xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 반 절연성이 다른 (111) 또는 ((111) 또는 (111)으로) lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키) 또는 vgf 100).
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1xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 반 절연성이 다른 (111) 또는 ((111) 또는 (111)으로) lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키) 또는 vgf 100).
인화 인듐 (inp)은 인듐과 인으로 구성된 2 원 반도체입니다. 그것은 GaAs 및 iii-v 반도체의 대부분과 동일한 면심 입방 ( "zinc blende") 결정 구조를 가지고있다. 인화 인듐은 백색 인과 요오드화 인듐의 반응으로부터 제조 될 수있다. ° C. [5] 또한 고순도 및 고압에서 정화 된 원소를 직접 결합 시키거나 트리 알킬 인듐 화합물과 인화물의 혼합물을 열분해함으로써 얻을 수있다. inp는보다 일반적인 반도체 인 실리콘 및 갈륨 비소에 비해 우수한 전자 속도 때문에 고전력 및 고주파 전자 기기에 사용됩니다.
| 웨이퍼 사양 | |
| 목 | 명세서 |
| 웨이퍼 지름 | 50.5 ± 0.4mm |
| 결정 방위 | (100) ± 0.1 ° |
| 두께 | 350 ± 25um / 500 ± 25um |
| 1 차 평면 길이 | 16 ± 2mm |
| 보조 평면 길이 | 8 ± 1mm |
| 표면 마무리 | p / e, p / p |
| 꾸러미 | 에피 준비, 단일 웨이퍼 컨테이너 또는 cf 카세트 |
| 전기 및 도핑 사양 | ||||||
| 전도 유형 | n 형 | n 형 | n 형 | n 형 | P 형 | P 형 |
| 도펀트 | 도망자가없는 | 철 | 주석 | 황 | 아연 | 낮은 아연 |
| e.d.p cm -2 | ≤ 5000 | ≤ 5000 | ≤ 50000 | ≤ 1000 | ≤ 1000 | ≤ 5000 |
| 이동성 cm² v -1 에스 -1 | ≥ 4200 | ≥ 1000 | 2500-750 | 2000-1000 | 명시되지 않은 | 명시되지 않은 |
| 캐리어 농도 cm -삼 | ≤ 10 16 | 반 절연 | ( 7-40 ) * 10 17 | ( 1-10 ) * 10 18 | ( 1-6 ) * 10 18 | ( 1-6 ) * 10 1 |
xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100)으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 갖는 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 인 비움 웨이퍼 - 인듐 안티몬화물을 제공합니다.
xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 유형, p 유형 또는 반 절연 (111) 또는 (100)으로 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 웨이퍼 - 인듐 비소화물을 제공합니다.
아모이 파워 웨이는 갭 웨이퍼 - 갈륨 포스 파이드를 제공하며 이는 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)를 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 상이한 배향 (111) 또는 (100)에서 반 절연성을 갖는다.
xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100) 방향으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 지닌 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 gasb 웨이퍼 - 갈륨 안티 모나 이드를 제공합니다.
pam-xiamen은 uhb 주도 및 ld 용 프리 스탠딩 (gallium nitride) 기판 웨이퍼 용 제조 기술을 확립했습니다. (hydride vapor phase epitaxy, hvpe) 기술에 의해 성장한 우리의 gan 기판은 결함 밀도가 낮습니다.
갈륨 질화물 (gan) hemts (높은 전자 이동성 트랜지스터)는 rf 전력 트랜지스터 기술의 차세대 기술입니다. 팸 - 샤먼은 현재 사파이어 또는 실리콘에 algan / gan hemt epi 웨이퍼를 제공하고 사파이어 템플릿에는 algan / gan을 제공합니다 .
pam-xiamen의 템플릿 제품은 사파이어 기판에 증착 된 갈륨 나이트 라이드 (gan), 알루미늄 나이트 라이드 (aln), 알루미늄 갈륨 나이트 라이드 (algan) 및 인듐 갈륨 니트 라이드 (ingan) silicon carbide 또는 silicon.pam-xiamen의 템플릿 제품은 비용, 수율 및 성능면에서 디바이스를 향상시킬 수있는 우수한 구조적 품질과 높은 열 전도성으로 20 ~ 50 % 더 짧은 에피 택시 사이클 시간과 고품질 에피 택셜 디바이스 레이어를 가능하게합니다.12
우리는 탄화 규소 디바이스의 개발을 위해 6h 또는 4h 기판에 주문형 박막 (실리콘 카바이드) sic 에피 택시를 제공합니다. sic 에피 웨이퍼는 주로 쇼트 키 다이오드, 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터, 접합 전계 효과 트랜지스터, 바이폴라 접합 트랜지스터, 사이리스터, gto 및 절연 게이트 바이폴라에 사용됩니다.12
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