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갭 웨이퍼

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갭 웨이퍼

아모이 파워 웨이는 갭 웨이퍼 - 갈륨 포스 파이드를 제공하며 이는 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)를 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 상이한 배향 (111) 또는 (100)에서 반 절연성을 갖는다.
  • 제품 세부 정보

xiamen powerway는 갭 웨이퍼 - 갈륨 포스 파이드를 제공하며 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 에피 준비 또는 기계적 등급으로 n 유형, p 유형 또는 반 절연 (111) 또는 (100)으로 성장합니다.


갈륨의 인화물 인 갈륨 인화물 (갭)은 간접 밴드 갭이 2.26ev (300k) 인 화합물 반도체 재료이다. 다결정 재료는 연한 오렌지색 조각의 외관을 갖는다. 도핑되지 않은 단결정 웨이퍼는 투명한 주황색으로 나타나지만 강하게 도핑 된 웨이퍼는 자유 캐리어 흡수로 인해 더 어둡게 보입니다. 그것은 무취이며 물에 불용성이다. 황 또는 텔루르가 n 형 반도체를 생산하는 도펀트로 사용된다. 아연은 p 형 반도체의 도펀트로 사용됩니다. 인듐 갈륨은 광학 시스템에 응용할 수 있습니다. 그 굴절률은 262 nm에서 4.30, 550 nm에서 3.45, 840 nm에서 3.19이다.


갭 웨이퍼 및 기판의 사양
전도 유형 n 형
도펀트 S 도핑 된
웨이퍼 지름 5 0.8 ± 0.5mm
결정 방위 (111) +/- 0.5 °
편평한 방향 111
평평한 길이 17.5 ± 2mm
담체 농도 (2-7) x10 ^ 7 / cm3
rt에서의 비저항 0.05-0.4ohm.cm
유동성 u003e 100cm² / v.sec
에치 피트 밀도 u003c 3 * 10 ^ 5 / cm²
레이저 마킹 요청에 따라
프랑크 족의 얼굴 체육
두께 250 +/- 20um
에피 준비
꾸러미 단일 웨이퍼 용기 또는 카세트

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