xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 유형, p 유형 또는 반 절연 (111) 또는 (100)으로 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 웨이퍼 - 인듐 비소화물을 제공합니다.
xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 유형, p 유형 또는 반 절연 (111) 또는 (100)으로 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 웨이퍼 - 인듐 비소화물을 제공합니다.
인듐 비화물, inas는 인듐과 비소로 구성된 반도체입니다. 녹는 점이 942 ° C 인 회색 입방 형 결정체가있다. [2] 인듐 아세 나이드는 적외선 탐지기의 제작에 사용되며 파장 범위는 1-3.8μm이다. 검출기는 일반적으로 광전지 포토 다이오드입니다. 극저온 냉각 형 검출기는 낮은 잡음을 가지지 만, inas 검출기는 상온에서도 고전력 애플리케이션에 사용될 수 있습니다. 인듐 비화물은 또한 다이오드 레이저를 만드는데 사용됩니다.
인듐 아세 나이드는 갈륨 비소와 유사하며 직접적인 밴드 갭 물질입니다. 인듐 아세 나이드는 때로 인듐 인화물과 함께 사용됩니다. 갈륨 아세 나이드와 합금하여 인듐 갈륨 비소 - 인 / 갈륨 비에 의존하는 밴드 갭을 갖는 물질로 인듐 갈륨 질화물을 생성하는 인듐 질화물과 질화 갈륨을 합금하는 것과 주로 유사한 방법.
| 웨이퍼 사양 | |
| 목 | 명세서 |
| 웨이퍼 지름 | 2 "50.5 ± 0.5mm 3 "76.2 ± 0.4mm |
| 결정 방위 | (100) ± 0.1 ° |
| 두께 | 2 "500 ± 25um 3 "625 ± 25um |
| 1 차 평면 길이 | 2 "16 ± 2mm 3 "22 ± 2mm |
| 보조 평면 길이 | 2 "8 ± 1mm 3 "11 ± 1mm |
| 표면 마무리 | p / e, p / p |
| 꾸러미 | 에피 준비, 단일 웨이퍼 컨테이너 또는 cf 카세트 |
| 전기 및 도핑 사양 | |||||
| 전도 유형 | n 형 | n 형 | n 형 | P 형 | P 형 |
| 도펀트 | 도망자가없는 | 저 유황 | 높은 유황 | 낮은 아연 | 높은 아연 |
| e.d.p cm -2 | 2 " ≤ 15,000 삼" ≤ 50,000 |
||||
| 이동성 cm² v -1 에스 -1 | ≥ 23000 | 25000-15000 | 12000-7000 | 350-200 | 250-100 |
| 캐리어 농도 cm -삼 | ( 1-3 ) * 10 16 | ( 4-8 ) * 10 16 | ( 1-3 ) * 10 18 | ( 1-3 ) * 10 17 | ( 1-3 ) * 1018 |
xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100)으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 갖는 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 인 비움 웨이퍼 - 인듐 안티몬화물을 제공합니다.
xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 반 절연성이 다른 (111) 또는 ((111) 또는 (111)으로) lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키) 또는 vgf 100).
아모이 파워 웨이는 갭 웨이퍼 - 갈륨 포스 파이드를 제공하며 이는 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)를 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 상이한 배향 (111) 또는 (100)에서 반 절연성을 갖는다.
xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100) 방향으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 지닌 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 gasb 웨이퍼 - 갈륨 안티 모나 이드를 제공합니다.
xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100)으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 갖는 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 인 비움 웨이퍼 - 인듐 안티몬화물을 제공합니다.
실리콘 에피 택셜 웨이퍼 (에피 웨이퍼)는 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 증착 된 단결정 실리콘 층입니다 (참고 : 고도로 도핑 된 단일 결정 실리콘 웨이퍼 위에 다결정 실리콘 층을 성장시킬 수 있지만, 벌크 Si 기판과 상부 에피 택 셜층 사이에 버퍼층 (예, 산화물 또는 폴리 -Si)12
pwam은 화합물 반도체 기판 인 갈륨 아세 나이드 결정체와 웨이퍼를 개발 및 제조합니다. 우리는 첨단 결정 성장 기술, 수직 구배 동결 (vgf) 및 가우스 웨이퍼 처리 기술을 사용하고 있으며, 결정 성장, 절단, 연삭에서 연마 가공 및 웨이퍼 청소 및 포장을위한 100 가지 클린 룸. 우리의 gaas 웨이퍼는 led, ld 및 microelectronics 응용 분야에 2 ~ 6 인치 주괴 / 웨이퍼를 포함합니다. 우리는 항상 현재 하위 상태의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발하기 위해 노력하고 있습니다.12
갈륨 질화물 (gan) hemts (높은 전자 이동성 트랜지스터)는 rf 전력 트랜지스터 기술의 차세대 기술입니다. 팸 - 샤먼은 현재 사파이어 또는 실리콘에 algan / gan hemt epi 웨이퍼를 제공하고 사파이어 템플릿에는 algan / gan을 제공합니다 .
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