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1xiamen powerway는 갭 웨이퍼 - 갈륨 포스 파이드를 제공하며 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 에피 준비 또는 기계적 등급으로 n 유형, p 유형 또는 반 절연 (111) 또는 (100)으로 성장합니다.
갈륨의 인화물 인 갈륨 인화물 (갭)은 간접 밴드 갭이 2.26ev (300k) 인 화합물 반도체 재료이다. 다결정 재료는 연한 오렌지색 조각의 외관을 갖는다. 도핑되지 않은 단결정 웨이퍼는 투명한 주황색으로 나타나지만 강하게 도핑 된 웨이퍼는 자유 캐리어 흡수로 인해 더 어둡게 보입니다. 그것은 무취이며 물에 불용성이다. 황 또는 텔루르가 n 형 반도체를 생산하는 도펀트로 사용된다. 아연은 p 형 반도체의 도펀트로 사용됩니다. 인듐 갈륨은 광학 시스템에 응용할 수 있습니다. 그 굴절률은 262 nm에서 4.30, 550 nm에서 3.45, 840 nm에서 3.19이다.
| 갭 웨이퍼 및 기판의 사양 | |
| 전도 유형 | n 형 |
| 도펀트 | S 도핑 된 |
| 웨이퍼 지름 | 5 0.8 ± 0.5mm |
| 결정 방위 | (111) +/- 0.5 ° |
| 편평한 방향 | 111 |
| 평평한 길이 | 17.5 ± 2mm |
| 담체 농도 | (2-7) x10 ^ 7 / cm3 |
| rt에서의 비저항 | 0.05-0.4ohm.cm |
| 유동성 | u003e 100cm² / v.sec |
| 에치 피트 밀도 | u003c 3 * 10 ^ 5 / cm² |
| 레이저 마킹 | 요청에 따라 |
| 프랑크 족의 얼굴 | 체육 |
| 두께 | 250 +/- 20um |
| 에피 준비 | 예 |
| 꾸러미 | 단일 웨이퍼 용기 또는 카세트 |
xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100)으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 갖는 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 인 비움 웨이퍼 - 인듐 안티몬화물을 제공합니다.
xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 반 절연성이 다른 (111) 또는 ((111) 또는 (111)으로) lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키) 또는 vgf 100).
xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 유형, p 유형 또는 반 절연 (111) 또는 (100)으로 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 웨이퍼 - 인듐 비소화물을 제공합니다.
xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100) 방향으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 지닌 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 gasb 웨이퍼 - 갈륨 안티 모나 이드를 제공합니다.
우리는 mbe 또는 mocvd에 의해 성장되는 ga, al, in, as 및 p를 기반으로하는 다양한 유형의 epi 웨이퍼 iii-v 실리콘 도핑 n 형 반도체 물질을 제조하고 있습니다. 우리는 고객 사양을 충족하는 사용자 지정 구조를 제공합니다. 자세한 내용은 문의하시기 바랍니다.
xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100) 방향으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 지닌 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 gasb 웨이퍼 - 갈륨 안티 모나 이드를 제공합니다.
팸 - 샤먼 제안 포토 마스크 포토 마스크는 더 두꺼운 기판에 의해지지되는 마스킹 물질의 얇은 코팅이며, 마스킹 물질은 광을 다양한 정도로 흡수하고 맞춤 설계로 패턴 화 될 수있다. 이 패턴은 빛을 변조하고 오늘날의 거의 모든 디지털 장치를 제조하는 데 사용되는 기본 공정 인 포토 리소그래피 프로세스를 통해 패턴을 전송하는 데 사용됩니다.12
에칭 처리 용 웨이퍼는 조도가 낮고 광택이 좋고 비용이 저렴하다는 특성을 가지며, 비용이 많이 드는 폴리싱 된 웨이퍼 또는 에피 택셜 웨이퍼를 직접적으로 대체하여 일부 분야에서 전자 소자를 제조하여 비용을 절감한다. 저 러프 니스, 저 반사율 및 고 반사율 에칭 웨이퍼가있다.12
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