로 질러
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