xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 반 절연성이 다른 (111) 또는 ((111) 또는 (111)으로) lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키) 또는 vgf 100).
xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 반 절연성이 다른 (111) 또는 ((111) 또는 (111)으로) lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키) 또는 vgf 100).
인화 인듐 (inp)은 인듐과 인으로 구성된 2 원 반도체입니다. 그것은 GaAs 및 iii-v 반도체의 대부분과 동일한 면심 입방 ( "zinc blende") 결정 구조를 가지고있다. 인화 인듐은 백색 인과 요오드화 인듐의 반응으로부터 제조 될 수있다. ° C. [5] 또한 고순도 및 고압에서 정화 된 원소를 직접 결합 시키거나 트리 알킬 인듐 화합물과 인화물의 혼합물을 열분해함으로써 얻을 수있다. inp는보다 일반적인 반도체 인 실리콘 및 갈륨 비소에 비해 우수한 전자 속도 때문에 고전력 및 고주파 전자 기기에 사용됩니다.
| 웨이퍼 사양 | |
| 목 | 명세서 |
| 웨이퍼 지름 | 50.5 ± 0.4mm |
| 결정 방위 | (100) ± 0.1 ° |
| 두께 | 350 ± 25um / 500 ± 25um |
| 1 차 평면 길이 | 16 ± 2mm |
| 보조 평면 길이 | 8 ± 1mm |
| 표면 마무리 | p / e, p / p |
| 꾸러미 | 에피 준비, 단일 웨이퍼 컨테이너 또는 cf 카세트 |
| 전기 및 도핑 사양 | ||||||
| 전도 유형 | n 형 | n 형 | n 형 | n 형 | P 형 | P 형 |
| 도펀트 | 도망자가없는 | 철 | 주석 | 황 | 아연 | 낮은 아연 |
| e.d.p cm -2 | ≤ 5000 | ≤ 5000 | ≤ 50000 | ≤ 1000 | ≤ 1000 | ≤ 5000 |
| 이동성 cm² v -1 에스 -1 | ≥ 4200 | ≥ 1000 | 2500-750 | 2000-1000 | 명시되지 않은 | 명시되지 않은 |
| 캐리어 농도 cm -삼 | ≤ 10 16 | 반 절연 | ( 7-40 ) * 10 17 | ( 1-10 ) * 10 18 | ( 1-6 ) * 10 18 | ( 1-6 ) * 10 1 |
xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100)으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 갖는 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 인 비움 웨이퍼 - 인듐 안티몬화물을 제공합니다.
xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 유형, p 유형 또는 반 절연 (111) 또는 (100)으로 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 웨이퍼 - 인듐 비소화물을 제공합니다.
아모이 파워 웨이는 갭 웨이퍼 - 갈륨 포스 파이드를 제공하며 이는 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)를 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 상이한 배향 (111) 또는 (100)에서 반 절연성을 갖는다.
xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100) 방향으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 지닌 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 gasb 웨이퍼 - 갈륨 안티 모나 이드를 제공합니다.
아모이 파워 웨이는 갭 웨이퍼 - 갈륨 포스 파이드를 제공하며 이는 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)를 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 상이한 배향 (111) 또는 (100)에서 반 절연성을 갖는다.
카드뮴 아연 텔루 라이드 (cdznte 또는 czt)는 전자를 효과적으로 전자로 변환 할 수있는 새로운 반도체로 주로 적외선 박막 에피 택시 기판, x- 선 검출기 및 감마선 검출기, 레이저 광 변조, 고성능 태양 전지 및 기타 첨단 기술 분야에 사용됩니다.
pam-xiamen의 gan (질화 갈륨) 기반의 에피 택셜 웨이퍼는 초고 휘도의 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드 (LD) 애플리케이션 용입니다.
갈륨 질화물 (gan) hemts (높은 전자 이동성 트랜지스터)는 rf 전력 트랜지스터 기술의 차세대 기술입니다. 팸 - 샤먼은 현재 사파이어 또는 실리콘에 algan / gan hemt epi 웨이퍼를 제공하고 사파이어 템플릿에는 algan / gan을 제공합니다 .
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